海力士 文章 進入海力士技術社區(qū)
韓結束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布,并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為,也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明,針對計算機記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結束。 2007年1月,F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調(diào)查,偵查是否有操縱價格的事實,之后已針對全球4家企業(yè)進行調(diào)查,其中2家位于韓國,另外2家分別在美國和日本,但FTC并未公布詳細的企業(yè)名單。 韓國快閃記
- 關鍵字: 海力士 NAND DRAM
韓國結束對閃存商反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)違法行為
- 韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價格或其他壟斷行為的證據(jù)。 該機構調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中,兩家位于韓國,其他位于美國和日本。不過公平交易委員會沒有點出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設備,包括數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機和手機。 根據(jù)三星電子和東芝的說法,今年8月,美國司法部也結束了這樣的調(diào)查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。 市場調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
- 關鍵字: 海力士 NAND 閃存芯片
從挫敗中站起 海力士重振的秘訣
- 不畏過往一年間金融風暴沖擊,南韓內(nèi)存大廠海力士(Hynix)在全球半導體市場的地位仍屹立不搖。2000年因資金不足,差點滅頂?shù)暮Aκ浚俅握宫F(xiàn)其在景氣低迷態(tài)勢中伺機而起的韌性,它重新站起的秘訣為何? 海力士2009年7~9月營收較前1季大幅成長26%;營業(yè)利益為2,090億韓元(約23億美元),交出暌違8季來首見由虧轉(zhuǎn)盈的漂亮成績單。 過去2年遭遇空前的半導體景氣低迷,但海力士仍將營收的10%拿來做研發(fā)。即便是景氣最差的2008年,海力士仍將營收的10.8%,約當6,990億韓元投入研發(fā)。
- 關鍵字: 海力士 內(nèi)存 44納米
海力士封裝項目通過發(fā)改委核準
- 11月8日從無錫新區(qū)獲悉,海力士集成電路封裝測試項目不久前獲得了國家發(fā)改委核準。據(jù)了解,該項目的順利實施對于完善無錫集成電路產(chǎn)業(yè)鏈,帶動相關上下游企業(yè)新發(fā)展具有重要意義。 作為2009年省、市的重點項目,由無錫太極實業(yè)股份有限公司和韓國海力士半導體株式會社合資設立的集成電路封裝測試項目,總投資達3.5億美元,是目前國內(nèi)規(guī)模最大、技術最先進的半導體后道封裝項目。此次,新區(qū)僅用了10天時間就獲得了國家發(fā)改委的一次性核準通過,確保了項目在明年3月份的正式投產(chǎn)。據(jù)介紹,屆時將形成月封裝集成電路芯片750
- 關鍵字: 海力士 集成電路 封裝測試
海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片
- 據(jù)報道,海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內(nèi)存芯片,新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種,并將會在本月開始投入量產(chǎn)。 此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓,但功耗降低了30%,號稱是目前主流1Gb DDR3市場上性能最高的內(nèi)存芯片。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計,1Gb DDR3內(nèi)存芯片的市場份額已經(jīng)達到了87%,更高密度的內(nèi)存芯片將在2011年成為市場上的主流。 根據(jù)海力士的介紹,數(shù)據(jù)中心、服務器、超級計算機或
- 關鍵字: 海力士 內(nèi)存芯片 54nm DDR3
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