傳Intel 25nm閃存固態(tài)硬盤延期至明年2月

　　Intel與美光合資公司出品的25nm工藝NAND閃存在今年5月就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。原本我們認(rèn)為，Intel計(jì)劃中在今年四季度推出采用該閃存的第三代固態(tài)硬盤產(chǎn)品已經(jīng)足夠穩(wěn)健了。但根據(jù)歐洲媒體近日得到的消息，Intel近期又修改計(jì)劃，將該系列固態(tài)硬盤的發(fā)布時(shí)間推遲到了明年2月。根據(jù)之前泄露的路線圖，Intel 計(jì)劃在今年四季度推出代號(hào)Postville Refresh的第三代X25-M以及X25-V。憑借25nm工藝MLC NAND閃存的優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)容量翻倍，性能提升，更重要的是價(jià)格大幅下降。而到了明年一季度，還會(huì)再推出推出X18-M新品以及企業(yè)級(jí)的X25-E。

　　不過根據(jù)最新得到的消息，Intel近期對(duì)計(jì)劃進(jìn)行了修改。今年第四季度智慧推出一款新品X25-M，并且依然使用34nm閃存和第二代控制器芯片，應(yīng)對(duì)市場(chǎng)對(duì)不同容量產(chǎn)品的需求。大規(guī)模的第三代產(chǎn)品發(fā)布被推遲到了明年二月份。

　　據(jù)稱此次延期與產(chǎn)能有關(guān)。去年當(dāng)Intel X25-M G2發(fā)布時(shí)，由于性能出眾立即引起了廣泛關(guān)注，并長(zhǎng)期處在供不應(yīng)求狀態(tài)直至2010年。因此雖然25nm工藝芯片已經(jīng)早早量產(chǎn)，良品率表現(xiàn)也不錯(cuò)，但 Intel還是準(zhǔn)備積蓄一段時(shí)間的產(chǎn)能，在新產(chǎn)品正式發(fā)布時(shí)既能憑借性能吸引眼球，也能提供穩(wěn)定充足的貨源滿足消費(fèi)者需求。

　　事實(shí)上，近期已經(jīng)有廠商開始展示采用Intel/美光25nm工藝閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品。但由于他們的貨源肯定是來(lái)自這兩家廠商，在Intel和美光的25nm閃存固態(tài)硬盤正式發(fā)布前，下游廠商應(yīng)當(dāng)不會(huì)被允許推出此類產(chǎn)品。