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EEPW首頁 >> 主題列表 >> sk海力士

2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析

  • 　　張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司 編輯，深圳 518000）　　摘? 要：預估2020年全球內(nèi)存市場的年成長率僅為12.2%，這個數(shù)字在年成長動輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標，資本支出也會減少?！　￡P鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光　　觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場供需格局以及價格走勢，在歷經(jīng)近5個季度的庫存調整后，2019年第4季 度DRAM市場仍處于微幅供過于求狀態(tài)，即便2020年 第1季度DRAM的
  • 關鍵字： 202002  內(nèi)存  DRAM  三星  SK海力士  美光  

海太半導體與SK海力士三期合作意向書在錫簽約

  • 日前，海太半導體與SK海力士三期合作意向書在錫簽約，無錫市副市長、高新區(qū)黨工委書記、新吳區(qū)委書記王進健，高新區(qū)黨工委副書記、管委會主任、新吳區(qū)委副書記、區(qū)長封曉春，區(qū)領導洪延煒、匡輝，區(qū)財政局、綜保區(qū)管理局、招商中心相關負責人、無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團董事局主席、黨委書記蔣國雄、太極實業(yè)副董事長、總經(jīng)理、黨委書記兼海太半導體董事長、總經(jīng)理孫鴻偉及其他海太半導體董監(jiān)高等領導出席活動。
  • 關鍵字： 海太半導體  SK海力士  無錫  

內(nèi)存跌價+AMD、Intel開打CPU“核戰(zhàn)” SK海力士哭著笑了

  • 2019年快過完了，PC市場最大的變化是什么？很顯然，AMD、Intel在CPU市場上的激烈競爭要畫上濃重的一筆，今年CPU市場引爆了核戰(zhàn)，雙方12核、16核乃至24核處理器不僅多了，而且價格也便宜了。CPU競爭導致高端CPU降價，這對PC行業(yè)來說是個好事，處理器越來越便宜，消費者購買欲望就提升了，買CPU就得買一套主機，內(nèi)存、SSD硬盤的需求也帶起來了。SK海力士在上周的財報會議中就指出，處理器市場的競爭使得消費者購買了更多的內(nèi)存及SSD硬盤，另外Win7即將停止支持也推動了企業(yè)級客戶的升級換代需求。就
  • 關鍵字： 英特爾  CPU處理器  SK海力士  

SK海力士宣布開發(fā)第三代1Znm內(nèi)存芯片

  • 近日，SK海力士今天宣布開發(fā)適用第三代1Z納米DDR4 DRAM，據(jù)稱，這款芯片實現(xiàn)了單一芯片標準內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。
  • 關鍵字： SK海力士  內(nèi)存  1Znm  

韓媒：SK海力士無錫廠已完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代日本產(chǎn)品

  • 據(jù)韓國《中央日報》報道，在日本政府限制向韓國出口氟化氫、光刻膠、含氟聚酰亞胺等尖端半導體材料后，SK海力士設在中國無錫的半導體工廠已經(jīng)完全使用中國生產(chǎn)的氟化氫取代了日本產(chǎn)品。
  • 關鍵字： SK海力士  氟化氫  三星  

美光、SK海力士和西部數(shù)據(jù)都減產(chǎn)存儲芯片，三星：我不減產(chǎn)

  • 據(jù)BusinessKorea報道，近日，美光科技、SK海力士和西部數(shù)據(jù)等內(nèi)存芯片制造商宣布，隨著全球需求的下降，他們將減產(chǎn)。相反，三星電子表示，它不會減少其內(nèi)存芯片產(chǎn)量，而是通過提高生產(chǎn)線的效率來應對不斷變化的市場環(huán)境。
  • 關鍵字： 美光  SK海力士  西部數(shù)據(jù)  三星  存儲芯片  

SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開賣

  • SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計劃下半年開始銷售。
  • 關鍵字： SK海力士  4D NAND  128層  

SK海力士全球首個量產(chǎn)128層堆疊4D閃存：沖擊176層

  • SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過去了八個月。SK海力士由此實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的閃存垂直堆疊密度，單顆芯片集成超過3600億個閃存單元，每一個可存儲3個比特位，為此SK海力士應用了一系列創(chuàng)新技術，比如超同類垂直蝕刻技術、高可靠性多層薄膜單元成型技術、超快低功耗電路技術，等等。同時，新的128層4D閃存單顆容量1Tb(128MB)，是業(yè)內(nèi)存儲密度最高的TLC閃存，每顆晶圓可生產(chǎn)的比特容量也比96層堆疊增加了40％。雖然包括SK
  • 關鍵字： SK海力士  

DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價逼近生產(chǎn)成本　跌勢趨緩訊號浮現(xiàn)

  • DRAM價格第2季大幅走跌，根據(jù)供應鏈透露，6月起DRAM顆粒現(xiàn)貨價格再度走跌，主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關卡。
  • 關鍵字： 三星電子  SK海力士  美光  南亞科  DRAM  

K Hynix出樣96層堆棧QLC閃存 16TB硬盤不是夢

  • NAND閃存價格從2018年初到現(xiàn)在已經(jīng)連跌6個季度了，廠商一方面在削減產(chǎn)能以控制供需情況，另一方面也在加強低成本的NAND閃存開發(fā)，今年就會開始從TLC閃存向QLC閃存轉變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存，號稱是首個4D NAND閃存，今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存，核心容量1Tbit。
  • 關鍵字： 閃存  SK海力士  QLC閃存  

三巨頭最后一家：SK海力士跨向1ynm內(nèi)存時代

  • SK海力士近日宣布，將在提高第一代10nm級工藝(1xnm) DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能的同時，今年下半年開始銷售基于第二代10nm級工藝(1ynm)的內(nèi)存芯片，并為下代內(nèi)存做好準備。
  • 關鍵字： 內(nèi)存  SK海力士  1ynm  

DRAM價格暴跌 韓國前景“一片烏云”

  • 　　根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報》報導，DRAM的價格接連下跌，零售的計算機用DRAM價格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預期要快許多，預計今年出口的前景也不樂觀?！　≡陧n國電子產(chǎn)品價格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點相比下跌了50.7%?！　2B(企業(yè)間交易)市場價格指標也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價格是比起今年1月
  • 關鍵字： DRAM  SK海力士  

存儲三巨頭流年不利：三星/SK海力士/美光收入將暴跌29％

  • 　　這兩年，DRAM內(nèi)存、NAND閃存市場跌宕起伏，也帶動內(nèi)存條、固態(tài)硬盤持續(xù)動蕩，而作為掌握核心芯片資源的三星電子、SK海力士、美光等巨頭，自然是賺得盆滿缽滿，甚至不惜刻意壓制產(chǎn)能來把控市場?！　〉菚r過境遷，整個市場風云突變，由于季節(jié)性因素、庫存積壓、價格走低等因素影響，三巨頭的日子越來越不好過了。　　根據(jù)DigiTimes的調研數(shù)據(jù)，2018年第四季度，三星電子、SK海力士、美光的內(nèi)存、閃存總收入同比大跌了26%，環(huán)比也減少了18%，其中內(nèi)存17%、閃存20%?！　∮捎诖鎯π酒瑑r格跌勢不斷，下游渠道
  • 關鍵字： 存儲  三星  SK海力士  美光  

SK海力士：DDR5內(nèi)存2020年推出，起步5200MHz

  • 近日，SK海力士負責人在接受采訪時表示，準備在2020年發(fā)布DDR5內(nèi)存條，頻率起步5200MHz，另外DDR6內(nèi)存也開始策劃了，將在5~6年內(nèi)研發(fā)。
  • 關鍵字： SK海力士  DDR5  

SK海力士首發(fā)標準DDR5內(nèi)存

  • 　　SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標準規(guī)范的DDR5。　　據(jù)介紹，新內(nèi)存采用SK海力士自家的1Ynm工藝制造，電壓是標準的1.1V，相比于DDR4 1.2V可節(jié)省30%的功耗，同時工作頻率高達5200MHz，相比于DDR4 3200MHz快了足有60%，帶寬也高達41.6GB/s，可以每秒傳輸11部全高清電影。SK海力士計劃2020年起量產(chǎn)這款新型DDR5內(nèi)存顆粒?！　∈姓{機構IDC的數(shù)據(jù)顯示，DDR5內(nèi)存需求將在20
  • 關鍵字： SK海力士  DDR5  
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