下世代內存大戰(zhàn)起 國際大廠攻勢凌厲　

　　期相變化內存(PCMorPRAM)市場戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內存用在智能型手機(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對PC、消費性電子和通訊市場使用的相變化內存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量達128Mb，隨著國際大廠接連發(fā)動攻勢，讓原本冷門的相變化內存市場一夕之間熱了起來!

　　全球相變化內存分為3大陣營，包括恒憶/英特爾(Intel)、三星、旺宏/IBM，三星日前推出主攻智能型手機MCP應用的PRAM，以及恒憶的PCM產品等，雖然PRAM、PCM等產品的名稱相異，但屬于相變化內存技術。

　　相較于三星宣布相變化內存新產品在初期要瞄準手機MCP市場，恒憶則是成立全新的品牌Omneo，特別為需要量身訂做的客戶來服務，應用范圍不局限于手機，包含有線及無線通信、消費電子產品、PC和嵌入式應用產品等。

　　恒憶不但看好相變化內存是1988年閃存問世以來，下一代接棒的新內存明日之星，也認為這次推出的新PCM產品可較現(xiàn)有的閃存寫入速度快300倍，并可同時支持序列式閃存(SerialNORFlash)和并列式閃存(Pa!rallelNORFlash)界面。

　　恒憶的第1款PCM產品是在2008年12月推出，支持10萬次的耐寫次數(shù)，這次推出的第2款新產品是采用90奈米制程生產，容量可達128Mb，耐寫次數(shù)更提高到100萬次，目前恒憶的Omneo品牌產品已大量供貨。

　　恒憶副總裁暨嵌入式業(yè)務部總經(jīng)理GlenHawk則表示，目前設計工程師必須使用不同類型的內存以進行編碼儲存、執(zhí)行以及數(shù)據(jù)儲存應用，新PCM產品可讓設計過程更簡單化。

　　相變化內存是現(xiàn)在各種下世代內存中，最被看好的一種，同時也因英特爾、三星等大廠力推，2010年開始逐漸導入終端應用，此款內存的材料是鍺硒銻GST，兼具DRAM和NANDFlash內存的優(yōu)缺點，雖然2010年開始用于終端市場，但穩(wěn)定=仍需進一步觀察。

　　此外，美光(Micron)正式完成與恒憶的購并程序后，也順勢加入下世代內存技術大戰(zhàn)，在美光獲得相變化內存技術后，可增加美光在消費性電子、手機等應用上內存的研發(fā)實力。