3G基站：LDMOS技術提升3G基站能效

　　我國的3G網(wǎng)絡發(fā)展?jié)摿εe世矚目，3G建設中最為關鍵的基站部署也已成為業(yè)界關注的核心。以高效功放、多載頻技術、分布式架構、增強型室內(nèi)覆蓋等為代表的新一代基站創(chuàng)新性技術，將會讓運營商實現(xiàn)高性能、低成本的網(wǎng)絡部署。其中，功放效率問題是所有廠家追求的一個熱點。因為提高功放效率不僅能夠為運營商節(jié)省電費、節(jié)省電源等配套設施的投資，還能降低整機散熱的要求，增強設備的穩(wěn)定性。

　　從成本上看，功率放大器是基站上最昂貴的器件，其成本約占基站總成本的60%，而功放管又是功率放大器上最貴的器件，其成本約占80%。除成本之外，功率放大器的功耗占基站總體耗電的80%左右，其體積也占基站的很大比例。因此，降低功率放大器的功耗、體積，減少功放管的數(shù)量對于3G基站是至關重要的。隨著移動電信運營商開始提供基于HSDPA和LTE等技術的超高速服務，無線網(wǎng)絡基礎設施的功率需求也已達到空前的水平。數(shù)據(jù)驅動型服務逐漸成為無線基礎設施的更重要的組成部分，這也使得一流的RF功率放大器性能成為必需。

　　恩智浦在RF、功率和數(shù)字處理等領域保持了全球領先的地位，這使得該公司能為最廣泛的客戶群體提供綠色芯片，其LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)技術使該公司可以為無線通信設備提供強有力的支持。

　　今年2月，恩智浦推出全球首款TD-SCDMA(時分同步的碼分多址技術)和WCDMA(寬帶碼分多址技術)基站用全集成Doherty功率放大器——— BLD6G21-50和BLD6G22-50。BLD6G21-50全集成Doherty功率放大器利用了恩智浦先進的第6代LDMOS技術，專門針對工作在2010MHz至2025MHz頻率范圍的TD-SCDMA標準而設計;BLD6G22-50則 是 針 對 工 作 在2110MHz至2170MHz頻率范圍的WCDMA標準而設計。該系列器件還具有一個優(yōu)勢就是將傳統(tǒng)基于Doherty技術的功率放大器中需要的兩個功放管減少為一個，使得功率放大器的體積和成本都大幅降低。

　　如今，恩智浦的LDMOS技術已經(jīng)演進到第7代，并于今年4月推出首款基于第7代LDMOS技術的基站功率晶體管。與上一代產(chǎn)品相比，該款產(chǎn)品的功率密度提高了20%，功率效率增長了2個百分點，而熱阻則降低25%以上。高性能的LDMOS基站晶體管將使其功率增加效率遠高于同類競爭產(chǎn)品。

　　今年，恩智浦更創(chuàng)造性地提出三路Doherty概念，將Doherty放大器的優(yōu)勢與第7代LDMOS技術巧妙地結合起來，實現(xiàn)了高能效水平和良好的預失真能力，同時顯著節(jié)省了成本，并使得系統(tǒng)的總功耗也顯著降低。