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一種基于LDMOS器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化提升功率放大器功率附加效率 的方法

  • 　　吳錦帆（電子科技大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院??四川??成都??610054）　　摘?要：本文介紹了一種通過改進(jìn)LDMOS的器件結(jié)構(gòu)，提升以LDMOS搭建的功率放大器的功率附加效率大信號指標(biāo)的方法。在器件仿真環(huán)境中，通過對LDMOS的漂移區(qū)進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化，提升器件的小信號增益，然后利用器件等效建模技術(shù)，在電路仿真環(huán)境中，搭建出功率放大器進(jìn)行大信號仿真，在相同的工作條件下功率附加效率提升了約5%左右?！　￡P(guān)鍵詞：LDMOS；功率放大器；功率附加效率　　0 引言　　橫向雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（RFLDMO
  • 關(guān)鍵字： 202006  LDMOS  功率放大器  功率附加效率  

埃賦隆推出工作在433MHz頻段的500W LDMOS晶體管

  • 近日，埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）現(xiàn)在面向工業(yè)加熱、除霜、等離子照明和醫(yī)療應(yīng)用推出基于LDMOS 的BLP05H9S500P功率放大器晶體管。BLP05H9S500P的工作頻率范圍為423至443MHz，它可在脈沖或連續(xù)波模式下提供高達(dá)500W的輸出功率，并實現(xiàn)迄今尚未被開發(fā)利用的75%的典型漏極效率水平。這種一流特性可使所需的制冷量降至最低，同時還可節(jié)省空間和運營成本。此外，該產(chǎn)品還專門設(shè)計了輕便的推挽式晶體管放大器，它可以在50V電壓下在所有相位上承受10:1的駐波比(VSWR)，而不會造成損壞或性
  • 關(guān)鍵字： LDMOS  VSWR  

氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動主流射頻應(yīng)用實現(xiàn)規(guī)?；⒐?yīng)安全和快速應(yīng)對能力

  • 　　數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)?！　∨cLDMOS相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢已牢固確立——它可提供超過70%的功率效率，將每單位面積的功率提高4到6倍，并且可擴展至高頻率。同時，綜合測試數(shù)據(jù)已證實，硅基氮化鎵符合嚴(yán)格的可靠性要求，其射頻性能和可靠性可媲美甚至超越昂貴的碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)替代技術(shù)?！　」杌壋蔀樯漕l半導(dǎo)體
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  LDMOS  

意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)簽署LDMOS技術(shù)許可合作協(xié)議

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)今天宣布與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)科技公司簽署一份LDMOS射頻功率技術(shù)許可協(xié)議。遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)是一家總部位于中國蘇州的無晶圓廠的半導(dǎo)體公司，專業(yè)設(shè)計制造射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、模塊和子系統(tǒng)集成?！　?dǎo)電通道短且擊穿電壓高使LDMOS器件適用于無線通信系統(tǒng)基站射頻功率放大器以及商用和工業(yè)系統(tǒng)的功率放大器。意法半導(dǎo)體與遠(yuǎn)創(chuàng)達(dá)的合作協(xié)議將擴大意法半導(dǎo)體LDMOS產(chǎn)品的應(yīng)用范圍?！　f(xié)議內(nèi)容保密，不對外披露。
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  LDMOS  

驗證射頻功率晶體管的耐用性

  • 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，
  • 關(guān)鍵字： 射頻功率晶體管  耐用性  LDMOS  

氮化鎵發(fā)展評估

  • 本文介紹了氮化鎵的發(fā)展歷程，并與砷化鎵和LDMOS進(jìn)行對比與分析，介紹了氮化鎵在軍事、無線基站及射頻能量等方面的特性和未來發(fā)展的廣闊市場。
  • 關(guān)鍵字： 氮化鎵  砷化鎵  LDMOS  201701  

寬頻設(shè)計不能滿足？來看看這款4G小基站用LDMOS功放

  • 隨著人們對數(shù)據(jù)速率要求越來越高，直接導(dǎo)致無線 通信系統(tǒng)帶寬的需求也在逐步增加，也同時推動了通信技術(shù)的進(jìn)一步可持續(xù)性發(fā)展。
  • 關(guān)鍵字： PTFC270101  小基站  4G  LTE  末級放大器  功率放大器  LDMOS  

5G基站射頻市場：LDMOS開始下滑、GaN快速增長

  • 　　2016年8月29日，每年一次循例來為華為RF工程師講課的Qorvo高級Fellow Bill Boesch在深圳接受了專訪，他說：“4G、5G基站大功率射頻(RF)元件市場正在發(fā)生變革，原有的占主導(dǎo)地位的LDMOS元件雖有成本較低的優(yōu)勢，但市場份額正在出現(xiàn)下滑態(tài)勢，代之而起的是新興的GaN元件，它因其能夠節(jié)省更大功率的優(yōu)勢正在基站RF市場上快速增長。” 　　他特別提到，5G現(xiàn)在頻譜標(biāo)準(zhǔn)還沒有定，有可能會選擇4-5GHz或更高至毫米波頻段。對于手機終端來說，如果5G頻段在4-
  • 關(guān)鍵字： 5G  LDMOS  

寬頻設(shè)計不能滿足？來看看這款4G小基站用LDMOS功放

  • 　　隨著人們對數(shù)據(jù)速率要求越來越高，直接導(dǎo)致無線通信系統(tǒng)帶寬的需求也在逐步增加，也同時推動了通信技術(shù)的進(jìn)一步可持續(xù)性發(fā)展。2G、3G、4G技術(shù)的相繼推出，使移動業(yè)務(wù)由單一形態(tài)逐漸過渡到可同時支持語音、數(shù)據(jù)和視頻等多種業(yè)務(wù)并舉的盛況。目前，隨著4G市場的蓬勃發(fā)展，中國移動、電信、聯(lián)通都已經(jīng)獲得了4G的牌照，獲得的頻段如下表：　　    　　表1：各運營商4G牌照頻段分布　　從上表可以看出，4G的頻率范圍大約覆蓋了從1700～2700MHz的頻率，約1GHz的頻率跨度。這對采用
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覆蓋TD-SCDMA雙頻段的大功率330W LDMOS

  • 　　國際領(lǐng)先的微波半導(dǎo)體器件制造廠商英飛凌推出了可以覆蓋TD-SCDMA 兩個頻段的大功率330W LDMOS，器件型號為PXAC203302FV。該器件適用于1880-2025MHz頻段，可以用于基站多載波射頻功率放大器。PXAC203302FV采用非對稱Push-Bull結(jié)構(gòu)，載波功放130W，峰值功放200W，在非對稱Doherty功放中可以實現(xiàn)更高的效率。 　　PXAC203302FV特性： 　　寬帶內(nèi)部輸入、輸出匹配 　　適用于非對稱Doherty設(shè)計：Main: 130W, Peak:
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一種適用于RFIC的抗擊穿LDMOS設(shè)計

  • 　　LDMOS(LateralDiffusedMetalOxideSemiconductorTransistor，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)以其高功率增益、高效率及低成本等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于移動通信基站、雷達(dá)、導(dǎo)航等領(lǐng)域。射頻大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作頻率和高的性價比，已成為3G手機基站射頻放大器的首選器件。 　　隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小，柵氧化層厚度越來越薄，其柵的耐壓能力顯著下降，擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個重要參數(shù)，它不僅決定了其輸出功率，還決定了器件
  • 關(guān)鍵字： LDMOS  RFIC  射頻放大器  

憑借第二代Airfast功放，飛思卡爾繼續(xù)擴大RF領(lǐng)導(dǎo)地位

  • 　　RF功率行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾推出了第二代Airfast? RF功率解決方案，為高級無線架構(gòu)設(shè)備(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和 TD-LTE應(yīng)用)提供了全新級別的性能。 　　飛思卡爾最新的Airfast系列RF功率解決方案基于成功且具備卓越性能的上一代產(chǎn)品，包含了28V獨立和單級功率放大器。在充分利用并增強了第一代Airfast電路、模具、匹配網(wǎng)絡(luò)和封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上，飛思卡爾憑借新一代Airfast技術(shù)(包括首次推出RF功率LDMOS部件，從而在Doherty配置
  • 關(guān)鍵字： 飛思卡爾  RF  Airfast  LDMOS  201407  

飛思卡爾發(fā)布LDMOS首批11個射頻功率產(chǎn)品

  • 　　射頻(RF)功率晶體管領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者飛思卡爾半導(dǎo)體日前宣布11個全新商用的射頻功率LDMOS產(chǎn)品全面上市，這個產(chǎn)品可滿足美國國防電子產(chǎn)品應(yīng)用的要求，這是2013年6月公布的公司射頻功率業(yè)務(wù)戰(zhàn)略防御計劃發(fā)布的首套產(chǎn)品。　　飛思卡爾現(xiàn)在為美國國防系統(tǒng)客戶提供與其他市場相當(dāng)?shù)闹С炙?，使客戶可以?yōu)化這些射頻器件的性能，適合雷達(dá)、軍用通信和電子戰(zhàn)的應(yīng)用。這些產(chǎn)品包含在飛思卡爾產(chǎn)品長期供貨計劃中，根據(jù)不同產(chǎn)品可確保最低10年或15年的產(chǎn)品供應(yīng)。?此外，飛思卡爾射頻國防市場專家組成的專門團(tuán)隊擁有符合I
  • 關(guān)鍵字： 飛思卡爾  LDMOS  RF  國防  

一種適用于射頻集成電路的抗擊穿LDMOS設(shè)計

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 射頻  抗擊穿  LDMOS  埋層  漂移區(qū)  襯底  

利用DS4303為LDMOS RF功率放大器提供偏置

  • 摘要：LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能 ...
  • 關(guān)鍵字： DS4303  LDMOS  RF  功率放大器  
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ldmos介紹

橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體 LDMOS lateral double-diffused metal-oxide semiconductor 　　LDMOS技術(shù)是為900MHz蜂窩電話技術(shù)開發(fā)的，蜂窩通信市場的不斷增長保證了LDMOS晶體管的應(yīng)用，也使得LDMOS的技術(shù)不斷成熟，成本不斷降低，因此今后在多數(shù)情況下它將取代雙極型晶體管技術(shù)。 　　與雙極型晶體管相比,LDMOS管的增益更高，L [ 查看詳細(xì) ]

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