海力士：DRAM市況可望進入恢復期

　　海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權(quán)五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復期，而權(quán)五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。

　　權(quán)五哲對海力士2011年第1季營收情況指出，記憶體晶片的生產(chǎn)及數(shù)量雖有增加，但目前承受相當大的價格變動壓力。就銷售方面來說，應(yīng)該與2010年第4季沒有太大差異。

　　另一方面，海力士已投入量產(chǎn)30奈米級DRAM，至2011年底前，將提升30奈米制程比例至4成。NANDFlash2011年下半也將完成20奈米產(chǎn)品開發(fā)，并計劃于2012年投入量產(chǎn)。權(quán)五哲表示，2010年已完成38奈米DRAM開發(fā)作業(yè)，并自2011年第1季進行少量生產(chǎn)，下半年將正式開始供貨。

　　對于日本地震的影響，權(quán)五哲透露，日本地震短期來說未對南韓產(chǎn)業(yè)造成太大影響，部分日本矽晶圓供應(yīng)廠位于地震災(zāi)區(qū)，然因有其他合作晶圓供應(yīng)廠，且仍維持約45天庫存量，暫時未受到影響。供應(yīng)全球60%以上晶圓的業(yè)者中，位于震災(zāi)區(qū)域的業(yè)者占20%，仍不必太擔心，然而日本設(shè)備業(yè)者位于震災(zāi)區(qū)域，部分設(shè)備交貨日期可能延后。

　　外電指出，日本地震造成零組件貨源短缺情況長期化，對日本零組件依存度較高的日本半導體業(yè)者及與日本合作的臺灣業(yè)者所受影響，將較南韓業(yè)者更大，部分臺灣業(yè)者可能因零組件短缺長期化，使得赤字幅度擴大。權(quán)五哲表示，雖然在這樣的情況下，海力士可趁機提升市占率，然而海力士仍將依照原計劃，長期漸進地提升市占率。

　　此外，對于海力士貸款部分，權(quán)五哲表示，沒有執(zhí)著在數(shù)字上，若能依照事業(yè)計劃穩(wěn)定發(fā)展，將可望縮減6,000億韓元(約5.39億美元)負債。