三星文章進入三星技術(shù)社區(qū)

良品率還不到20％！三星2nm工藝仍舊不堪大用

在不靠譜這臺路上，三星似乎一直很靠譜……根據(jù)集邦咨詢的最新報告，三星的2nm工藝仍然面臨極大困難，目前的良品率只有可憐的10-20％，完全無法投入量產(chǎn)。受此壓力，三星計劃在海外更大規(guī)模地裁員，從美國得克薩斯州的泰勒工廠撤回更多人員。事實上，據(jù)稱三星晶圓廠的整體良品率都不到50％，尤其是在3nm及更先進工藝上非常差勁。要知道，臺積電的整體良率約有60-70％。三星官方的計劃是，2025年量產(chǎn)2nm，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A、SF2Z等多個不同版本，2027年繼續(xù)量產(chǎn)1.4nm。據(jù)悉，三星2n
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消息稱三星電子再獲 2nm 訂單，為安霸 Ambarella 代工高級駕駛輔助系統(tǒng)芯片

IT之家 9 月 11 日消息，韓媒 The Elec 今日援引行業(yè)消息源報道稱，三星電子又收獲一份 2nm 制程先進工藝代工訂單，將為美國無廠邊緣 AI 半導(dǎo)體企業(yè)安霸 Ambarella 生產(chǎn) ADAS（IT之家注：高級駕駛輔助系統(tǒng)）芯片。知情人士表示，三星近期成功中標安霸的代工訂單，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計于 2025 年流片，計劃 2026 年量產(chǎn)。根據(jù)三星今年 6 月公布的 2nm 家族路線圖，初代 SF2 工藝將于 2025 年量產(chǎn)，而面向車用環(huán)境的 SF2A 量產(chǎn)時間落在 2027 年。若市場
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高通正聯(lián)手三星、谷歌合作開發(fā)混合現(xiàn)實眼鏡

近日，高通首席執(zhí)行官克里斯蒂亞諾?阿蒙在受訪時透露，該公司正在與三星和谷歌開展合作，研究與智能手機相連的混合現(xiàn)實（MR）眼鏡，旨在打造獨特的產(chǎn)品解決方案。據(jù)悉，這種混合現(xiàn)實智能眼鏡可能更輕便，更側(cè)重于與智能手機的配合使用。對于此次合作，阿蒙表示，衷心希望通過這次合作，能夠讓所有擁有智能手機的人都能夠購買與之配套的眼鏡。據(jù)了解，谷歌、三星和高通早在去年2月就已達成合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)MR技術(shù)。
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三星加碼氮化鎵功率半導(dǎo)體

根據(jù)韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產(chǎn)GaN功率半導(dǎo)體的設(shè)備。GaN是下一代功率半導(dǎo)體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢，IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導(dǎo)體行業(yè)的增長潛力，并一直在推動其進入市場。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數(shù)據(jù)中心和汽車領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導(dǎo)體代工服務(wù)。”根據(jù)這一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
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消息稱三星 1b nm 移動內(nèi)存良率欠佳，影響 Galaxy S25 系列手機開發(fā)

IT之家 9 月 4 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn)，后又在當年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內(nèi)部推進 1b nm LPDDR 移動內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
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英特爾欲退出代工競賽三星得利？韓媒嘆真相難堪

美國芯片大廠英特爾正重新考慮放棄賠錢的代工業(yè)務(wù)，外界關(guān)注是否會讓三星受益，但韓媒保守看待，直指三星想在2030年擊敗臺積電，似乎是一個不切實際的目標。根據(jù)《韓國先驅(qū)報》報導(dǎo)，有專家表示，三星尋求在臺積電主導(dǎo)的代工市場里分一杯羹，雖然英特爾的退出可能是有利的，因為消除潛在的威脅，不過成效恐怕有限。由于芯片制造成本高昂，英特爾一直在虧損，累計上半年虧損已達53億美元，如果英特爾決定出售代工業(yè)務(wù)，三星有機會擴大業(yè)務(wù)，但臺積電和三星都被視為可能的潛在買家，臺積電又是強敵。行業(yè)觀察人士認為，三星要在2030年擊敗臺
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三星被臺積電狠打韓媒嘆自信心都快沒了

韓廠三星對于維持技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位信心漸失？根據(jù)韓媒朝鮮日報報導(dǎo)，三星從2020年財報以來，財報內(nèi)已不見「世界第一」（world's first）的措辭。雖然三星技術(shù)上不斷追趕臺積電腳步，但產(chǎn)能與良率仍有明顯差距。報導(dǎo)分析三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門這10年來的財報，從2014年到2019年，三星每份財報都提到推出全球第一個新產(chǎn)品，并強調(diào)領(lǐng)先對手的差距，高度展現(xiàn)其信心。2020年碰到疫情，三星當時坦承對市場環(huán)境構(gòu)成挑戰(zhàn)，仍抱持樂觀態(tài)度，但「世界第一」一詞，從這時開始在三星財報消失。三星的2021年和2022年財報
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三星導(dǎo)入最新黑科技 BSPDN技術(shù)曝光

三星為了與臺積電競爭大絕盡出，根據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報導(dǎo)，三星計劃采用最新「背面電軌」（BSPDN，又稱「晶背供電」）芯片制造技術(shù)，能讓2納米芯片的尺寸，相比傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)（PDN）技術(shù)縮小17%。三星代工制程設(shè)計套件（PDK）開發(fā)團隊副總裁Lee Sungjae近期向大眾揭露BSPDN細節(jié)，BSPDN相較于傳統(tǒng)前端配電網(wǎng)絡(luò)，可將芯片效能、功率分別提升8%、15%，而且三星預(yù)定在2027年量產(chǎn)2納米芯片時采用BSPDN技術(shù)。BSPDN被稱為次世代晶圓代工技術(shù)，該技術(shù)主要是將電軌置于硅晶圓被面，進而排除電與
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三星攜手高通助力高級車載信息娛樂與高級駕駛員輔助系統(tǒng)

三星電子今日宣布，其用于高級車載信息娛樂（IVI）和高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的LPDDR4X車載內(nèi)存，已通過高通最新的驍龍? 數(shù)字底盤?平臺驗證。這不僅證明了三星LPDDR4X車載存儲器的卓越性能，也體現(xiàn)了三星在汽車應(yīng)用領(lǐng)域的深厚技術(shù)實力和長期支持客戶的堅實承諾。三星和高通攜手共同助力高級車載信息娛樂（IVI）和高級駕駛員輔助系統(tǒng)（ADAS）"三星豐富的DRAM和NAND車規(guī)產(chǎn)品組合，且均通過了AEC-Q100[1]驗證。因此，三星是高通技術(shù)公司攜手共進、為客戶打造長期解決方案的理想伙伴
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三星 VR 頭顯跑分曝光：16GB 內(nèi)存、驍龍 XR2+ Gen 2 芯片、安卓 14 系統(tǒng)

IT之家 8 月 27 日消息，科技媒體 91Mobile 今天（8 月 27 日）發(fā)布博文，表示其在 GeekBench 跑分庫上發(fā)現(xiàn)了三星頭顯設(shè)備的蹤跡，6.3.0 版本最高單核成績?yōu)?1088 分，多核成績?yōu)?2093 分。IT之家查詢 GeekBench 跑分庫，發(fā)現(xiàn)三星頭顯設(shè)備型號為“SM-I130”，目前共有 7 條跑分記錄，均為 8 月 26 日上傳。根據(jù)跑分庫信息，該頭顯運行安卓 14 系統(tǒng)，配備六核處理器，基本時鐘頻率為 2.36 GHz，從配置來看應(yīng)該是驍龍 XR2
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LTPO技術(shù)能否讓三星重新引領(lǐng)OLED市場？

三星2024年上半年在全球智能手機OLED顯示屏市場的份額，由去年上半年的51.6%降到了43.8%。三星希望通過LTPO技術(shù)等方式，在OLED顯示屏領(lǐng)域和整體上獲得更大的份額
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三星驚爆侵權(quán) 哈佛大學怒提告

韓三星電子今年第2季半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收超車臺積電，時隔2年重回半導(dǎo)體王者寶座。不過據(jù)外媒報導(dǎo)，美國知名學府哈佛大學指控三星在微處理器與內(nèi)存芯片領(lǐng)域侵犯了其2項專利，相關(guān)技術(shù)還涉及三星多款手機。綜合路透社等外媒報導(dǎo)，三星已遭哈佛大學在德州聯(lián)邦法院起訴。哈佛大學指控，三星生產(chǎn)微處理器與內(nèi)存芯片的技術(shù)侵犯了該校化學教授Roy Gordon與其他4位發(fā)明人在2009年與2011年獲得的專利，這4人曾是Roy Gordon教授實驗室的博士后或研究生。哈佛大學的律師在訴狀中宣稱，三星未經(jīng)授權(quán)在其微芯片、智能型手機與半導(dǎo)體
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三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達所有測試，預(yù)計今年底開始交付

三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過一直沒有通過英偉達的測試。此前有報道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會獲得認證，將在2024年第三季度開始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過了英偉達的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問題不大，預(yù)計今年底開始交付。值得一提的是，三星還有更先進的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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公司 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達測試？三星回應(yīng)稱并不屬實

IT之家 8 月 7 日消息，今天早些時候路透社報道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達測試。現(xiàn)據(jù)韓媒 BusinessKorea 報道，三星電子回應(yīng)稱該報道并不屬實。對于這一傳聞，三星明確回應(yīng)稱：“我們無法證實與客戶相關(guān)的報道，但該報道不屬實?！贝送?，三星電子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測試仍在進行中，與上月財報電話會議時的情況相比沒有任何變化。此前路透社的報道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過英偉達的測試，并將于第四季度開始供貨。IT之家注意到
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外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM

8月7日消息，隨著移動設(shè)備功能的不斷增強，對內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專為低功耗RAM市場設(shè)計，主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計，這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
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三星介紹

　韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務(wù)周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細 ]