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韓國(guó)3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場(chǎng)

  • 　　市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)DRAMeXchange近日發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導(dǎo)體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過(guò)50%。 　　閃存是指在斷電情況下仍能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體，主要用于智能手機(jī)等移動(dòng)終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎(chǔ)上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
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東芝半導(dǎo)體最強(qiáng)買家：“日美同盟”浮出水面

  • 　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，圍繞東芝半導(dǎo)體計(jì)劃出售的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)，美國(guó)投資基金科爾伯格·克拉維斯(Kohlberg Kravis Roberts)和日本官民合資基金產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)將攜手參與招標(biāo)手續(xù)。由于《反壟斷法》等的制約較少且擁有豐富的資金實(shí)力，圍繞東芝潛力業(yè)務(wù)的招投標(biāo)預(yù)計(jì)以這兩家公司為核心推進(jìn)。現(xiàn)有投標(biāo)企業(yè)也在摸索合作，日美基金聯(lián)盟的凝聚力正在提高。二次招標(biāo)預(yù)計(jì)進(jìn)行到5月中旬，各公司的意圖仍處在相互交錯(cuò)的狀態(tài)。 　　“日美同盟”浮出水面 　　作為世界最大規(guī)模并購(gòu)基金的
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傳三星、SK海力士研發(fā)EMI屏蔽技術(shù)

  • 　　封測(cè)廠當(dāng)心!韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星電子和SK海力士，研發(fā)業(yè)界首見(jiàn)的涂布式(Spray)的“電磁波屏蔽”(EMIshielding)技術(shù)，打算自行吃下此一封裝程序，省下外包費(fèi)用。 　　韓媒Investor和etnews5日?qǐng)?bào)導(dǎo)，去年蘋果iPhone7芯片開(kāi)始采用電磁波屏蔽技術(shù)，當(dāng)時(shí)韓廠選擇把此一封裝程序外包。如今消息人士透露，三星電子和SK海力士都研發(fā)出涂布式技術(shù)，比傳統(tǒng)方法更有投資效益、成本也有優(yōu)勢(shì)，兩廠正在試產(chǎn)，預(yù)計(jì)6月起與產(chǎn)線整合。 　　不具名的內(nèi)情人士說(shuō)，韓廠克服困難，研
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韓國(guó)與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對(duì)專利紛爭(zhēng)

  • 　　大陸存儲(chǔ)器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地引起全球關(guān)注，韓國(guó)業(yè)界對(duì)此評(píng)估稱，韓國(guó)與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過(guò)去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團(tuán)隊(duì)中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)引述SK海力士?jī)?nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時(shí)還
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韓國(guó)與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對(duì)專利紛爭(zhēng)

  • 　　大陸存儲(chǔ)器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地引起全球關(guān)注，韓國(guó)業(yè)界對(duì)此評(píng)估稱，韓國(guó)與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過(guò)去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團(tuán)隊(duì)中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。 　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)引述SK海力士?jī)?nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時(shí)還
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薩德系統(tǒng)背后的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)：中韓互掐 誰(shuí)最受傷？

  • 很多人在朋友圈微信里轉(zhuǎn)發(fā)各種各樣的帖子，號(hào)召中國(guó)人不進(jìn)“韓國(guó)超市”，不用“韓國(guó)產(chǎn)品”?？墒钱?dāng)我們冷靜下來(lái)思考，限制韓國(guó)產(chǎn)品，對(duì)我們的行業(yè)影響究竟有多大，我們真能“男兒當(dāng)自強(qiáng)”嗎?我們應(yīng)該清醒地看到，中國(guó)雖然是后起之秀，但技術(shù)水平與世界先進(jìn)水平差距還很大。
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圖謀入主東芝半導(dǎo)體 SK海力士備重金

  • 　　SK海力士(SKHynix)入主東芝(Toshiba)半導(dǎo)體事業(yè)部的競(jìng)爭(zhēng)即將進(jìn)入白熱化，但規(guī)模上看26兆韓元(約228億美元)的鉅額投資計(jì)劃，是否能為SK海力士帶來(lái)1加1大于2的事業(yè)綜效，外界出現(xiàn)不同評(píng)價(jià)。 　　據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)導(dǎo)，東芝為了彌補(bǔ)核能事業(yè)虧損，日前已決定全數(shù)出售半導(dǎo)體事業(yè)部股份。業(yè)界推算，依照100%股份市價(jià)再加20～30%的經(jīng)營(yíng)權(quán)移轉(zhuǎn)貼水，總規(guī)模應(yīng)在24兆～26兆韓元之間，可望打破韓國(guó)購(gòu)并史上的最高紀(jì)錄。 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS的資料顯示，2016年SK海力士在全球DRAM
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東芝閃存事業(yè)搶手 SK海力士鴻海多組人馬搶親

  • 　　據(jù)報(bào)道，東芝計(jì)劃分拆半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，已引起包括南韓SK海力士及鴻海集團(tuán)、威騰多組人馬搶親，東芝的儲(chǔ)存型閃存事業(yè)這么搶手，是因?yàn)樗窃摴咀钯嶅X的部門，占總營(yíng)收僅15%，卻貢獻(xiàn)一半以上的獲利，成為大家相中的目標(biāo)。 　　但市場(chǎng)人士分析，不過(guò)因?yàn)闁|芝只開(kāi)放入股近二成，不是直接買斷，預(yù)料將以威騰出線的機(jī)會(huì)較高。 　　由于東芝的儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)加計(jì)合作伙伴威騰合計(jì)35%，僅次三星的36%，三星若參與，恐因市占過(guò)半涉及市場(chǎng)壟斷，因而參與機(jī)率不高。 　　日本東芝考慮分拆和出售旗下部分芯片事業(yè)的計(jì)
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傳SK海力士有意投資東芝新存儲(chǔ)器公司

  • 　　據(jù)報(bào)道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導(dǎo)體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強(qiáng)化NAND Flash布局。 　　韓媒BusinessKorea 24日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會(huì)投資東芝獨(dú)立出來(lái)的存儲(chǔ)器公司，取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場(chǎng)表現(xiàn)出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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三星SK海力士引領(lǐng)韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)利有望破256億美元

  • 　　據(jù)海外媒體報(bào)道，由三星電子及SK海力士領(lǐng)導(dǎo)的韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望首次挑戰(zhàn)營(yíng)業(yè)利益破256億美元(約30兆韓元)大關(guān)紀(jì)錄。 　　韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)可望在營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)下新紀(jì)錄，主要受惠于存儲(chǔ)器價(jià)格快速上揚(yáng)，以及在晶圓代工領(lǐng)域也可能持續(xù)增長(zhǎng)。因此，預(yù)估2017年幾乎是不費(fèi)吹灰之力，便可輕易超越了2015年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)利益的153億美元(約18兆韓元)，盡管當(dāng)年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于繁榮成長(zhǎng)階段。 　　據(jù)券商及半導(dǎo)體業(yè)預(yù)估，三星光是在2017年的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)利益，就可達(dá)179億~188億美元(約21兆~22兆韓元)左右。
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被三星/SK海力士夾擊 3D Xpoint成為美光的唯一希望

  • 　　眾所周知，美光在韓國(guó)雙雄三星和SK海力士的攻擊下，DRAM和Flash業(yè)務(wù)發(fā)展都不如預(yù)期，于是從早幾年開(kāi)始，這個(gè)美國(guó)存儲(chǔ)的僅存碩果之一就和Intel一起開(kāi)發(fā)3D Xpoint技術(shù)。這種新型的存儲(chǔ)技術(shù)將會(huì)在未來(lái)給Intel和美光帶來(lái)新的成長(zhǎng)激勵(lì)。 尤其是對(duì)美光來(lái)說(shuō)，在現(xiàn)狀和未來(lái)的表現(xiàn)都不夠好的環(huán)境下，這似乎是美光的最后救命稻草。 　　回顧存儲(chǔ)的發(fā)展歷程。3D Xpoint是自NAND Flash推出以來(lái)，最具突破性的一項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì)，3D Xpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者：
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SK海力士在集團(tuán)內(nèi)地位上升 加速汽車業(yè)務(wù)發(fā)展

  • 　　SK集團(tuán)(SK Group)日前發(fā)布定期人事異動(dòng)公告，SK海力士(SK Hynix)有多位高層獲得升遷，社長(zhǎng)樸星昱甚至?xí)x升為副會(huì)長(zhǎng)，顯示SK海力士在集團(tuán)內(nèi)的地位大幅上升。業(yè)界普遍認(rèn)為，這次人事調(diào)整意味SK集團(tuán)將以SK海力士為中心，加速發(fā)展汽車事業(yè)。據(jù)報(bào)導(dǎo)，SK集團(tuán)似乎有意將SK海力士調(diào)整為直屬于集團(tuán)的子公司，內(nèi)部正準(zhǔn)備將SK電信(SK Telecom;SKT)轉(zhuǎn)換為中間持股公司進(jìn)行結(jié)構(gòu)調(diào)整。加上SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源先前已宣示過(guò)公司應(yīng)盡快求新求變，跟上工業(yè)4.0(Industry 4.0)的潮流，SK海力
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SK海力士72層3D NAND存儲(chǔ)器，傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

  • 　　SK海力士最先進(jìn)72層3D NAND存儲(chǔ)器傳明年開(kāi)始量產(chǎn)，韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，SK海力士計(jì)劃于2017上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。 　　若按計(jì)劃進(jìn)行，SK海力士將成為全球第一個(gè)量產(chǎn)72層3D NAND的存儲(chǔ)器廠。為因應(yīng)市場(chǎng)需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國(guó)與中國(guó)兩地，投資3.15兆韓圜來(lái)增加DRAM與NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)能。 　　隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲(chǔ)器做突破，但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于
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嚴(yán)防技術(shù)泄露 DRAM三大廠向跳槽大陸員工發(fā)出警告信

  • 　　全球三大DRAM廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長(zhǎng)鑫、及為福建晉華負(fù)責(zé)研發(fā)的聯(lián)電核心成員，全力防堵DRAM技術(shù)流入中國(guó)大陸，讓全力發(fā)展自主DRAM研發(fā)的中國(guó)大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術(shù)人員，遭到空前恫嚇。 　　半導(dǎo)體人士透露，三大DRAM廠強(qiáng)力防止中國(guó)大陸藉挖角剽竊技術(shù)，顯示不樂(lè)見(jiàn)DRAM產(chǎn)業(yè)寡占局面被中國(guó)大陸全力搶進(jìn)而打破，三大廠采取法律制約員工跳槽的行動(dòng)，如果能奏效，將使DRAM供給缺口浮現(xiàn)問(wèn)題再擴(kuò)大，明年再現(xiàn)飆漲
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為滿足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠

  • 　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠，滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設(shè)計(jì)外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。   　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠需要超過(guò)2年，所以提前做好準(zhǔn)備。 　　SK海力士曾在20
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sk海力士介紹

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