北京、廣東發(fā)力，集成電路重大項目來襲

近期，北京和廣東紛紛發(fā)布重點工程計劃，加速推進半導體產業(yè)的發(fā)展。北京的“3個100”重點工程計劃和廣東的現代化產業(yè)體系建設行動計劃，均將半導體項目列為重點，旨在通過技術創(chuàng)新和產業(yè)升級，推動區(qū)域經濟高質量發(fā)展。

近日，北京市2025年“3個100”重點工程計劃經市委常委會審議通過并正式發(fā)布。該計劃涵蓋100個重大科技創(chuàng)新及現代化產業(yè)項目、100個重大基礎設施項目和100個重大民生改善項目，總投資約1.4萬億元。

其中，科技創(chuàng)新及現代化產業(yè)項目包括重大科研基礎設施項目22項、戰(zhàn)略性新興產業(yè)項目23項、未來產業(yè)項目15項、現代服務業(yè)項目34項、文旅融合發(fā)展項目6項。

據全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，上榜的集成電路類項目包括DRAM存儲器技術示范線項目、北電集成12英寸集成電路生產線項目、光電子芯片及器件制造基地項目、盛吉盛高端裝備研發(fā)制造基地、第三代半導體碳化硅襯底產業(yè)化基地建設(二期) 項目等。

其中，北電集成12英寸集成電路生產線項目總投資330億元，規(guī)劃總產能5萬片/月，產品主要面向顯示驅動、數?；旌?、嵌入式MCU等領域。該項目于2024年啟動，計劃2025年四季度啟動設備搬入，2026年底實現量產。

DRAM存儲器技術示范線項目由長鑫集電（北京）存儲技術有限公司負責實施，旨在建設12英寸DRAM存儲器生產線，目前該項目已進入試運行階段。

光電子芯片及器件制造基地項目總投資約4000萬元人民幣，旨在填補我國在高速VCSEL和DFB光電子芯片的供應短板，實現國產替代。目前尚未明確具體投產時間，但項目已進入施工階段，預計2025年12月底前竣工投產。據悉，光電子芯片及器件制造基地項目項目占地面積約25335平方米，主要建設內容包括新建廠房、研發(fā)中心等設施，用于光電子芯片及器件的制造。項目將建設多條生產線，用于生產調制器（含強度調制器）、薄膜調制器、調制器芯片、SLD產線、探測器組件等產品。

第三代半導體碳化硅襯底產業(yè)化基地建設（二期）項目總投資約19.92億元，預計于2025年12月建成投產。該項目由北京天科合達負責實施，將新建6-8英寸碳化硅襯底生產線及研發(fā)中心，投產后將實現年產約37.1萬片導電型碳化硅襯底，其中6英寸導電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。2024年11月12日，該項目正式開工。

盛吉盛高端裝備研發(fā)制造基地總投資約21億元人民幣，由盛吉盛半導體科技（北京）有限公司負責實施。該項目前期投資5億元，圍繞其核心設備建設國際領先的半導體裝備研發(fā)、生產及銷售中心，力爭3年內實現銷售訂單100臺以上產能。截至2024年8月2日，項目主體已封頂，預計2025年3月完工。

與此同時，廣東也在加速推進半導體產業(yè)的發(fā)展。2月5日，廣東省重磅發(fā)布《廣東省建設現代化產業(yè)體系 2025 年行動計劃》。該計劃明確了到 2025 年初步構建現代化產業(yè)體系的總體目標。屆時，廣東省產業(yè)結構將得到優(yōu)化升級，創(chuàng)新能力顯著提升，產業(yè)集群競爭力大幅增強，在全球產業(yè)鏈、供應鏈中占據更重要地位。

在重點任務方面，首先是全力推動集成電路產業(yè)突破，通過加大研發(fā)投入，攻克芯片設計、制造工藝等關鍵核心技術，提升集成電路自主可控水平，為電子信息產業(yè)筑牢根基。同時，大力壯大戰(zhàn)略性新興產業(yè)集群，將新一代電子信息、新能源、新材料、生物醫(yī)藥等作為重點發(fā)展方向，打造具有全球影響力的產業(yè)集群，引領產業(yè)未來發(fā)展潮流。

該計劃還特別提到，在集成電路產業(yè)方面，加快華潤微、方正微、粵芯、增芯等重大項目建設和產能“爬坡”，補齊集成電路制造、先進封測等短板，大力發(fā)展材料及裝備產業(yè)，謀劃建設光芯片產業(yè)創(chuàng)新平臺，打造全國集成電路“第三極”。深入實施“廣東強芯”重大科技工程，在關鍵材料、器件、軟件、裝備等方面取得突破性成果。公開資料顯示，上述四大項目近期均有最新進展。

公開資料顯示，華潤微電子深圳12英寸集成電路生產線項目位于深圳市寶安區(qū)灣區(qū)芯城。該項目自2022年10月開工，歷經兩年多的建設，于2024年12月31日順利實現通線投產。項目將主要生產40-90nm工藝的功率IC和MCU等產品，廣泛應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網、射頻通信等多個領域。

粵芯半導體三期項目也已于今年的1月2日正式通線，標志著在技術創(chuàng)新、產能建設等多方面取得堅實進展。據悉該項目總投資162.5億元，占地28萬平方米，建筑面積45萬平方米。采用180-90nm制程技術，新增月產能4萬片晶圓，達產產值約40億元。

廣州增芯科技12英寸晶圓制造產線從動工到通線僅用時18個月，創(chuàng)下了廣東大體量項目建設的“芯”速度。該項目一期投資70億元，未來五年內計劃總投資370億元，建設兩座智能化晶圓廠，總產能將達到12萬片/月。2024年12月31日，增芯科技12英寸晶圓制造產線投產，首批產品良率達99.7%。

公開資料顯示方正微電子8英寸碳化硅產線Fab2此前預計于2024年底通線，規(guī)劃產能每月6萬片；其Fab1產能6英寸碳化硅晶圓9000片每月，此前2024年底目標：產能提升至1.4萬片每月，2025年目標是具備年產16.8萬片車規(guī)級碳化硅MOS的生產能力。