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2004年6月7日,瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

作者: 時間:2010-01-12 來源:電子產品世界 收藏

  2004年6月7日,發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率。與先前的產品相比,HAT1125H的導通電阻大約減小了25%,是業(yè)界導通電阻最低的工業(yè)標準SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產品。由于其損耗很低,將有助于設計小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/104953.htm


關鍵詞: 瑞薩 MOSFET Renesas

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