新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 業(yè)界動態(tài) > 爾必達(dá)推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

爾必達(dá)推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

作者: 時間:2010-10-09 來源:賽迪網(wǎng) 收藏

  最近,內(nèi)存顆粒的工藝進(jìn)步速度非??欤钕冗M(jìn)的工藝甚至已經(jīng)超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進(jìn)步。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/113320.htm

  今天我們得到最新消息,繼三星之后,也成功開發(fā)出采用工藝的2Gb容量 SDRAM內(nèi)存顆粒,并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀(jì)錄。

  據(jù)了解,這種顆粒最高支持-1866頻率,可以在1.35V低電壓下實(shí)現(xiàn)1600MHz頻率。同時,其工作電流相比同廠40nm產(chǎn)品工作電流降低15%,待機(jī)電流下降10%。

  聲稱該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品,相比40nm產(chǎn)品,每塊晶圓的產(chǎn)出量要增加45%,能夠大大降低生產(chǎn)成本。



關(guān)鍵詞: 爾必達(dá) DDR3 30nm

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉