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SK海力士開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤“PEB110 E1.S”
- 采用第五代PCIe,較上一代產(chǎn)品性能提高一倍,能效提升30%以上· 經(jīng)客戶驗證后,將于明年第二季度開始量產(chǎn)· 增強數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品組合,滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領域,同時在NAND閃存解決方案SSD產(chǎn)品領域,鞏固全球頂級面向AI的存儲器供應商領導者地位”2024年9月11日,SK海力士宣布,公司開發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤(SSD,Solid State Drive)產(chǎn)品“PEB110 E1.S”(以下簡稱 PEB110)。SK海力士表示:“隨著AI時代的全面到
- 關鍵字: SK海力士 數(shù)據(jù)中心 固態(tài)硬盤 PEB110 E1.S
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- 2024年8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5 DRAM。由此,公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調:“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳,微細工藝的難度也隨之加大,但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代(1b)技術力為基礎,提高了設計完成度,率先突破了技術極限。公司將在年內完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備,從明年開始供應產(chǎn)品,引領半導體存儲器市場發(fā)展?!惫疽?b DRAM
- 關鍵字: SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā),計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備,2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品,并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法,SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年,明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注:從代際發(fā)布間隔
- 關鍵字: SK海力士 內存 NAND
全球三大廠HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增
- AI應用熱!SK海力士、三星及美光等全球前三大內存廠,積極投入高帶寬內存(HBM)產(chǎn)能擴充計劃,市場人士估計,2025年新增投片量約27.6萬片,總產(chǎn)能拉高至54萬片,年增105%。 HBM是AI芯片占比最高的零組件,根據(jù)外媒拆解,英偉達H100近3,000美元成本,SK海力士HBM成本就占2,000美元,超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展,進入第四代HBM3和第五代HBM3E,AI芯片相繼采用HBM3E,SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場,而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
- 關鍵字: SK海力士 三星 美光 HBM
SK海力士開發(fā)面向AI PC的高性能固態(tài)硬盤‘PCB01’
- - SK海力士28日宣布,公司開發(fā)出用于端側(On-Device)AI* PC的業(yè)界最高性能固態(tài)硬盤(SSD,Solid State Drive)產(chǎn)品‘PCB01’。* 端側(On-Device)AI:在設備本身上實現(xiàn)AI運行,而非依賴物理分離的服務器進行計算。由于智能手機或PC等終端設備自行收集信息并進行計算,可提升AI功能的反應速度、加強用戶定制性AI服務功能。SK海力士表示:“公司業(yè)界率先將PCB01適用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技術,以顯著提升數(shù)據(jù)處理速度等性能。繼HBM等超高性能DR
- 關鍵字: SK海力士 AI PC 固態(tài)硬盤 PCB01
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達56.1%
- 6月25日消息,據(jù)媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,重磅發(fā)布了關于3D DRAM技術的最新研究成果,展示了其在該領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息,SK海力士在3D DRAM技術的研發(fā)上取得了顯著進展,并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元,其中超過一半(即561個)為良
- 關鍵字: SK海力士 3D DRAM
SK 海力士出席戴爾科技全球峰會,展示 PVC10 固態(tài)硬盤等存儲新品
- IT之家 5 月 22 日消息,在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上,SK 海力士帶來了多款存儲領域新品,涵蓋內存、固態(tài)硬盤品類。在消費級固態(tài)硬盤領域,SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格,支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格,可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率,IT之家無法確認 PVC10 的具體讀寫性能,預計將強于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級固態(tài)硬盤方面,SK 海力
- 關鍵字: SK海力士 固態(tài)硬盤 內存
三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年,DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內存向DDR5內存過渡,此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后,供應商普遍減少了DDR3內存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內存的市場需求量進一步減少,更多地被DDR4和DDR5內存所取代。據(jù)市場消息稱,全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內存,全力沖刺高帶寬內存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內存,很可能帶動DDR3內存的價格上漲,預計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3;而SK海力士則在去年
- 關鍵字: 三星 SK海力士 內存 DRAM HBM
消息稱 SK 海力士將為特斯拉代工生產(chǎn)電源管理芯片
- IT之家 5 月 16 日消息,韓國每日經(jīng)濟新聞報道稱,SK 海力士代工部門啟方半導體(SK Key Foundry)將于今年下半年開始為特斯拉生產(chǎn)電源管理(PMIC)芯片?!?圖源:SK Key Foundry業(yè)內人士表示,SK 啟方半導體計劃最早于 7 月在忠清北道清州工廠的 8 英寸晶圓廠生產(chǎn)電源管理芯片,并安裝在特斯拉電動汽車上。除了特斯拉之外,SK 啟方半導體還在汽車功率半導體領域與多個全球車企展開合作,近期還通過了博世、大陸集團等全球領先汽車零部件公司的生產(chǎn)質量審查。半導體
- 關鍵字: SK海力士
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