Intel65nm工藝成熟尋獲漏電流解決辦法

   Intel即將推出一系列基于65nm工藝的處理器，這已經(jīng)是公開的秘密。65nm的工藝使得Intel可以在一片晶圓中制造出更多的處理器，隨之而來的是產(chǎn)能、效率以及利潤的增長。當然，這種工藝更復雜、需要巨大的投資以提高成品率。 目前，處理器的典型研發(fā)周期是24到32個月，而在十年以前是大約48個月。研發(fā)過程的主要任務就是尋找和定位錯誤。Intel的技術(shù)和研發(fā)集團專門負責發(fā)現(xiàn)錯誤并對其進行修正——這往往被稱為“納米手術(shù)”，因為整個過程都在10nm以內(nèi)的空間內(nèi)進行。集團的領(lǐng)導Markus Kuhn指出：Intel現(xiàn)在可以對5nm左右的晶體結(jié)構(gòu)進行操作，相當于對一個原子進行控制。

    Intel Fab12工廠的經(jīng)理Steven Megli表示：即使制造環(huán)境的濕度稍有不同，也會對成品率造成嚴重影響。Intel希望在全球的工廠推廣65nm工藝，但Steven Megli也承認這幾乎不太可能，即使在Fab12，也只有90%的環(huán)境參數(shù)滿足要求。

Intel在量產(chǎn)之前不放過任何一個微小錯誤的努力得到了回報——65nm的工藝僅需20個月就達到了成熟的水平，而180nm用了38個月、130nm用了30個月、90nm用了26個月。

Intel可以發(fā)現(xiàn)任何微小的錯誤，但為何沒有發(fā)現(xiàn)基于90nm工藝的處理器明顯的電流泄漏現(xiàn)象？對此，Markus Kuhn表示：Intel很清楚的意識到了這個問題，但這個問題是在研發(fā)的過程中引入的。雖然在提升處理器頻率時會產(chǎn)生巨大的熱量，但之前Intel認為這個問題不太重要。這僅僅到最近這才成為一個令人頭疼的問題。在65nm工藝中，電流泄漏已經(jīng)大大降低。但Markus Kuhn認為業(yè)界無法解決氧化柵極所帶來的電流泄漏問題，這屬于量子機械效應，不可避免。

那么，Intel能在這條路走多遠呢？Markus Kuhn表示這遠無止境。下一個研發(fā)的目標是32nm工藝的處理器，并有望在2009年投放市場。隨后，就將步入納米時代，瞄準20nm或更細的工藝。