SK海力士與臺(tái)積電攜手加強(qiáng)HBM技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力

·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術(shù)合作簽署諒解備忘錄

·通過采用臺(tái)積電的先進(jìn)制程工藝，提升HBM4產(chǎn)品性能

·“以構(gòu)建IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠、存儲(chǔ)器廠三方合作的方式，突破面向AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器性能極限”

2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產(chǎn)品生產(chǎn)和加強(qiáng)整合HBM與邏輯層的先進(jìn)封裝技術(shù)，將與臺(tái)積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計(jì)劃與臺(tái)積電合作開發(fā)預(yù)計(jì)在2026年投產(chǎn)的HBM4，即第六代HBM產(chǎn)品。

SK海力士表示：“公司作為AI應(yīng)用的存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)先者，與全球頂級(jí)邏輯代工企業(yè)臺(tái)積電攜手合作，將會(huì)繼續(xù)引領(lǐng)HBM技術(shù)創(chuàng)新。通過以構(gòu)建IC設(shè)計(jì)廠、晶圓代工廠、存儲(chǔ)器廠三方技術(shù)合作的方式，公司將實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)品性能的新突破?！?/p>

兩家公司將首先致力于針對(duì)搭載于HBM封裝內(nèi)最底層的基礎(chǔ)裸片（Base Die）進(jìn)行性能改善。HBM是將多個(gè)DRAM裸片（Core Die）堆疊在基礎(chǔ)裸片上，并通過TSV技術(shù)進(jìn)行垂直連接而成。基礎(chǔ)裸片也連接至GPU，起著對(duì)HBM進(jìn)行控制的作用。

SK海力士以往的HBM產(chǎn)品，包括HBM3E（第五代HBM產(chǎn)品）都是基于公司自身制程工藝制造了基礎(chǔ)裸片，但從HBM4產(chǎn)品開始計(jì)劃采用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯（Logic）工藝。若在基礎(chǔ)裸片采用超細(xì)微工藝可以增加更多的功能。由此，公司計(jì)劃生產(chǎn)在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的定制化（Customized）HBM產(chǎn)品。

與此同時(shí)，雙方將協(xié)力優(yōu)化SK海力士的HBM產(chǎn)品和臺(tái)積電的CoWoS**技術(shù)融合，共同應(yīng)對(duì)HBM相關(guān)客戶的要求。

SK海力士AI Infra擔(dān)當(dāng)社長(zhǎng)金柱善表示：“通過與臺(tái)積電的合作伙伴關(guān)系，公司不僅將開發(fā)出最高性能的HBM4，還將積極拓展與全球客戶的開放性合作（Open Collaboration）。今后，公司將提升客戶定制化存儲(chǔ)器平臺(tái)（Custom Memory Platform）的競(jìng)爭(zhēng)力，以鞏固公司‘面向AI的存儲(chǔ)器全方位供應(yīng)商’的地位?！?/p>

臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)和海外營(yíng)運(yùn)辦公室資深副總經(jīng)理暨副共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)張曉強(qiáng)表示：“多年來(lái)，臺(tái)積電與SK海力士已經(jīng)建立了穩(wěn)固的合作伙伴關(guān)系。通過與此融合了最先進(jìn)的邏輯工藝和HBM產(chǎn)品，向市場(chǎng)提供了全球領(lǐng)先的AI解決方案。展望新一代HBM4，我們相信兩家公司也通過密切合作提供最佳的整合產(chǎn)品，為我們的共同客戶開展新的AI創(chuàng)新成為關(guān)鍵推動(dòng)力?！?/p>

* 硅通孔（TSV，Through Silicon Via）：在DRAM芯片打上數(shù)千個(gè)細(xì)微的孔，并通過垂直貫通的電極連接上下芯片的技術(shù)。

** CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）：臺(tái)積電獨(dú)有的制程工藝，是一種在稱為硅中階層（Interposer）的特殊基板上搭載并連接GPU、xPU等邏輯芯片和HBM的封裝方式。其技術(shù)在2D封裝基板上集成邏輯芯片和垂直堆疊（3D）的HBM，并整合成一個(gè)模組，因此也被稱為2.5D封裝技術(shù) 。