東芝開發(fā)新型128MB電容器DRAM

   近日，日本東芝公司已經(jīng)在一個(gè)SOI（絕緣體上外延硅）晶圓上制造出一款128MB無輸出電容器DRAM芯片，正在對(duì)這款芯片進(jìn)行測(cè)試運(yùn)作。  
　　東芝公司報(bào)告稱，去年二月份在最尖端半導(dǎo)體電路技術(shù)國(guó)際會(huì)議（ISSCC）上東芝公司報(bào)告了無輸出電容器DRAM芯片的設(shè)計(jì)和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國(guó)際會(huì)議上，東芝公司展示了這款芯片的運(yùn)作。聲稱是全球最大儲(chǔ)存密度無輸出電容器DRAM芯片。  
　　無輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效應(yīng)取代了電容器使用傳統(tǒng)的DRAM芯片儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。除了東芝公司外，創(chuàng)新硅公司和瑞薩科技公司也宣布了無輸出電容器DRAM芯片的原型，它們?cè)缭?000年就開始研究浮體效應(yīng)電池儲(chǔ)存器。  
　　東芝公司SoC（系統(tǒng)芯片）研究開發(fā)中心技術(shù)部門AMD公司首席專家Takeshi Hamamoto表示，東芝公司開發(fā)的128MB儲(chǔ)存容量無輸出電容器DRAM芯片是目前新產(chǎn)品中儲(chǔ)存密度最大的產(chǎn)品 
。他說：“128MB儲(chǔ)存容量的科技價(jià)值是巨大的，它的設(shè)計(jì)和開發(fā)全部依賴于實(shí)際應(yīng)用，如果有必要，在三年內(nèi)我們將能夠在LSI (大規(guī)模集成電路）中使用”。  
　　東芝公司指出，無輸出電容器DRAM芯片是在六層金屬上采用90納米CMOS制造工藝制作的。電池尺寸為0.17平方微米，大約是傳統(tǒng)DRAM電池面積的一半。  
　　在這款芯片的制作中，東芝公司工程師推出了部署版面與信號(hào)線、電源線等銅線最優(yōu)化的電池設(shè)計(jì)，這些銅線幫助芯片達(dá)到 了書寫時(shí)間為10 ns（毫微秒，時(shí)間單位等于1秒的10億分之一），讀取時(shí)間為20ns。  
　　為了全部完成大規(guī)模集成電路的開發(fā)，東芝公司還將繼續(xù)在惡劣的運(yùn)作環(huán)境中對(duì) 芯片進(jìn)行測(cè)試，進(jìn)一步提高芯片的可靠性。 
（摘自http://www.ednchina.com）