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DRAM供不應(yīng)求因素 供給和需求分析

作者: 時間:2010-04-23 來源:Digitimes 收藏

  2010年產(chǎn)業(yè)自谷底回春,不淡擺脫過去虧損連連的情況,或是各廠要求政府要紓困,幾乎每家業(yè)者都開始賺錢,且供不應(yīng)求情況越來越嚴重,價格也不斷上漲,現(xiàn)在DDR3和DDR2價格1顆3美元的情況發(fā)生在傳統(tǒng)淡季,實在少見,且缺貨的情況短期內(nèi)無法紓解。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/108323.htm

  市場分析主要原因可分為供給和需求兩方配合。在供給端方面,除了三星電子(SamsungElectronics)實力和財力雄厚外,廠的資本支出頂多只能應(yīng)付制程微縮的需求,沒有多余的資金可蓋新廠房。

  再者,2010年各廠轉(zhuǎn)進50或是40奈米世代都需要ASML的浸潤式機臺(ImmersionScanner),但此機臺嚴重缺貨,交期持續(xù)遞延,如果現(xiàn)在下訂單,至少要6個月后才能交貨,因此也影響各廠制程微縮的速度,減少產(chǎn)出增加速度。

  此外,各廠在制程微縮的過程中,面臨很多考驗,例如南亞科和華亞科面臨溝槽式(Trench)制程轉(zhuǎn)堆棧式(Stack)制程,技術(shù)結(jié)構(gòu)和機器設(shè)備不同,轉(zhuǎn)制程的速度遞延,也影響全球產(chǎn)出。

  在終端需求方面,由于上次微軟(Microsoft)推出的Vista不成功,因此全球的PC換機需求被壓抑4~5年之久,2010年逐漸引爆,包括消費性機種和企業(yè)級的機種同時面臨換機需求,因此需求端!也相當受到鼓舞。



關(guān)鍵詞: DRAM 40納米

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