僅次于光刻、我國半導體制造核心技術突破，核力創(chuàng)芯首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產品交付

9 月 11 日消息，據國家電力投資集團有限公司（以下簡稱“國家電投”）9 月 10 日消息，近日，國家電投所屬國電投核力創(chuàng)芯（無錫）科技有限公司（以下簡稱“核力創(chuàng)芯”）暨國家原子能機構核技術（功率芯片質子輻照）研發(fā)中心，完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產品客戶交付。

國家電投表示，這標志著我國已全面掌握功率半導體高能氫離子注入核心技術和工藝，補全了我國半導體產業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán)，為半導體離子注入設備和工藝的全面國產替代奠定了基礎。

據國家電投介紹，氫離子注入是半導體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié)，在集成電路、功率半導體、第三代半導體等多種類型半導體產品制造過程中起著關鍵作用，該領域核心技術及裝備工藝的缺失嚴重制約了我國半導體產業(yè)的高端化發(fā)展，特別是 600V 以上高壓功率芯片長期依賴進口。核力創(chuàng)芯的技術突破，打破了國外壟斷。

核力創(chuàng)芯在不到三年的時間里，突破多項關鍵技術壁壘，實現了 100% 自主技術和 100% 裝備國產化，建成了我國首個核技術應用和半導體領域交叉學科研發(fā)平臺。首批交付的芯片產品經歷了累計近萬小時的工藝及可靠性測試驗證，主要技術指標達到國際先進水平，獲得用戶高度評價。

查詢獲悉，國電投核力創(chuàng)芯（無錫）科技有限公司成立于 2021 年 03 月 09 日，注冊地位于江蘇省無錫市，注冊資本 7022.63 萬元。

來源：集微網

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