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三星計(jì)劃2011年下半推出20納米級(jí)制程DRAM

—— 建立DRAM市場(chǎng)三星獨(dú)大態(tài)勢(shì)
作者: 時(shí)間:2010-11-23 來(lái)源:DigiTimes 收藏

  電子(Samsung Electronics) 2011年將致力于提升存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制程技術(shù)水平,再拉大與其它競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者間差距。半導(dǎo)體事業(yè)部專務(wù)趙南成表示,2010年采用30納米級(jí)制程制造,2011年上半計(jì)劃采行20納米級(jí)制程推出產(chǎn)品。計(jì)劃每年提升制程技術(shù),維護(hù)業(yè)界領(lǐng)先地位。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/114822.htm

  20納米后半制程并非采用極紫外線(EUV)這種次世代曝光方式,而是采用既有的浸潤(rùn)方式制作。納米制程是將半導(dǎo)體電路線幅微縮至人類頭發(fā)4,000分之1粗細(xì)的制造工程。半導(dǎo)體制程越是微細(xì),可以大幅縮減半導(dǎo)體大小,在單一晶圓(wafer)上生產(chǎn)的半導(dǎo)體數(shù)量可增加,或降低產(chǎn)品生產(chǎn)的費(fèi)用。

  三星計(jì)劃于2011年下半推出的20納米級(jí)制程DRAM產(chǎn)品,其量產(chǎn)性估計(jì)較30納米級(jí)產(chǎn)品提高約60%。三星2009年率先量產(chǎn)40納米級(jí)DRAM產(chǎn)品,接著2010年7月也領(lǐng)先業(yè)界首度投入30納米制程量產(chǎn)作業(yè)。海力士(Hynix)目前則是以40納米制程量產(chǎn)DRAM,并計(jì)劃2011年初將投入30納米制程產(chǎn)品量產(chǎn)。

  日本爾必達(dá)(Elpida)和美國(guó)美光(Micron)等排名第3、4名的半導(dǎo)體廠目前主要以50納米級(jí)制程量產(chǎn)DRAM產(chǎn)品,并正準(zhǔn)備轉(zhuǎn)換為40納米制程。以DRAM制程技術(shù)為基礎(chǔ),三星2010年第3季在DRAM市場(chǎng)上首度將市占率拉抬至40%以上。

  三星若能依照訂定的目標(biāo),于2011年下半推出20納米級(jí)制程DRAM產(chǎn)品,無(wú)論是在韓國(guó)境內(nèi)或海外,與其它競(jìng)爭(zhēng)公司的技術(shù)能力將有明顯差距,在DRAM市場(chǎng)上也將出現(xiàn)三星獨(dú)大的情況。



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