Intersil推出應(yīng)用于惡劣環(huán)境的DC/DC功率模塊最新版本

　　全球高性能模擬混合信號(hào)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司今天宣布，推出其為國(guó)防、航空電子等惡劣應(yīng)用環(huán)境而設(shè)計(jì)的突破性ISL8200M DC/DC功率模塊的最新版本---ISL8200MM。

　　ISL8200MM負(fù)載點(diǎn) DC/DC 功率模塊符合美國(guó)國(guó)防供應(yīng)中心(DSCC)VID V62/10608 的規(guī)范。它以單一封裝提供了完整的開(kāi)關(guān)模式電源 --- 軍用級(jí)溫度電氣性能為 -55°C 至 +125°C，并使用了錫鉛材料，以保證最高的長(zhǎng)期可靠性。按日期/追蹤碼分配所做的封裝和測(cè)試記錄提供了全面可追溯性，另外 Intersil 還提供了增強(qiáng)的工藝變更通知。結(jié)合并行負(fù)載電流可擴(kuò)展性及其 QFN 封裝上的延長(zhǎng)引線，ISL8200MM 是國(guó)防通信設(shè)備、雷達(dá)、聲納、國(guó)防地面車輛和智能法規(guī)應(yīng)用的理想選擇。

　　ISL8200MM 使用 Intersil 擁有專利的電流共享架構(gòu)來(lái)減小多個(gè)模塊并行使用時(shí) PCB 版圖的噪聲靈敏度。該器件包含即插即用解決方案所需的幾乎所有元件，取代了多達(dá) 40 種不同的外部元件。這一高集成度簡(jiǎn)化和加快了設(shè)計(jì)，同時(shí)減少了功率管理占位面積。

　　底部帶有大導(dǎo)熱墊片的高效散熱 23 引線 15 毫米 x 15 毫米 QFN 封裝支持最高 60 瓦的輸出功率等級(jí)。諸如功率 MOSFET 和感應(yīng)器等內(nèi)部高功率元件直接焊在導(dǎo)熱墊片上，支持從模塊向 PCB 的高效熱傳輸。在 PCB 上使用導(dǎo)熱過(guò)孔產(chǎn)生的熱阻典型值(θ JA)只有 13°C/W。因?yàn)榇蠖鄶?shù)熱傳輸是通過(guò) PCB，一般不需要?dú)饬?。

　　該模塊的 QFM 封裝周圍有暴露引線，用于通過(guò)引腳進(jìn)行調(diào)試和焊點(diǎn)驗(yàn)證。ISL8200MM 非常小的 2.2mm 厚度使它能夠與其他薄型元件一起安裝在 PCB 的底面。