上市公司天龍光電聯(lián)手華晟光電研發(fā)MOCVD

　　內(nèi)地創(chuàng)業(yè)板上市公司天龍光電(300029)發(fā)布公告，江蘇華盛天龍光電設(shè)備股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“天龍光電”或“公司”)與華晟光電設(shè)備(香港)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“華晟光電”)于2011年2月18日在江蘇金壇簽署《江蘇華盛天龍光電設(shè)備股份有限公司與華晟光電設(shè)備(香港)有限公司成立合資公司之合資合同》，天龍光電利用超募資金投入，華晟光電以多項(xiàng)MOCVD專有技術(shù)及資金投入，共同在常州合資成立獨(dú)立法人的中外合資公司，主要從事MOCVD設(shè)備及外延工藝的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、及售后服務(wù)，并且合資公司將在上海成立以研發(fā)為目的的子公司。天龍光電利用超募投入人民幣5333.33萬(wàn)元，華晟光電以無(wú)形知識(shí)產(chǎn)權(quán)投入折算人民幣3523.8萬(wàn)元以及資金投入人民幣666.67萬(wàn)元。

　　天龍光電(300029)是一家致力于新能源設(shè)備及其應(yīng)用的創(chuàng)業(yè)板企業(yè)，目前的主要產(chǎn)品包括單晶生長(zhǎng)爐、多晶鑄錠爐、多線切割機(jī)、LED藍(lán)寶石爐等，經(jīng)過近5年來的發(fā)展，公司已經(jīng)成為國(guó)內(nèi)重要的新能源設(shè)備供應(yīng)商。在今后3～5年內(nèi)，公司在戰(zhàn)略上將圍繞光伏行業(yè)和LED行業(yè)這兩大新能源產(chǎn)業(yè)的重要方向，致力于在這兩個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈上的設(shè)備研發(fā)、制造和應(yīng)用。

　　華晟光電是由一批LED MOCVD領(lǐng)域的技術(shù)專家和管理人員共同創(chuàng)建，擁有創(chuàng)新的、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的多項(xiàng)LED MOCVD技術(shù)，并且團(tuán)隊(duì)具有20多年所積累的世界一流大規(guī)模生產(chǎn)的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)。主要從事LED MOCVD設(shè)備、技術(shù)、外延工藝的研發(fā)、生產(chǎn)、市場(chǎng)經(jīng)營(yíng)與銷售、及售后服務(wù)。陳愛華先生為華晟光電法定代表人，并且為華晟光電的實(shí)際控制人。 陳愛華原任美國(guó)應(yīng)用材料公司( Applied Materials )LPCVD產(chǎn)品部總經(jīng)理和中微公司董事，執(zhí)行副總裁。從1992年起，參與和領(lǐng)導(dǎo)開發(fā)了幾代一系列薄膜沉積技術(shù)和設(shè)備, 包括金屬物理濺射;MOCVD的鋁、氮化鈦、鎢和鎢化硅化;氮化硅、晶硅和氧化硅熱化學(xué)沉積;并成功引入市場(chǎng)，推動(dòng)了世界薄膜沉積技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展。具有長(zhǎng)期的技術(shù)開發(fā)，產(chǎn)品管理，知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理，市場(chǎng)及銷售，人才資源管理，用戶服務(wù)，信息管理，及綜合決策管理的全面經(jīng)驗(yàn)。已獲得40項(xiàng)美國(guó)、日本、中國(guó)和歐洲專利，還有11項(xiàng)待批專利。三次獲得美國(guó)應(yīng)用材料公司的杰出工程與發(fā)明獎(jiǎng)。

　　根據(jù)該項(xiàng)目出具的可行性研究報(bào)告顯示，合資公司MOCVD設(shè)備核心競(jìng)爭(zhēng)力的開發(fā)戰(zhàn)略為：

　　a) 降低芯片外延制造成本35% 以上

　　b) 提高外延大規(guī)模生產(chǎn)所需的設(shè)備的可靠性、穩(wěn)定性、安全性和系統(tǒng)維護(hù)

　　c) 提供高性能芯片外延制成工藝

　　與Aixtron和Veeco相比，該MOCVD的系統(tǒng)單位產(chǎn)能可以提高30%以上。實(shí)時(shí)溫度控制的多-獨(dú)立加熱元件電阻式加熱器設(shè)計(jì)和垂直均勻分離噴淋式反應(yīng)氣體輸送與分布噴頭系統(tǒng)相結(jié)合，既可十分有效地提高外延片的良品率，又可解決目前Aixtron和Veeco設(shè)備在大規(guī)模生產(chǎn)中所存在的可靠性問題和減少系統(tǒng)維護(hù)與昂貴反應(yīng)氣體的消耗。

　　另外，該項(xiàng)目所采用的水平與垂直結(jié)合式氣體排出技術(shù)，能降低雜質(zhì)顆粒，提高外延片薄膜晶化的質(zhì)量，既增加了良品率，同時(shí)也能減少昂貴反應(yīng)氣體的消耗。通過以上所述的降低設(shè)備和耗材成本的途徑，公司MOCVD設(shè)備和消耗零部件的成本可降低30%以上。