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25nm
25nm 文章 進(jìn)入25nm技術(shù)社區(qū)
2015年DRAM產(chǎn)業(yè)仍將朝向穩(wěn)定獲利前進(jìn)
- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，雖然三星與SK海力士的新工廠仍將于2015年陸續(xù)完工，但明年度的投片計(jì)劃正仍在進(jìn)行調(diào)整，如三星Line17工廠原本預(yù)定第二季大量投片的計(jì)劃已經(jīng)遞延，自明年第二季從每月10K開始增加，采隨市場(chǎng)狀況的漸進(jìn)式增產(chǎn)，此舉不光可以穩(wěn)定獲利結(jié)構(gòu)，亦可隨時(shí)調(diào)整產(chǎn)品類別與比重，預(yù)計(jì)明年年末投片暫定為40K。但此同時(shí)隨著20nm制程的比重提升，該制程由于復(fù)雜度高，舊工廠在空間不足亦無(wú)法增添新設(shè)備下，投片會(huì)有減少的可能性，整體來(lái)看，三星即
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傳Intel 25nm閃存固態(tài)硬盤延期至明年2月
- Intel與美光合資公司出品的25nm工藝NAND閃存在今年5月就已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。原本我們認(rèn)為，Intel計(jì)劃中在今年四季度推出采用該閃存的第三代固態(tài)硬盤產(chǎn)品已經(jīng)足夠穩(wěn)健了。但根據(jù)歐洲媒體近日得到的消息，Intel近期又修改計(jì)劃，將該系列固態(tài)硬盤的發(fā)布時(shí)間推遲到了明年2月。根據(jù)之前泄露的路線圖，Intel 計(jì)劃在今年四季度推出代號(hào)Postville Refresh的第三代X25-M以及X25-V。憑借25nm工藝MLC NAND閃存的優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)容量翻倍，性能提升，更重要的是價(jià)格大幅下降。而到了明年一季
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Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片
- Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進(jìn)行評(píng)估，預(yù)計(jì)這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲(chǔ)密度為64Gb，為三位元型閃存。 這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設(shè)計(jì)，一個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲(chǔ)量更大。 這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
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Intel鎂光宣布開始量產(chǎn)銷售25nm制程N(yùn)AND閃存芯片
- 繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對(duì)外銷售量產(chǎn)的25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。 這次采用25nm制程技術(shù)制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時(shí)時(shí)長(zhǎng)的視頻片段。 目前還不清楚首款配置這
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Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售
- Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。 IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產(chǎn)，這也是該領(lǐng)域的制造工藝首次進(jìn)軍到30nm之下，并應(yīng)用了沉浸式光刻技術(shù)。新閃存內(nèi)核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總?cè)萘?GB，相比現(xiàn)有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內(nèi)核面積卻小了十分之一。 Intel NA
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鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 明年將轉(zhuǎn)向更高級(jí)別制程
- 鎂光公司NAND閃存市場(chǎng)開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計(jì)劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級(jí)別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，并將于明年轉(zhuǎn)向更高級(jí)別的制程。他并表示鎂光也計(jì)劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術(shù)，以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術(shù)。 Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
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Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
- 由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手長(zhǎng)達(dá)一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進(jìn)，每12-15個(gè)月便升級(jí)一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達(dá)到了34nm，在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先六個(gè)月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
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