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消息稱三星和 SK 海力士達成合作，聯(lián)手推動 LPDDR6-PIM 內(nèi)存

  • 12 月 3 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 昨日報道，三星電子和 SK 海力士正在合作標準化 LPDDR6-PIM 內(nèi)存產(chǎn)品。該合作伙伴關系旨在加快專門用于人工智能（AI）的低功耗存儲器標準化。報道提到，兩家公司已經(jīng)確定，有必要建立聯(lián)盟，以使下一代存儲器符合這一趨勢。報道還稱，三星電子和 SK 海力士之間的合作尚處于早期階段，正在進行向聯(lián)合電子設備工程委員會（JEDEC）注冊標準化的初步工作。目前正在討論每一個需要標準化項目的適當規(guī)格?！?圖源三星PIM 內(nèi)存技術是一種將存儲和計
  • 關鍵字： 三星電子  SK 海力士  內(nèi)存  

消息稱 SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務規(guī)模，全力聚焦 HBM 等高利潤產(chǎn)品

  • 10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當?shù)貢r間昨日報道，SK 海力士正縮減 CIS （注：即 CMOS 圖像傳感器）等次要業(yè)務規(guī)模，全力聚焦高利潤產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長點。SK 海力士今年減少了對 CIS 業(yè)務的研發(fā)投資，同時月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓，不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場份額，SK 海力士僅以 4% 排在第六位，遠遠落后于競爭對手。同時，SK 海力
  • 關鍵字： SK 海力士  CIS  HBM  內(nèi)存  

SK 海力士：美股七大科技巨頭均表達定制 HBM 內(nèi)存意向

  • IT之家 8 月 20 日消息，據(jù)韓媒 MK 報道，SK 海力士負責 HBM 內(nèi)存業(yè)務的副總裁 Ryu Seong-soo 當?shù)貢r間昨日在 SK 集團 2024 年度利川論壇上表示，M7 科技巨頭都表達了希望 SK 海力士為其開發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注：M7 即 Magnificent 7，指美股七大科技巨頭蘋果、微軟、Alphabet（谷歌）、特斯拉、英偉達、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作，與 M7 企業(yè)進行電話溝通，并為滿足這些企業(yè)的需
  • 關鍵字： 海力士  HBM  內(nèi)存  

AI 驅(qū)動企業(yè)級 SSD 價格及需求暴漲，SK 海力士擴產(chǎn)應對

  • IT之家 8 月 20 日消息，受人工智能（AI）服務器需求激增影響，企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）的價格飆升了 80% 以上。為滿足市場需求，SK 海力士及其子公司 Solidigm 正加速擴產(chǎn) NAND 閃存。AI 熱潮持續(xù)升溫，不僅帶動了高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片需求，如今也正在推動企業(yè)級 SSD 市場快速增長。AI 服務器存儲的數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長，企業(yè)紛紛搶購大容量 SSD，甚至不惜高價確保供應。面對企業(yè)級 SSD 的旺盛需求，SK 海力士和 Solidigm 正優(yōu)先擴大采用四層單元（QLC）技
  • 關鍵字： AI  存儲  海力士  

因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價 15~20%

  • IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價 15%-20%。供應鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價主要是因為 HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。今年 6 月就有消息稱 DDR5 價格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預計價格會有所上漲?！?nbsp;SK 海力士 DDR5 DRAMIT之家今日早些時候還有報道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV
  • 關鍵字： 海力士  HBM  存儲  

三星工藝輸臺積電 還被海力士超越！芯片主管揭關鍵硬傷

  • 三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時，最后統(tǒng)計出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun） 在執(zhí)掌芯片事業(yè)的幾個月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問題，如果不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。全永鉉發(fā)備忘錄，警告員工必須改變職場文化，強調(diào)應停止隱瞞或回避問題，若不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。他直言，三星必須重建半導體特有的激烈辯論的文化，「如果我們依賴市場，沒恢復根本的競爭力，將陷入惡性循環(huán)，重蹈去年營運的困境?！谷歉偁帉κ諷K海力士（SK Hynix）在AI內(nèi)存領域追趕，
  • 關鍵字： 三星  臺積電  海力士  

SK 海力士加大環(huán)保投入，在芯片生產(chǎn)工藝中使用氟氣替代三氟化氮

  • 7 月 25 日消息，SK 海力士宣布將在芯片生產(chǎn)清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣（F2）。SK 海力士 2024 可持續(xù)發(fā)展報告顯示，該公司原先將三氟化氮（NF3）用于芯片生產(chǎn)過程中的清洗工藝，用于去除沉積過程中腔室內(nèi)部形成的殘留物，其全球變暖潛能值（GWP）顯著高于氟氣（NF3的 GWP 為 17200，而 F2為 0）。除此之外，SK 海力士還進一步增加了氫氟酸（HF）的使用量（可用于低溫蝕刻設備），該氣體的 GWP 為 1 甚至更低，遠低于過去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳氣體。
  • 關鍵字： SK  海力士  芯片  生產(chǎn)工藝  氟氣  三氟化氮  

SK海力士將在HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合技術

  • 《科創(chuàng)板日報》17日訊，SK海力士計劃于2026年在其HBM生產(chǎn)中采用混合鍵合，目前半導體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設備安裝在SK海力士的試驗工廠，用于測試混合鍵合工藝。混合鍵合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進行堆疊，并增加帶寬。
  • 關鍵字： SK  海力士  HBM  混合鍵合技術  

消息稱三星電子、SK 海力士分別考慮申請 5/3 萬億韓元低息貸款，擴張運營

  • IT之家 7 月 1 日消息，據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》報道，三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國產(chǎn)業(yè)銀行申請 5 萬億和 3 萬億韓元（IT之家備注：當前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣）低息貸款，用于業(yè)務擴張。韓國產(chǎn)業(yè)銀行由韓國政府全資控股，是韓國唯一的政策性金融機構，主要為韓國國家經(jīng)濟發(fā)展提供長期資金。韓國企劃和財政部此前公布了“半導體生態(tài)系統(tǒng)綜合支持計劃”。作為該計劃的一部分，韓國產(chǎn)業(yè)銀行將向半導體企業(yè)發(fā)放 17 萬億韓元低息貸款，其中大企業(yè)可獲得 0.8~1% 利率折讓，而中小
  • 關鍵字： 三星電子  SK 海力士  

通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關產(chǎn)線開工率維持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復蘇緩慢導致的
  • 關鍵字： DRAM  閃存  三星  海力士  

半導體后端工藝｜第七篇：晶圓級封裝工藝

  • 在本系列第六篇文章中，我們介紹了傳統(tǒng)封裝的組裝流程。本文將是接下來的兩篇文章中的第一集，重點介紹半導體封裝的另一種主要方法——晶圓級封裝(WLP)。本文將探討晶圓級封裝的五項基本工藝，包括：光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝、光刻膠去膠(PR Stripping)工藝和金屬刻蝕(Metal Etching)工藝。封裝完整晶圓晶圓級封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級封裝分為扇入型晶圓級芯片封裝（Fan-In WLCSP）和扇
  • 關鍵字： 海力士  封裝工藝  

SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

  • IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內(nèi)也不會
  • 關鍵字： 海力士  三星  DRAM  

AI硬件核心HBM，需求爆發(fā)增長

  • 2022年末，ChatGPT的面世無疑成為了引領AI浪潮的標志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無數(shù)大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過一浪。       在這波浪潮中，伴隨著人才、數(shù)據(jù)、算力的不斷升級，AI產(chǎn)業(yè)正展現(xiàn)出巨大的潛力和應用前景，并在多個領域展現(xiàn)出重要作用。AI的快速發(fā)展對算力的需求呈現(xiàn)井噴的態(tài)勢，全球算力規(guī)模超高速增長。在這場浪潮中，最大的受益者無疑是英偉達，其憑借在GPU領域的優(yōu)勢脫穎而出，然
  • 關鍵字： 三星  海力士  美光  HBM  

三大存儲原廠財報出爐！

  • 近期，三大存儲原廠陸續(xù)公布財報情況。西部數(shù)據(jù)：2024財年第三財季營收34.57億美元，同比增長23%。在Non-GAAP會計準則下，西部數(shù)據(jù)凈利潤為2.10億美元，上年同期凈虧損為4.35億美元，成功扭虧為盈。按業(yè)務劃分，西部數(shù)據(jù)該季云業(yè)務營收為15.53億美元，同比增長29%；客戶業(yè)務營收為11.74億美元，同比增長20%；消費者業(yè)務營收為7.30億美元，同比增長17%。按產(chǎn)品來看，西部數(shù)據(jù)NAND閃存營收達17.05億美元，HDD營收17.52億美元。展望下一季度，西部數(shù)據(jù)預計公司營收為36.0億-
  • 關鍵字： 美光  海力士  西部數(shù)據(jù)  

SK海力士發(fā)布2024財年第一季度財務報告

  • ·結(jié)合并收入為12.4296萬億韓元，營業(yè)利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元·第一季度收入創(chuàng)同期歷史新高，營業(yè)利潤創(chuàng)同期歷史第二高·由于eSSD銷量增加及價格上升，NAND閃存成功實現(xiàn)扭虧為盈·“憑借面向AI的存儲器頂尖競爭力，將持續(xù)改善公司業(yè)績”2024年4月25日，SK海力士發(fā)布截至2024年3月31日的2024財年第一季度財務報告。公司2024財年第一季度結(jié)合并收入為12.4296萬億韓元，營業(yè)利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元。2024財年第一季度營業(yè)利潤率為2
  • 關鍵字： 海力士  SK  財報  
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海力士介紹

海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價格操控與處份 200 [ 查看詳細 ]

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