爾必達(dá)開發(fā)出25nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片

　　日本爾必達(dá)公司宣布開發(fā)出25nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，這款產(chǎn)品可支持DDR3-1866規(guī)格，并兼容1.35V工作電壓條件下的DDR3L-1600工作模式。預(yù)計(jì)芯片樣品將于今年7月份開始向外出售，芯片的量產(chǎn)則也將在同一時(shí)期啟動(dòng)。

　　比較爾必達(dá)現(xiàn)有的30nm制程2Gb密度產(chǎn)品，新款25nm 2Gb密度產(chǎn)品的存儲(chǔ)單元面積下降了30%，芯片產(chǎn)出量則高出了30%。

　　新25nm制程產(chǎn)品主要面向低能耗PC或消費(fèi)電子設(shè)備應(yīng)用市場(chǎng)，比較現(xiàn)有的30nm產(chǎn)品，25nm制程產(chǎn)品的工作電流下降了15%，待機(jī)電流則下降了29%。

　　除了2Gb密度的產(chǎn)品之外，爾必達(dá)還表示將于年底前開始25nm制程4Gb密度DDR3內(nèi)存芯片的量產(chǎn)，相比30nm制程產(chǎn)品，25nm制程4Gb密度芯片的每片晶圓芯片產(chǎn)出量將提升44%左右。

　　另外，爾必達(dá)還表示新25nm制程將被應(yīng)用在還在進(jìn)一步開發(fā)中的移動(dòng)設(shè)備用內(nèi)存芯片上。