SK海力士HBM3e良率已接近80%

5月23日消息，據(jù)英國《金融時報》報道，SK海力士高層Kwon Jae-soon近日向其透露，SK海力士的HBM3E良率接近80%，生產(chǎn)效率也明顯提升。

相較標(biāo)準(zhǔn)DRAM產(chǎn)品，HBM制造過程牽涉DRAM層間建立TSV硅通孔和多次芯片鍵合，復(fù)雜程度直線上升。一層DRAM出問題，就讓整個HBM堆疊報廢。故HBM生產(chǎn)必須更謹(jǐn)慎，提升效率也更難。八層至12層堆疊HBM3E天生良率就落后標(biāo)準(zhǔn)DRAM。

此前韓媒DealSite曾于3月報道稱，SK海力士的HBM良率僅約65%?，F(xiàn)在SK海力士的HBM良率提高到80%，顯示良率有明顯改進(jìn)。

Kwon Jae-soon也提到，SK海力士已將HBM3E生產(chǎn)周期減少50%。更短產(chǎn)期代表更高效率，輝達(dá)等下游客戶貨源更充足。他也再次確認(rèn)SK海力士今年重點是生產(chǎn)八層堆疊HBM3E，因目前是客戶需求大宗。Kwon Jae-soon強調(diào)，人工智能時代，提高產(chǎn)量對保持領(lǐng)先地位越來越重要。

編輯：芯智訊-林子