Globalfoundries紐約州巨資建晶圓廠 預(yù)計2012年完工

　　AMD旗下的Globalfoundries(GF)合并新加坡特許后，計劃斥資42億美元，在紐約州建立12寸新晶圓廠(Fab8)，2012年完工19日第五期將舉行上梁典禮。

　　臺積電12廠第五期上梁典禮，將由資深營運副總劉德音主持。設(shè)備商指出，今年半導(dǎo)體景氣進入多頭，全球三大晶圓代工廠擴產(chǎn)火力全開，三家公司新廠房總耗資172億美元，相當于新臺幣5,469億元，支出將高度集中在今、明兩年，有史以來最大。

　　GF目前擁有新加坡特許Fab7與德勒斯登Fab1，兩座12寸晶圓廠，為了擴大40納米以下先進制程客戶群，計劃斥資42億美元在紐約州Malta鎮(zhèn)興建芯片廠Fab8。

　　這座耗資42億美元的晶圓廠去年下半已動土，有81%的投資用來采購機器設(shè)備，廠房建設(shè)僅占8億美元，機器設(shè)備價值超出廠房建設(shè)四倍以上，高達34億美元。該公司發(fā)言人查維斯 (Travis Bullard)表示，預(yù)計2011年夏季裝機測試，2012年完工，員工數(shù)預(yù)計1,465人。

　　臺積電也非省油燈，董事長張忠謀日前表示，今年臺積電新技術(shù)是40納米，下半年又有新一代的28納米制程即將展開，去年8月臺積電已斥資80億美元、打造一座高度無人工廠。

　　臺積電此座晶圓廠就是竹科三、五路新竹12廠的第四、五期。張忠謀還表示，臺積電在全臺已有超過十座晶圓廠，園區(qū)三、五路兩座新廠，是臺積電第一座「研發(fā)晶圓廠」，預(yù)計有3,000名研發(fā)人員需求，主攻32納米、22納米及15 納米等三個世代先進制程技術(shù)。

　　聯(lián)電今年也將啟動南科12B裝機計劃，聯(lián)電12B早于2007 年動土，是聯(lián)電第三座12寸晶圓廠，也以40納米以下為主要技術(shù)。12B月產(chǎn)能達5萬片，將是聯(lián)電最大的12寸晶圓廠，同時還有一座研發(fā)大樓，12B裝機后加上主體成本，也將動用聯(lián)電50億美元。