三星HBM3E仍未通過英偉達(dá)認(rèn)證，根源在1a制程DRAM？

10月17日消息，據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea報(bào)導(dǎo)，雖然三星今年以來積極地想通過英偉達(dá)HBM3E認(rèn)證，期望打入英特爾的供應(yīng)鏈，但8層堆疊的HBM3E產(chǎn)品仍未通過認(rèn)證，12層堆疊的產(chǎn)品很可能將延后至2025年第二季或第三季之后才有機(jī)會(huì)供應(yīng)。

有專家指出，三星HBM的問題就是核心芯片DRAM。HBM結(jié)構(gòu)是將多個(gè)DRAM垂直堆疊連接，DRAM性能與HBM性能直接相關(guān)。因此懷疑用于三星HBM3E的DRAM，即三星1a制程第四代DRAM出了問題。

報(bào)道解釋稱，10nm級(jí)制程DRAM產(chǎn)品，分為第一代1x制程、第二代1y制程、第三代1z制程、第四代1a制程和目前主流的第五代1b制程。第四代1a制程DRAM線寬約14nm，三星于2021下半年量產(chǎn)，盡管比對(duì)手早，還用了EUV來提高產(chǎn)能，但未讓三星1a制程DRAM競(jìng)爭(zhēng)力提升，反而因用EUV難度較高，讓三星1a制程DRAM生產(chǎn)成本遲遲無法下降。

另外，三星1a制程DRAM設(shè)計(jì)不夠完美，尤其服務(wù)器產(chǎn)品開發(fā)受挫，使商用較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手落后。SK海力士2023年1月1a制程DRAM的DDR5服務(wù)器產(chǎn)品率先通過英特爾認(rèn)證，而三星HBM3E卻遲遲無法通過英偉達(dá)認(rèn)證。

三星日前平澤產(chǎn)線全面清查英偉達(dá)認(rèn)證過八層堆疊HBM3E產(chǎn)品，但沒有問題，三星自行檢查只查出數(shù)據(jù)處理速度低于其他產(chǎn)品，較SK海力士和美光產(chǎn)品低約10%。

三星考慮新方法，就是部分重新設(shè)計(jì)1a制程DRAM，之后再恢復(fù)服務(wù)器DRAM和HBM產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。市場(chǎng)人士表示，三星還未最后決定。但若重新設(shè)計(jì)，三星須承受更大營(yíng)運(yùn)壓力。

目前三星正面臨半導(dǎo)體業(yè)務(wù)獲利壓力，此外智能手機(jī)、家電、顯示器等部門都面臨困境。此前由于三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)低于市場(chǎng)預(yù)期，三星電子還罕見地發(fā)布聲明致歉。

編輯：芯智訊-浪客劍