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適用于SAR ADC的CMOS比較器的設(shè)計(jì)

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作者: 時(shí)間:2010-01-26 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

引言

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/104045.htm

  比較器廣泛應(yīng)用于從模擬信號(hào)到數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換過程當(dāng)中。在模一數(shù)轉(zhuǎn)換過程中,經(jīng)過采樣的信號(hào)經(jīng)過比較器以決定模擬信號(hào)輸出的數(shù)字值。比較器可以比較一個(gè)模擬信號(hào)和另外一個(gè)模擬信號(hào)或參考信號(hào)的大小。比較器大都采用開環(huán)模式,這種開環(huán)結(jié)構(gòu)不必對(duì)比較器進(jìn)行補(bǔ)償,同時(shí),未進(jìn)行補(bǔ)償?shù)谋容^器可以獲得較大的帶寬和較高的頻率響應(yīng)。然而由于MOS器件的失配誤差,以及放大器的增益和速度之間的相互制約,使得在一定工藝條件下同時(shí)實(shí)現(xiàn)比較器的高速和高精度非常困難。

  本文提出一種帶時(shí)鐘控制的可再生比較器,適用于在時(shí)間上離散的信號(hào)。此設(shè)計(jì)在傳統(tǒng)的前置預(yù)放和鎖存器級(jí)聯(lián)的理論基礎(chǔ)上,通過引入交叉耦合負(fù)載、復(fù)位和鉗位技術(shù),與文獻(xiàn)[3]相比,實(shí)現(xiàn)了更高的速度和相對(duì)較高的精度。

  比較器結(jié)構(gòu)與設(shè)計(jì)

  該比較器的結(jié)構(gòu)簡化如圖1所示。


  它由兩級(jí)結(jié)構(gòu)相同的前置放大器和一級(jí)帶有復(fù)位再生的高速鎖存器組成,每一級(jí)中都帶有一個(gè)內(nèi)置正反饋的設(shè)計(jì)。前置放大器使輸入的變化足夠大,并且將其加載到鎖存器的輸入端,這樣獲得電路的最佳特性。

  前置放大器的設(shè)計(jì)及優(yōu)化

  傳統(tǒng)的前置放大器結(jié)構(gòu)如圖2所示,這種內(nèi)置正反饋比較器由一個(gè)差分輸入對(duì),一個(gè)偽電流源和一對(duì)交叉耦臺(tái)負(fù)載組成,負(fù)載連接成差分的模式。M1和M2組成差分輸入對(duì),M3、M33、M4、M44組成帶有正反饋的負(fù)載,以提高電路的增益,這個(gè)正反饋單元電路可以通過調(diào)整M3、M4和M33、M44管的寬長比(W/L)來形成弱正反饋或強(qiáng)正反饋。


  前置放大器電路中的正反饋分析

  正反饋是通過連接到M3和M4的源一漏極的并聯(lián)電壓反饋。其比較的工作過程為:差分輸入信號(hào)加到NMOS對(duì)管M1和M2的柵極,假設(shè)一端加正電壓信號(hào),另一端則為負(fù)電壓信號(hào);NMOS管M1中流過的電流Ids1開始增大,M2中電流Ids2開始減小,M3和M33柵極電位下降,M4和M44柵極電位上升,M3管中電流Ids3增大,M4管中電流Ids4減?。粡亩筂4和M44的柵極電位更高,M3和M33柵極電位更低,這個(gè)正反饋重復(fù)進(jìn)行直到Ids33隨其柵電壓減小而增大的速度與Ids4減小的速度相等,以及Ids44隨其柵電壓增大而減小的速度與Ids3增大的速度相等。

  如果忽略M3與M4兩個(gè)交叉耦合的PMOS管負(fù)載的溝道長度調(diào)制效應(yīng)的影響,則交叉耦合負(fù)載的作用相當(dāng)于一個(gè)負(fù)電阻RX=-2/gm3(其中g(shù)m3=gm4)

  考慮到M3、M4的溝道長度調(diào)制效應(yīng)的影響,則
  

  交叉耦合的正反饋負(fù)載的負(fù)電阻特性補(bǔ)償了一部分正的輸出阻抗,在一定程度上提高了差分輸出阻抗,提高了比較器的增益。所以,第一級(jí)前置正反饋放大器的增益為:
  

化簡得到直流電壓增益為:
  

  在C1相同時(shí),時(shí)間常數(shù)越大,比較器的信號(hào)傳輸時(shí)間越長,其轉(zhuǎn)換速度就越低。但同時(shí),比較器的增益卻越大,因此導(dǎo)致高增益與高速度的矛盾。

  設(shè)計(jì)優(yōu)化

  優(yōu)化后的前置內(nèi)置正反饋放大器電路結(jié)構(gòu)如圖3所示:
  RS與兩個(gè)相反的時(shí)鐘信號(hào)用來控制比較器的復(fù)位,當(dāng)RS為高時(shí),比較器處于復(fù)位狀態(tài);RS為低時(shí),比較器開始進(jìn)行比較。這樣通過每次比較前的復(fù)位,可以進(jìn)一步提高比較器的翻轉(zhuǎn)速度。


  為了獲得更高的工作速度,在兩個(gè)輸出端之間還有兩個(gè)鉗位二極管,用來控制兩個(gè)差分輸出端的電壓差。如果輸出電壓差值過大,則當(dāng)本級(jí)比較器的輸入發(fā)生翻轉(zhuǎn)時(shí),兩個(gè)輸出端會(huì)由于電壓差過大而造成輸出端翻轉(zhuǎn)的速度較慢,從而影響輸出結(jié)果和比較器的性能。所以這兩個(gè)MOS管可以起到鉗位的作用,即限制Vo1和Vo2電壓的擺幅,提高比較器的速度。在平衡狀態(tài)時(shí),通常



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