投資25.4億美元,俄羅斯計劃2030年實現(xiàn)70%芯片設備及材料國產(chǎn)化
10月3日消息,據(jù)俄羅斯媒體CNews報道,俄羅斯政府已撥款超過 2400 億盧布(25.4 億美元)支持國產(chǎn)半導體制造所需設備、CAD工具及原材料研發(fā),目標是到 2030 年實現(xiàn)對于國外約70%的半導體設備和材料的國產(chǎn)替代。
報道稱,已經(jīng)有 50 多個組織參與了該計劃的實施。目前已經(jīng)啟動了41個研發(fā)項目,2024年將啟動26個,2025-2026年將啟動另外43個,共計110個項目。
該計劃由俄羅斯工業(yè)部、貿(mào)易部、俄羅斯國際科學技術中心 (ISTC) MIET 電子工程部制定,涉及半導體制造的多個環(huán)節(jié):技術設備、材料和化學品、計算機輔助設計 (CAD) 系統(tǒng)。俄羅斯工業(yè)和貿(mào)易部也在完成一項單獨計劃的工作,以加速實現(xiàn)半導體設備關鍵部件的本地化生產(chǎn)。
目前俄羅斯芯片制造商 Angstrem、Mikron 等所能夠生產(chǎn)的最先進的制程工藝依然停留在65nm或90nm等成熟節(jié)點,并且大量依賴于國外的半導體制造設備,尤其是光刻設備。
據(jù)ISTC MIET負責人雅科夫·別特連科 (Yakov Petrenko) 介紹,俄羅斯目前至少使用了400種不同型號的半導體制造設備,其中只有 12% 可以在當?shù)厣a(chǎn)。
自2022年2月俄烏沖突爆發(fā)后,美國、歐盟、日本、新加坡、韓國、中國臺灣等地就相繼出臺了針對俄羅斯的半導體的出口管制,這些措施不僅使俄羅斯進口相關芯片變得困難,同時相關微電子制造設備的進口更是難上加難。
報道稱,這些限制措施使得俄羅斯關鍵設備獲取成本提升了 40% – 50%(例如,在印刷電路板上安裝組件、組裝終端設備、制成品的測試和質(zhì)量控制的設備),因為必須通過走私途徑才能進入到俄羅斯。
因此,為了降低成本并減少對于國外半導體制造設備的的依賴,俄羅斯工業(yè)部和貿(mào)易部以及 MIET制定了上述國產(chǎn)替代計劃,重點是為微電子生產(chǎn)所需的大約 70% 的設備和原材料開發(fā)國內(nèi)替代品。
作為該計劃的一部分,俄羅斯計劃開20 條不同技術路線的國產(chǎn)設備,包括從 180nm 到 28nm 的微電子學、微波電子學、光子學、電力電子學、光掩模生產(chǎn)、電子元件和模塊的組裝、無源電子學的生產(chǎn)等。
雖然該計劃的戰(zhàn)略目標看起來很明確(到 2030 年以 25.4 億美元的價格實現(xiàn) 70% 的芯片制造設備和原材料的國產(chǎn)化),但具體的細節(jié)卻相當模糊。
具體來說,俄羅斯計劃在2026年底實現(xiàn)利用國產(chǎn)設備來生長單晶、切割硅晶圓、研磨和拋光、洗滌和干燥、應用元素并控制輸出產(chǎn)品(X 射線衍射儀、缺陷控制)。同時,在2026年底完成用于 350nm 和 130nm 工藝技術的光刻設備和用于 150nm 生產(chǎn)節(jié)點的電子束光刻設備的開發(fā),并能夠掌握外延法(即在單個襯底上生長多層半導體材料的過程)工藝。
更遠期的目標是,到2030年,俄羅斯能夠自主生產(chǎn)65nm或90nm制程的國產(chǎn)光刻系統(tǒng),這將顯著提高該國生產(chǎn)微電子產(chǎn)品的能力,但仍將落后于目前全球行業(yè)領先水平25至28 年。
值得一提的是,在今年5月,在CIPR 2024會議期間,俄羅斯聯(lián)邦工業(yè)和貿(mào)易部副部長瓦西里·什帕克(Vasily Shpak)告訴塔斯社記者稱,俄羅斯首臺國產(chǎn)光刻機已經(jīng)制造完成,并正在澤列諾格勒進行測試,該設備可確保生產(chǎn)350nm的芯片。
在預算分配方面,2400 億盧布(25.4 億美元)的資金支出將分布在各種國家計劃當中,包括“電子和無線電電子工業(yè)的發(fā)展”計劃和“俄羅斯的科學和技術發(fā)展”計劃。
其中,2023-2025 年將有超過 1000 億盧布的“俄羅斯科學技術發(fā)展”得到補貼,這筆錢將用于開發(fā)微電子、微波、電力和光電子生產(chǎn)設備以及各種專用材料的研發(fā)工作。2023-2030年,俄羅斯 CAD 系統(tǒng)開發(fā)路線圖的研發(fā) (R&D) 投入將達到 546 億盧布。
雖然俄羅斯的半導體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化目標很龐大,但是相對于龐大且復雜的半導體產(chǎn)業(yè)鏈來說,25.4 億美元資金投入顯然是遠遠不夠的。
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編輯:芯智訊-浪客劍
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