新聞中心

EEPW首頁(yè) > 元件/連接器 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET

恩智浦發(fā)布業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET

作者: 時(shí)間:2010-12-10 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.今天發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 ,擁有業(yè)界最低RDSon,4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的器件PSMN1R0-30YLC,專門針對(duì)4.5V開關(guān)應(yīng)用優(yōu)化,采用LFPAK封裝技術(shù),是目前業(yè)界最牢固的Power-SO8封裝。NextPower技術(shù)已專門針對(duì)高性能DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,例如隔離電源和電源OR-ing中的同步降壓調(diào)節(jié)器、同步整流器。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/115393.htm

  技術(shù)要點(diǎn):

  · 特性和優(yōu)勢(shì):

  針對(duì)4.5V柵極驅(qū)動(dòng)的低RDSon而專門優(yōu)化的先進(jìn)NextPower技術(shù)

  Power-SO8封裝確保高可靠性,溫度最高可達(dá)175?C

  o 超低QG、QGD和QOSS確保了高系統(tǒng)效率

  · PSMN1R0-30YLC現(xiàn)已開始供貨。

  · PSMN1R0-30YLC是25V和30V NextPower LFPAK系列的首款產(chǎn)品,全系列產(chǎn)品將在未來幾個(gè)月中陸續(xù)推出。

  積極評(píng)論:

  · 半導(dǎo)體Power MOSFET營(yíng)銷經(jīng)理Charles Limonard表示:“NextPower系列MOSFET將幫助設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)高性能(高效率)、小尺寸和低成本。恩智浦致力于開發(fā)和創(chuàng)新,并不斷改善導(dǎo)通電阻RDSon、開關(guān)速度和熱效率等關(guān)鍵參數(shù),從而推出具有業(yè)界領(lǐng)先水平的MOSFET器件。”

  · Limonard還表示,“PSMN1R0-30YLC具有領(lǐng)先于同類器件的超低RDSon,可顯著降低功耗;這反過來能提高新一代電子產(chǎn)品的能效,使能效等級(jí)更高,尺寸更小”。



關(guān)鍵詞: 恩智浦 MOSFET

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉