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三星與東芝聯(lián)合 加快NAND Flash速度

作者: 時(shí)間:2010-07-26 來(lái)源:cnbeta 收藏

  和東芝公司已經(jīng)宣布了一個(gè)合作計(jì)劃,旨在制定新規(guī)范推動(dòng)快閃記憶體的傳輸速率,具體來(lái)說(shuō),兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù),這比目前版本的閃存接口技術(shù)快了十倍,這項(xiàng)技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開(kāi)發(fā)的ONFI接口進(jìn)行直接競(jìng)爭(zhēng),主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機(jī)和消費(fèi)電子產(chǎn)品。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/111177.htm

  和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場(chǎng)70%的貨源,因此它們?cè)谛袠I(yè)內(nèi)具有相當(dāng)大的話語(yǔ)權(quán),這對(duì)他們的新規(guī)范計(jì)劃將非常有利。

  上個(gè)月推出了新款的MLC芯片,容量512GB,可以實(shí)現(xiàn)250、220MB/s的讀寫速度,相比之下ONFI組織推出的規(guī)范產(chǎn)品最快速度只有200、166MB/s。



關(guān)鍵詞: 三星 NAND 30nm

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