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海力士半導(dǎo)體江蘇無錫廠停電4小時 半數(shù)晶圓報廢

  • 　　有消息傳出，韓國內(nèi)存芯片大廠海力士（Hynix）大陸江蘇無錫DRAM制造晶圓廠區(qū)21日下午不明原因停電超過四個小時，當?shù)卦庐a(chǎn)能10萬片的12英寸晶圓廠本月恐半數(shù)會晶圓會報廢，沖擊全球DRAM供給約1%。 　　由于目前正邁入旺季庫存補貨期，業(yè)界已開始憂心客戶端會出現(xiàn)恐慌性買盤進場，造成短期DRAM價格急拉。DRAM業(yè)者表示，以過去經(jīng)驗來看，雖然晶圓廠多有不斷電系統(tǒng)，但在停電的瞬間，仍無法滿足每一道制程所需的電力需求，尤其四個小時以上的停電，關(guān)鍵機臺都將停擺，原本在生產(chǎn)在線的晶圓都要報廢，損失相當大，若
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存儲器大廠意外頻發(fā)“穩(wěn)定”行業(yè)價格

  • 　　近期記憶體業(yè)者常幽默指出，以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動價格，一是每年1次的晶圓廠跳電事件，帶來的“自然減產(chǎn)機制”，使得上游供給減少，二是記憶體廠制程凸捶，導(dǎo)致的供給大減，尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴個人電腦(PC)的成長性，很難再出現(xiàn)需求大好的情況，只好想盡辦法讓供給減少，維持價格秩序。 　　意外事件＋制程出錯 穩(wěn)定價格的捷徑 　　2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠房意外電線走火，導(dǎo)致NAND Fla
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三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺灣廠商

  • 　　近期，三星和海力士(Hynix)面向臺灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競爭力的價格并逐步搶占市場，許多分析人士認為未來閃存市場或許將會出現(xiàn)另一番局面。 　　三星和海力士減少向臺灣內(nèi)存廠商的供貨量，是為了滿足蘋果這類國際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應(yīng)量，唯獨沒有對群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺灣企業(yè)開始考慮降低對大廠商產(chǎn)品的依賴。 　　一些臺灣內(nèi)存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購，
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傳華潤上華購首鋼NEC 首鋼或退出半導(dǎo)體業(yè)

  • 　　繼9月從無錫海力士-意法半導(dǎo)體手中接過8英寸生產(chǎn)線設(shè)備之后，芯片制造商無錫華潤上華科技有限公司(0597.HK，下稱華潤上華)再次出手。 　　記者近日從接近華潤集團高層的業(yè)內(nèi)人士處獲悉，華潤集團欲收購首都鋼鐵集團旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)公司——首鋼日電電子有限公司(以下簡稱“首鋼NEC”)的大部分股權(quán)，并將把這部分資產(chǎn)注入華潤控股的芯片制造企業(yè)華潤上華。 　　“收購價格還沒有最終確定?！鄙鲜鲋槿耸客嘎?，但是華潤上華有著強烈意愿，華潤集團也非常支持，目前華潤與首鋼NEC已達成初步交易意向。 　　首鋼NEC
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我國IC芯片生產(chǎn)線達50條 應(yīng)繼續(xù)鼓勵發(fā)展

  • 到2007年8月底，“十一五”規(guī)劃期的五年時間已過去了1/3，謹在此回顧一下這段時間內(nèi)我國IC芯片線建設(shè)的進展狀況。      2005年底，我國共有40條IC芯片線在運轉(zhuǎn)，其中有1條12英寸線，9條8英寸線，8條6英寸線，8條5英寸線，14條4英寸線。從2006年1月至2007年8月期間，我國建成投入運營11條IC芯片線，但由于原有的1條生產(chǎn)線停止運營，因此，凈增10條線，總計達到50條線。 經(jīng)統(tǒng)計，2006年1月至2007年8月期間投入運營的，計有1條
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海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi存儲技術(shù)授權(quán)

  • 海力士已經(jīng)同意在其動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來替代多個晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀70年代初發(fā)明DRAM來，基本DRAM位單元實現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場的機會。為確保這項優(yōu)勢，兩家公司已經(jīng)投入相當大的工程資源共同開發(fā)該項目。      Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內(nèi)存技術(shù)而應(yīng)用于邏輯芯片，如移動芯片組、微處
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海力士半導(dǎo)體擬投50億美元建造新廠提升產(chǎn)能

  • 26日, 韓國海力士半導(dǎo)體表示,計劃投資4.6萬億韓元(合約49.7億美元)建造新廠，并擴張現(xiàn)有生產(chǎn)線。 海力士為全球第二大動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)制造商。該公司在提交韓國證交所的文件中表示，將投資3.8兆韓元在國內(nèi)建造12寸晶圓新廠，并在2009年年中前完成投資。  該公司本季也將投資7920億韓元擴張并升級現(xiàn)有廠房。
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半導(dǎo)體制造大門向中國敞開？

  • 海力士與ST的合資晶圓制造廠終于落戶無錫，這座占地800余畝的新廠位于無錫新區(qū)，主要制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片。這個晶圓廠的一期工程總投資為20億美元，成為迄今為止我國單體投資最大的半導(dǎo)體項目，同時它也是無錫市政府引進的江蘇省最大的外商獨資項目，因此被無錫當?shù)氐膱蠹埛Q為“晶圓航母”。新工廠一投產(chǎn)運營，馬上就可以量產(chǎn)最先進的12英寸的70nm晶圓，而且未來４期項目的總投資額將有望超過１００億美元。 業(yè)界一些專家和權(quán)威人士也對這個項目普遍稱道，認為該項目將使中國和世界半導(dǎo)體頂尖技術(shù)的差距縮短５～１０
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2006年10月，無錫海力士意法半導(dǎo)體在無錫正式投產(chǎn)

  • 　　2006年10月，無錫海力士意法半導(dǎo)體在無錫正式投產(chǎn)。
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海力士與ST為合資存儲器芯片制造廠舉行落成典禮

  • 　　意法半導(dǎo)體公司和另一家大型半導(dǎo)體廠商海力士半導(dǎo)體為在中國江蘇省無錫市合資建立的存儲器芯片前端制造廠舉行了正式的開業(yè)典禮。中國地方及國家領(lǐng)導(dǎo)參加了開業(yè)典禮。          這個技術(shù)先進的新工廠將負責制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片，該合資公司是海力士與意法半導(dǎo)體成功合作的結(jié)晶。合資雙方將獲得規(guī)模經(jīng)濟帶來的巨大的經(jīng)濟效益，將能提前進入飛速增長的中國市場，在制造工藝和產(chǎn)品開發(fā)上實現(xiàn)優(yōu)勢互補。無錫晶圓制造廠將加快
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海力士2006年4月啟用無錫半導(dǎo)體廠

  •    海力士與意法半導(dǎo)體合資興建的江蘇無錫半導(dǎo)體廠，將在明年4月著手量產(chǎn)。      韓國業(yè)界相關(guān)人員近日指出，據(jù)傳海力士最快將在明年第一季底，最遲將在明年第二季初啟用無錫廠。無錫廠將以生產(chǎn)DRAM為主，NAND型閃存則將視市場需求彈性生產(chǎn)。      無錫廠區(qū)達16萬平方米，海力士計劃投入2兆韓元以上興建一座八吋晶圓廠與一座12吋晶圓廠。明年4月將啟用的為8吋晶圓廠，將采用9
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海力士介紹

海力士半導(dǎo)體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導(dǎo)體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。 價格操控與處份 200 [ 查看詳細 ]

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