臺積電 文章 進入臺積電技術社區(qū)
臺積電拿下決定性戰(zhàn)役
- 在2nm工藝制程的決戰(zhàn)上,臺積電又一次跑到了前面。12月6日,據(jù)中國臺灣媒體《經濟日報》報道,臺積電已在新竹縣的寶山工廠完成2nm制程晶圓的試生產工作。 據(jù)悉,此次試生產的良品率高達60%,大幅超越了公司內部的預期目標。值得一提的是,按照臺積電董事長魏哲家曾在三季度法說會上的表態(tài),2nm制程的市場需求巨大,客戶訂單未來可能會多于3nm制程。從目前已知信息來看,臺積電已經規(guī)劃了新竹、高雄兩地的至少四座工廠用于2nm制程的生產,在滿產狀態(tài)下,四座工廠在2026年年初的2nm總產能將達12萬片晶圓。在三星工藝開
- 關鍵字: 臺積電 2nm 芯片 工藝制程 三星 英特爾
誰來收拾英特爾殘局?外媒點名臺積電大將當CEO
- 英特爾日前在官網(wǎng)公告,執(zhí)行長季辛格(Pat Gelsinger)已在12月1日正式退休,外界好奇英特爾新執(zhí)行長誰接任,根據(jù)美國財經報導,臺積電、超威、英偉達等是英特爾最明顯的人才庫。報導指出,臺積電為蘋果、超威、英偉達等公司生產最先進芯片,臺積電制造能力遠超越英特爾,臺積電大將包括資深副總裁張曉強、資深副總經理暨共同營運長侯永清,亞利桑那廠執(zhí)行長王英郎都是不錯人選。報導認為,超威執(zhí)行長蘇姿豐不大可能接手英特爾,目前超威市值是英特爾逾兩倍,挖角蘇姿豐十分困難。跟英偉達挖人才也不容易,因為黃仁勛創(chuàng)造出摒棄傳統(tǒng)
- 關鍵字: 英特爾 臺積電 CEO
臺積電據(jù)稱正與英偉達洽談 擬在亞利桑那州工廠生產Blackwell芯片
- 財聯(lián)社12月6日訊(編輯 夏軍雄)據(jù)媒體援引消息人士報道,臺積電正與英偉達洽談,計劃在其位于美國亞利桑那州的新工廠生產Blackwell人工智能(AI)芯片。作為全球最大的芯片制造商,臺積電計劃在美國亞利桑那州建立三座芯片工廠,該公司將獲得美國政府通過《芯片法案》提供的支持。美國政府上月宣布,將為臺積電提供最多66億美元補貼,外加最高可達50億美元的低息政府貸款,以及附帶條件的稅收優(yōu)惠政策。第一座工廠將于2025年上半年開始投產,該工廠采用4納米制程技術。第二座工廠采用最先進的2納米制程技術,其投產時間預
- 關鍵字: 臺積電 英偉達 Blackwell 芯片 聊天機器人
蘋果向臺積電訂購M5芯片 生產可能在2025年下半年開始
- The Elec一份新的韓語報道稱,隨著臺積電開始為未來的設備生產開發(fā)下一代處理器,蘋果已向臺積電訂購了M5芯片。M5系列預計將采用增強的ARM架構,據(jù)報道將使用臺積電先進的3納米工藝技術制造。蘋果決定放棄臺積電更先進的2納米,據(jù)信主要是出于成本考慮。盡管如此,M5將比M4有顯著的進步,特別是通過采用臺積電的集成芯片系統(tǒng)(SOIC)技術。與傳統(tǒng)的2D設計相比,這種3D芯片堆疊方法增強了散熱管理并減少了漏電。據(jù)稱,蘋果擴大了與臺積電在下一代混合SOIC封裝方面的合作,該封裝也結合了熱塑性碳纖維復合材料成型技
- 關鍵字: 蘋果 臺積電 M5芯片 處理器 ARM架構 3納米工藝
臺積電將推出新CoWoS封裝技術:打造手掌大小高端芯片
- 11月28日消息,據(jù)報道,臺積電(TSMC)在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(OIP)論壇上宣布,正在按計劃對其超大版本的CoWoS封裝技術進行認證。此項革新性技術核心亮點在于,它能夠支持多達9個光罩尺寸(Reticle Size)的中介層集成,并配備12個高性能的HBM4內存堆棧,專為滿足最嚴苛的性能需求而生。然而,超大版CoWoS封裝技術的實現(xiàn)之路并非坦途。具體而言,即便是5.5個光罩尺寸的配置,也需仰賴超過100 x 100毫米的基板面積,這一尺寸已逼近OAM 2.0標準尺寸的上限(102 x 165m
- 關鍵字: 臺積電 新CoWoS 封裝技術 手掌大小 高端芯片 SoIC
臺積電 1.6nm,2026 年量產
- 臺積電表示,先進工藝的開發(fā)正按路線圖推進,未來幾年基本保持不變。
- 關鍵字: 臺積電
臺積電2nm制程設計平臺準備就緒,預計明年末開始量產
- 在歐洲開放創(chuàng)新平臺(OIP)論壇上,臺積電表示電子設計自動化(EDA)工具和第三方IP模塊已為性能增強型N2P/N2X制程技術做好準備。目前,Cadence和Synopsys的所有主要工具以及Siemens EDA和Ansys的仿真和電遷移工具,都已經通過N2P工藝開發(fā)套件(PDK)版本0.9的認證,該版本PDK被認為足夠成熟。這意味著各種芯片設計廠商現(xiàn)在可以基于臺積電第二代2nm制程節(jié)點開發(fā)芯片。據(jù)悉,臺積電計劃在2025年末開始大規(guī)模量產N2工藝,同時A16工藝計劃在2026年末開始投產。臺積電N2系
- 關鍵字: 臺積電 2nm 制程 設計平臺
臺積電A16工藝將于2026年量產
- 近日,臺積電(TSMC)在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(OIP)論壇上宣布,準備在2025年末開始大規(guī)模量產N2工藝,同時A16(1.6nm級)工藝技術的首批芯片計劃在2026年末開始投產。臺積電表示,目前先進工藝的開發(fā)正在按路線圖推進,預計未來幾年基本保持不變。據(jù)悉,A16將結合臺積電的超級電軌(Super Power Rail)架構,也就是背部供電技術。可以在正面釋放出更多的布局空間,提升邏輯密度和效能,適用于具有復雜訊號及密集供電網(wǎng)絡的高性能計算(HPC)產品。相比于N2P工藝,A16在相同工作電壓下速度快了
- 關鍵字: 臺積電 N2工藝 A16
臺積電曾害慘英偉達!張忠謀昔赴美與黃仁勛和解內幕曝光
- 臺積電創(chuàng)辦人張忠謀在即將上市的自傳下冊透露,與大客戶英偉達曾因40納米初期生產問題,導致英偉達遭受嚴重損失,后來張忠謀親自飛往硅谷,與英偉達執(zhí)行長黃仁勛吃披薩晚餐,吃完飯后兩人到書房談話,張?zhí)岢錾蟽|美元的賠償金建議方案,成功化解兩公司的爭端。張忠謀自傳下冊將在11月29日上市,綜合媒體報導,天下文化提前曝光內容指出,其中有章節(jié)寫到張忠謀如何在2009年7月解決與英偉達的爭議細節(jié)。張忠謀透露,英偉達曾因臺積電40納米初期生產問題遭受嚴重損失,這項爭議是他重回臺積電擔任執(zhí)行長一年前就發(fā)生,但一直沒有解決。他在
- 關鍵字: 臺積電 英偉達
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