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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 海力士

SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

  • IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報(bào)道，SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開(kāi)發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋(píng)果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話(huà)溝通，并為滿(mǎn)足這些企業(yè)的需
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AI 驅(qū)動(dòng)企業(yè)級(jí) SSD 價(jià)格及需求暴漲，SK 海力士擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì)

  • IT之家 8 月 20 日消息，受人工智能（AI）服務(wù)器需求激增影響，企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（SSD）的價(jià)格飆升了 80% 以上。為滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速擴(kuò)產(chǎn) NAND 閃存。AI 熱潮持續(xù)升溫，不僅帶動(dòng)了高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片需求，如今也正在推動(dòng)企業(yè)級(jí) SSD 市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。AI 服務(wù)器存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，企業(yè)紛紛搶購(gòu)大容量 SSD，甚至不惜高價(jià)確保供應(yīng)。面對(duì)企業(yè)級(jí) SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正優(yōu)先擴(kuò)大采用四層單元（QLC）技
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因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%

  • IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見(jiàn)聞報(bào)道稱(chēng)，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱(chēng)，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱(chēng) DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠(chǎng)商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲?！?nbsp;SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時(shí)候還有報(bào)道，SK 海力士等三大原廠(chǎng)采用 EUV
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三星工藝輸臺(tái)積電 還被海力士超越！芯片主管揭關(guān)鍵硬傷

  • 三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí)，最后統(tǒng)計(jì)出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun） 在執(zhí)掌芯片事業(yè)的幾個(gè)月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問(wèn)題，如果不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。全永鉉發(fā)備忘錄，警告員工必須改變職場(chǎng)文化，強(qiáng)調(diào)應(yīng)停止隱瞞或回避問(wèn)題，若不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。他直言，三星必須重建半導(dǎo)體特有的激烈辯論的文化，「如果我們依賴(lài)市場(chǎng)，沒(méi)恢復(fù)根本的競(jìng)爭(zhēng)力，將陷入惡性循環(huán)，重蹈去年?duì)I運(yùn)的困境。」三星競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士（SK Hynix）在AI內(nèi)存領(lǐng)域追趕，
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SK 海力士加大環(huán)保投入，在芯片生產(chǎn)工藝中使用氟氣替代三氟化氮

  • 7 月 25 日消息，SK 海力士宣布將在芯片生產(chǎn)清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣（F2）。SK 海力士 2024 可持續(xù)發(fā)展報(bào)告顯示，該公司原先將三氟化氮（NF3）用于芯片生產(chǎn)過(guò)程中的清洗工藝，用于去除沉積過(guò)程中腔室內(nèi)部形成的殘留物，其全球變暖潛能值（GWP）顯著高于氟氣（NF3的 GWP 為 17200，而 F2為 0）。除此之外，SK 海力士還進(jìn)一步增加了氫氟酸（HF）的使用量（可用于低溫蝕刻設(shè)備），該氣體的 GWP 為 1 甚至更低，遠(yuǎn)低于過(guò)去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳?xì)怏w。
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SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術(shù)

  • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》17日訊，SK海力士計(jì)劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合，目前半導(dǎo)體封裝公司Genesem已提供兩臺(tái)下一代混合鍵合設(shè)備安裝在SK海力士的試驗(yàn)工廠(chǎng)，用于測(cè)試混合鍵合工藝?；旌湘I合取消了銅焊盤(pán)之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤(pán)，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進(jìn)行堆疊，并增加帶寬。
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消息稱(chēng)三星電子、SK 海力士分別考慮申請(qǐng) 5/3 萬(wàn)億韓元低息貸款，擴(kuò)張運(yùn)營(yíng)

  • IT之家 7 月 1 日消息，據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行申請(qǐng) 5 萬(wàn)億和 3 萬(wàn)億韓元（IT之家備注：當(dāng)前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣）低息貸款，用于業(yè)務(wù)擴(kuò)張。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行由韓國(guó)政府全資控股，是韓國(guó)唯一的政策性金融機(jī)構(gòu)，主要為韓國(guó)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展提供長(zhǎng)期資金。韓國(guó)企劃和財(cái)政部此前公布了“半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)綜合支持計(jì)劃”。作為該計(jì)劃的一部分，韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀行將向半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)放 17 萬(wàn)億韓元低息貸款，其中大企業(yè)可獲得 0.8~1% 利率折讓?zhuān)行?/li>
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱(chēng)三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率維持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話(huà)稱(chēng)，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱(chēng)，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正常化的 NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對(duì)比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線(xiàn)滿(mǎn)負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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半導(dǎo)體后端工藝｜第七篇：晶圓級(jí)封裝工藝

  • 在本系列第六篇文章中，我們介紹了傳統(tǒng)封裝的組裝流程。本文將是接下來(lái)的兩篇文章中的第一集，重點(diǎn)介紹半導(dǎo)體封裝的另一種主要方法——晶圓級(jí)封裝(WLP)。本文將探討晶圓級(jí)封裝的五項(xiàng)基本工藝，包括：光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝、光刻膠去膠(PR Stripping)工藝和金屬刻蝕(Metal Etching)工藝。封裝完整晶圓晶圓級(jí)封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級(jí)封裝分為扇入型晶圓級(jí)芯片封裝（Fan-In WLCSP）和扇
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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

  • IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線(xiàn)中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià)，不過(guò)由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對(duì)晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線(xiàn)占比才能滿(mǎn)足不斷成長(zhǎng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計(jì)，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)
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AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長(zhǎng)

  • 2022年末，ChatGPT的面世無(wú)疑成為了引領(lǐng)AI浪潮的標(biāo)志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來(lái)。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無(wú)數(shù)大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過(guò)一浪。       在這波浪潮中，伴隨著人才、數(shù)據(jù)、算力的不斷升級(jí)，AI產(chǎn)業(yè)正展現(xiàn)出巨大的潛力和應(yīng)用前景，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出重要作用。AI的快速發(fā)展對(duì)算力的需求呈現(xiàn)井噴的態(tài)勢(shì)，全球算力規(guī)模超高速增長(zhǎng)。在這場(chǎng)浪潮中，最大的受益者無(wú)疑是英偉達(dá)，其憑借在GPU領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)脫穎而出，然
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三大存儲(chǔ)原廠(chǎng)財(cái)報(bào)出爐！

  • 近期，三大存儲(chǔ)原廠(chǎng)陸續(xù)公布財(cái)報(bào)情況。西部數(shù)據(jù)：2024財(cái)年第三財(cái)季營(yíng)收34.57億美元，同比增長(zhǎng)23%。在Non-GAAP會(huì)計(jì)準(zhǔn)則下，西部數(shù)據(jù)凈利潤(rùn)為2.10億美元，上年同期凈虧損為4.35億美元，成功扭虧為盈。按業(yè)務(wù)劃分，西部數(shù)據(jù)該季云業(yè)務(wù)營(yíng)收為15.53億美元，同比增長(zhǎng)29%；客戶(hù)業(yè)務(wù)營(yíng)收為11.74億美元，同比增長(zhǎng)20%；消費(fèi)者業(yè)務(wù)營(yíng)收為7.30億美元，同比增長(zhǎng)17%。按產(chǎn)品來(lái)看，西部數(shù)據(jù)NAND閃存營(yíng)收達(dá)17.05億美元，HDD營(yíng)收17.52億美元。展望下一季度，西部數(shù)據(jù)預(yù)計(jì)公司營(yíng)收為36.0億-
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SK海力士發(fā)布2024財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告

  • ·結(jié)合并收入為12.4296萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為2.886萬(wàn)億韓元，凈利潤(rùn)為1.917萬(wàn)億韓元·第一季度收入創(chuàng)同期歷史新高，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)創(chuàng)同期歷史第二高·由于eSSD銷(xiāo)量增加及價(jià)格上升，NAND閃存成功實(shí)現(xiàn)扭虧為盈·“憑借面向AI的存儲(chǔ)器頂尖競(jìng)爭(zhēng)力，將持續(xù)改善公司業(yè)績(jī)”2024年4月25日，SK海力士發(fā)布截至2024年3月31日的2024財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告。公司2024財(cái)年第一季度結(jié)合并收入為12.4296萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為2.886萬(wàn)億韓元，凈利潤(rùn)為1.917萬(wàn)億韓元。2024財(cái)年第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為2
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SK海力士與臺(tái)積電攜手加強(qiáng)HBM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

  • ·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄·通過(guò)采用臺(tái)積電的先進(jìn)制程工藝，提升HBM4產(chǎn)品性能·“以構(gòu)建IC設(shè)計(jì)廠(chǎng)、晶圓代工廠(chǎng)、存儲(chǔ)器廠(chǎng)三方合作的方式，突破面向AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器性能極限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強(qiáng)整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù)，將與臺(tái)積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計(jì)劃與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)預(yù)計(jì)在2026年投產(chǎn)的HBM4，即第六代HBM產(chǎn)品。SK海力士表示：“公司作為AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)先者，與全球頂級(jí)邏輯代
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SK海力士超高性能AI存儲(chǔ)器‘HBM3E’，全球首次投入量產(chǎn)并開(kāi)始向客戶(hù)供貨

  • · 繼HBM3，其擴(kuò)展版HBM3E也率先進(jìn)入量產(chǎn)階段· 研發(fā)完成后僅隔7個(gè)月開(kāi)始向客戶(hù)供貨，期待能實(shí)現(xiàn)最高性能的AI· “將維持用于AI的存儲(chǔ)技術(shù)全球領(lǐng)先地位，并鞏固業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產(chǎn)超高性能用于AI的存儲(chǔ)器新產(chǎn)品HBM3E*，將在3月末開(kāi)始向客戶(hù)供貨。這是公司去年8月宣布開(kāi)發(fā)完成HBM3E后，僅隔7個(gè)月取得的成果。SK海力士表示，“繼HBM3，公司實(shí)現(xiàn)了全球首次向客戶(hù)供應(yīng)現(xiàn)有DRAM最高性能的HBM3E。將通過(guò)成功HBM3
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海力士介紹

海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國(guó)的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷(xiāo)量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專(zhuān)注于銷(xiāo)售DRAM，后來(lái)是SDRAM。2001年他們以6億5000萬(wàn)美元的價(jià)格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開(kāi)發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價(jià)格操控與處份 200 [ 查看詳細(xì) ]

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