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2007年6月12日,瑞薩開發(fā)出32納米及以上工藝片上SOI SRAM前瞻技術

作者: 時間:2010-01-12 來源:電子產品世界 收藏

  2007年6月12日,開發(fā)出一種可在32 nm(納米)及以上工藝有效實現(xiàn)的技術,以用于集成在微處理器或SoC(系統(tǒng)級芯片)中的片上。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/105010.htm


關鍵詞: 瑞薩 SRAM Renesas

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