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中微半導體關于專利侵權訴訟取得決定性勝利

—— 中微半導體對美國泛林科技關于專利侵權訴訟第二次取得決定性勝利
作者: 時間:2011-01-27 來源:SEMI 收藏

  設備有限公司(AMEC)宣布中微在美國泛林科技提起的第二輪關于在臺灣的專利侵權的上訴中再次獲得了決定性的勝利。1月20日,臺灣智慧財產(chǎn)法院再次駁回泛林對于一審判決的上訴。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/116511.htm

  在另一起的專利案件中,中微公司也獲得了臺灣經(jīng)濟部智慧財產(chǎn)局(TIPO)的判決勝利。昨天,臺灣經(jīng)濟部智慧財產(chǎn)局宣布泛林科技專利號為I266873的臺灣專利(聚焦環(huán)裝置專利)由于缺乏新穎性和非顯而易見性(創(chuàng)造性)而無效。泛林科技曾指控中微公司的產(chǎn)品侵害這個專利。

  2009年1月,泛林科技第一次提起對中微的專利侵權的訴訟。訴訟的焦點是泛林科技指控中微公司 Primo D-RIE™ 介質(zhì)刻蝕設備侵害了泛林在臺灣的I36706號專利(專利)。中微公司同時積極應訴并指出侵權的指控是無中生有和毫無依據(jù)的。于此同時,中微公司向臺灣智慧財產(chǎn)法院提交泛林科技專利和聚集環(huán)專利無效的辯訴。雖然聚集環(huán)專利也曾經(jīng)是法庭的一個爭論要點,但是經(jīng)過幾輪法庭辯論后,泛林科技撤回了自己的訴訟,使得雙方的分歧主要集中在專利的侵權上。

  2009年9月,臺灣智慧財產(chǎn)法院在一審判決中駁回了美國泛林科技關于電漿密封環(huán)專利侵權的訴訟。泛林科技對法庭的判決提出了上訴。2011年1月20日,經(jīng)過漫長的評議,臺灣智慧財產(chǎn)法院駁回泛林的上訴并再次作出有利中微的判決。法院的正式判決書將會在下個月下達。

  法庭的宣判再次證明在美國泛林科技發(fā)起和蓄意針對中微 Primo D-RIE 產(chǎn)品核心技術和專利侵權的訴訟中,中微是清白和無辜的。

  “對于最新的判決我們非常高興”,中微公司首席執(zhí)行官尹志堯博士強調(diào):“我們多次強調(diào)創(chuàng)造獨特的專利技術并尊重競爭對手的專利是我們最基本的商業(yè)原則。我們堅決抵制毫無根據(jù)的侵權指控。盡管有泛林的法律訴訟的干擾,我們的刻蝕設備仍然穩(wěn)步地進入臺灣和其它亞洲地區(qū)。”



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