臺(tái)積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機(jī)，采用時(shí)間未定

IT之家 7 月 30 日消息，《電子時(shí)報(bào)》昨日報(bào)道稱，臺(tái)積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。

對此，臺(tái)積電海外營運(yùn)資深副總經(jīng)理暨副共同營運(yùn)長張曉強(qiáng)表示，仍在評估 High NA EUV 應(yīng)用于未來制程節(jié)點(diǎn)的成本效益與可擴(kuò)展性，目前采用時(shí)間未定。

▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機(jī)，圖源：ASML

上個(gè)月，ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺(tái)積電交付首臺(tái) High NA EUV 光刻機(jī)，價(jià)值達(dá) 3.8 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 27.6 億元人民幣）。

▲ 開放式、完全組裝的 TWINSCAN EXE:5000

在此之前，ASML 已于 2023 年 12 月向英特爾開始交付全球首臺(tái) High NA EUV 光刻機(jī) TWINSCAN EXE:5000 的首批模塊，并已于今年 4 月 18 日完成組裝。

ASML 表示，這臺(tái)光刻機(jī)重量高達(dá) 150 噸，相當(dāng)于兩架空中客車 A320 客機(jī)，全套系統(tǒng)需要 43 個(gè)貨運(yùn)集裝箱內(nèi)的 250 個(gè)貨箱來裝運(yùn)，一開始預(yù)計(jì)需要 250 名工程人員、歷時(shí) 6 個(gè)月才能完成安裝。

▲ 蔡司進(jìn)行 High NA EUV 鏡測試

資料顯示，ASML 的第一代 High NA EUV（EXE:5000）分辨率達(dá) 8nm，可以實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有 EUV 光刻機(jī)小 1.7 倍物理特征的微縮，從將單次曝光的晶體管密度提高 2.9 倍，可以使芯片制造商能夠簡化其制造流程。據(jù)介紹，EXE:5000 每小時(shí)可印刻 185 個(gè)以上的晶圓，而且 ASML 還制定了到 2025 年提高到每小時(shí) 220 片晶圓的計(jì)劃。

也就是說，ASML 第一代 High NA EUV 并不是專門用于芯片量產(chǎn)的機(jī)型，而是用于尖端工藝的開發(fā)和驗(yàn)證；其第二代 High NA EUV 光刻機(jī)才是主要面向于尖端制程量產(chǎn)的光刻系統(tǒng)。值得一提的是，英特爾此前已宣布將率先采用 ASML 第二代 High NA EUV——TWINSCAN EXE:5200B 系統(tǒng)。