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什么是dV/dt失效

  • 如下圖(2)所示,dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB,導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE,使寄生雙極晶體管導通,引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常,dV/dt越大(越陡),VBE的電位差就越大,寄生雙極晶體管越容易導通,從而越容易發(fā)生失效問題。本文的關(guān)鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。?dV/dt是單位時間內(nèi)的電壓變化量,VDS的上升坡度
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關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案

  •   王定良(電子科技大學 電子科學與工程學院,四川 成都 610054)  摘? 要:作為電機驅(qū)動電路的智能功率模塊(IPM)正變得越來越重要,但是越來越快的開關(guān)速度,可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外,過高的dV/dt也會在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型,完善傳統(tǒng)公式的推導?;趯脚cIGBT擎住現(xiàn)象的分析,并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu),改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性?! £P(guān)鍵詞:IGBT;
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電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響--DL/DT

  • 數(shù)字信號主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關(guān),而與傳播延遲、時鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無關(guān):信號傳播的整個路徑,包
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如何處理高di/dt負載瞬態(tài)(上)

  • 高 di/dt 負載需要仔細考慮旁路問題以保持電源動態(tài)穩(wěn)壓。表面貼裝電容需要非??拷撦d以最小化其互連電感。電容具有可能避免大量去耦的寄生電感。降低這一寄生電感的并聯(lián)電容是有效的,但互連和互感減弱了這一效果。使用具有更短電流通道的電容也是有效的。這可以用體積較小的部件或具有交流端接(其使用了更短的尺寸用于電流)的部件來實施。
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深度解讀阿里云六年成長歷程:向DT世界轉(zhuǎn)型

  •   6年前,云計算創(chuàng)業(yè)“無人喝彩”。6年后的今天,阿里云已成長為全球領(lǐng)先的云計算服務(wù)平臺,開始分享對于DT世界、云計算生態(tài)、數(shù)據(jù)保護以及未來核心技術(shù)等方向的判斷。   7月22日,首屆阿里云分享日×云棲大會北京峰會召開,吸引了海內(nèi)外2000余名開發(fā)者、創(chuàng)業(yè)者及生態(tài)伙伴參與。會上,阿里云集中發(fā)布了11款新產(chǎn)品、50多個行業(yè)解決方案;向企業(yè)級用戶開放互聯(lián)網(wǎng)架構(gòu)解決方案;首次披露云計算生態(tài)路線圖全貌;并面向行業(yè)率先發(fā)起數(shù)據(jù)保護倡議,明確數(shù)據(jù)歸屬客戶所有,平臺方不得移作它用。
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DT大蛋糕 蘋果能否分得一杯羹

  •   6月9日,據(jù)國外媒體報道,知情人士透露稱,蘋果公司正在建造高速網(wǎng)絡(luò),同時還在升級自己打造數(shù)據(jù)中心的方式,此舉旨在提升該公司在云領(lǐng)域的競爭實力,從而進一步與亞馬遜、谷歌和微軟等對手在云服務(wù)領(lǐng)域展開更好的競爭。   目前為止,蘋果主要依賴傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)供應商和技術(shù)供應商來支持該公司的消費者服務(wù),例如iTune音樂和電影服務(wù)、iCloud存儲圖片和其它內(nèi)容服務(wù)、以及Siri語音助手服務(wù)。未來一段時間,蘋果還將繼續(xù)依賴現(xiàn)有的多數(shù)服務(wù)和產(chǎn)品供應商,因而目前該公司也在積極尋求措施來提升自己當前的基礎(chǔ)設(shè)施。   據(jù)知
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阿里巴巴全球布局數(shù)據(jù)中心 謀DT時代戰(zhàn)略

  • 雖然聽起來挺厲害的,但是為什么支付寶在公元2015年5月27日被挖掘機一鏟子挖壞了呢,難道沒有容錯機制?阿里快長點心吧,千里之堤毀于蟻穴,大企業(yè)不能再遇到這種災難性的事故了。
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數(shù)位儀表設(shè)計-HY12P65簡化可攜式電量測量設(shè)計

  •   一、?前言  在可攜式電量測量設(shè)備中,常見有數(shù)位式復用電表(Digital?Multimeters)及夾式電流表(Clamp?Meter)。這些設(shè)備可用來測量出電量中的電壓及電流,電量訊號又可分成直流及交流,而交流部分再分為平均值及方均根(root?mean?square,?RMS)轉(zhuǎn)換量測。平均值轉(zhuǎn)換的電量測量設(shè)備并非真正測量方均根值,而是以正弦波交流信號,做信號平均值測量,校正所得到的量值。對于非正弦波而言,可能會有相當程度的誤差。因此很
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探索諾基亞無線充電支架DT-910的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

  • 日前曝光了諾基亞DT-910充電支架的拆機圖,請大家跟隨我的腳步去了解一下諾基亞這個旗艦產(chǎn)品的一級外配。...
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晶閘管燒壞的真實原因解析

  • 摘要:文中從專業(yè)的角度介紹了晶閘管在工作過程中燒壞的真實原因,解開了以往從表面現(xiàn)象而判斷晶閘管燒壞的誤區(qū)。
    關(guān)鍵詞:晶閘管;dv/dt;di/dt;開通時間;關(guān)斷時間

    晶閘管屬于硅元件,硅元件的普遍特性
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可控硅dIT/dt測試線路的設(shè)計與測量

  • 摘要:dIT/dt是衡量可控硅可靠性的一個重要參數(shù),過高的dIT/dt可能會導致可控硅損壞或失效,故設(shè)計一個能準確測量此參數(shù)的低成本線路顯得尤為關(guān)鍵。本文設(shè)計了一個簡潔的測量可控硅dIT/dt的測試電路,并介紹了它的測試原理與測試方法,且測量了市場上的BTA208-600B,得出了測試結(jié)果,與該產(chǎn)品說明書的值一致??蓱糜谘邪l(fā)可控硅的企事業(yè)單位和研究所測試可控硅。
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高電壓浪涌抑制器可確保電源浪涌期間的可靠操作

  • 在工業(yè)、汽車和航空電子應用中,經(jīng)常會遇到持續(xù)幾 μs 至幾百 ms 的高電壓電源尖峰。這些系統(tǒng)中的電子線路不僅必須安然承受瞬態(tài)電壓尖峰,而且在許多場合還需要在此過程中可靠地運作。在那些通過長導線供電的系統(tǒng)中,負載階躍 (負載電流的突然變化) 將產(chǎn)生嚴重的瞬變。
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電壓突變的影響--DV/DT以及電流突變的影響

  • 數(shù)字信號主要的頻率分量都位于它的轉(zhuǎn)折頻率以下。轉(zhuǎn)折頻率FKNEE與脈沖上升時間TR相關(guān),而與傳播延遲、時鐘速率或轉(zhuǎn)換頻率無關(guān): 信號傳播的整個路徑,包括器件封裝、電路板布局以及連接器等,如果要它們正確地分發(fā)轉(zhuǎn)
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超頻引擎實力爆發(fā) 精靈雷神DT深度拆解

  •   對于游戲玩家,一款游戲鼠標最重要的是舒適和適合;而對于發(fā)燒友來說,不把鼠標拆開來細細研究一下,不能滿足發(fā)燒友的好奇心。前些日子筆者獲得了一款精靈雷神DT游戲鼠標,其配備可調(diào)配重和宏編程鍵,采用可調(diào)DPI 100-5700MHz的SCGii超頻引擎。今天筆者耐不住好奇心,決定把雷神DT拆解來一探究竟。我們一起來看看這款游戲鼠標的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 ?   精靈雷神系列——精靈雷神系列產(chǎn)品是精靈專為游戲玩家設(shè)計的游戲外設(shè),該系列包括雷神K7、雷神K9、雷神M1等專業(yè)游戲鍵盤和
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高di/dt負載瞬態(tài)的電源及其分配系統(tǒng)設(shè)計

  • 就許多中央處理器(CPU)而言,規(guī)范要求電源必須能夠提供大而快速的充電輸出電流,特別是當處理器變換工作模式的時候。例如,在1V的系統(tǒng)中,100A/uS負載瞬態(tài)可能會要求將電源電壓穩(wěn)定在3%以內(nèi)。解決這一問題的關(guān)鍵就是
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dt介紹

 DT=DeskTop,臺式機,與其相對應的是NB(NoteBook,筆記本)。   DT=Drive Test,路測,移動通信術(shù)語,也稱驅(qū)車覆蓋測試,是通過驅(qū)車沿一定道路行駛時測量無線網(wǎng)絡(luò)性能的一種方法。在DT中模擬實際用戶,不斷的上傳或者下載不同大小的文件,通過測試軟件的統(tǒng)計分析,獲得網(wǎng)絡(luò)性能的一些指標。移動通信運營商為測試業(yè)務(wù)質(zhì)量,一般每年都會例行安排第三方專業(yè)測試公司對網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量進行DT測 [ 查看詳細 ]

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