海力士與ST為合資存儲(chǔ)器芯片制造廠舉行落成典禮
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這個(gè)技術(shù)先進(jìn)的新工廠將負(fù)責(zé)制造NAND閃存和DRAM存儲(chǔ)器芯片,該合資公司是海力士與意法半導(dǎo)體成功合作的結(jié)晶。合資雙方將獲得規(guī)模經(jīng)濟(jì)帶來的巨大的經(jīng)濟(jì)效益,將能提前進(jìn)入飛速增長(zhǎng)的中國市場(chǎng),在制造工藝和產(chǎn)品開發(fā)上實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。無錫晶圓制造廠將加快意法半導(dǎo)體在NAND閃存市場(chǎng)的前進(jìn)步伐,同時(shí)還將為嵌入式系統(tǒng)廠商提供能夠與閃存疊裝在一起的高性能的具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的DRAM芯片。新工廠將有助于擴(kuò)大海力士的12英寸生產(chǎn)線的產(chǎn)能,加強(qiáng)其在全球增長(zhǎng)速度最快的中國半導(dǎo)體市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位。海力士DRAM目前在中國的銷售量居第一位,據(jù)最新的iSupply資料顯示,市場(chǎng)份額約為47%。無錫工廠竣工后,海力士又增加了一個(gè)全球制造基地,該公司在美國俄勒岡尤金市還有一家全球制造基地。
兩家公司于2005年4月為新工廠舉行了奠基儀式,工廠占地面積550,000平方米,無塵潔凈室達(dá)到20,000平方米,8英寸和12英寸生產(chǎn)線分別于2006年7月和10月開始量產(chǎn)。目前 DRAM芯片采用 80nm、90nm和110nm制造工藝,90nm和110nm晶圓在8英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn), 80nm晶圓在12英寸生產(chǎn)線上生產(chǎn)。明年年中,兩條生產(chǎn)線除生產(chǎn)現(xiàn)有的DRAM外,還將開始生產(chǎn)工藝先進(jìn)的NAND閃存。在產(chǎn)能方面,8英寸生產(chǎn)線預(yù)計(jì)月產(chǎn)晶圓 50,000片,12英寸生產(chǎn)線的月產(chǎn)量將達(dá)到18,000片晶圓。雙方將根據(jù)市場(chǎng)情況分配產(chǎn)品和存儲(chǔ)器密度。
這個(gè)合資廠的總投資額為20億美元,意法半導(dǎo)體與海力士半導(dǎo)體的股份比例1/3:2/3,中國本地金融機(jī)構(gòu)和意法半導(dǎo)體還為合資公司提供了聯(lián)貸計(jì)劃。
該合資公司雇用大約2000名員工,絕大多數(shù)人來自本地勞動(dòng)力。從新工廠到上海是兩個(gè)小時(shí)的路程,工廠附近有大量的技術(shù)熟練的勞動(dòng)力,高度發(fā)達(dá)的配套基礎(chǔ)設(shè)施,以及巨大的擴(kuò)展空間。
“如果不與ST合作,沒有無錫市政府的支持,我們不可能建成無錫工廠。通過合資公司,海力士相信與ST和無錫市的合作關(guān)系將會(huì)得到進(jìn)一步加強(qiáng),新工廠有利于兩家公司各自的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展?!焙Aκ堪雽?dǎo)體公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官禹義濟(jì)表示,“我期望無錫工廠將成為海力士建立國際存儲(chǔ)器公司的立足點(diǎn)。”
市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli預(yù)計(jì)今年DRAM市場(chǎng)的增幅將達(dá)到24.4% ,營業(yè)收入將達(dá)到309億美元,2006年NAND市場(chǎng)增幅將會(huì)達(dá)到17% ,營業(yè)收入將達(dá)到126億美元。
中國是世界增長(zhǎng)最快的半導(dǎo)體市場(chǎng),目前中國市場(chǎng)占全球市場(chǎng)約15%。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè),中國在2008年前將會(huì)成為世界最大的半導(dǎo)體市場(chǎng),市場(chǎng)份額占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的四分之一以上。
評(píng)論