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SK海力士今年成長(zhǎng)三大核心　20納米、M14新廠、3D NAND

  • 　　面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)，SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲(chǔ)器事業(yè)持續(xù)成長(zhǎng)，2015年將面臨三大課題：成功量產(chǎn)22納米DRAM、建構(gòu)利川M14新廠的量產(chǎn)系統(tǒng)，以及強(qiáng)化三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競(jìng)爭(zhēng)力。 　　根據(jù)韓媒E-Daily報(bào)導(dǎo)，SK海力士社長(zhǎng)樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會(huì)上表示，2015年下半初期將開始量產(chǎn)22納米DRAM，意即最快在7月SK海力士就會(huì)開始量產(chǎn)22納米DRAM。 　　SK海力士近2年業(yè)績(jī)屢創(chuàng)新高，主力產(chǎn)
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三星、SK海力士半導(dǎo)體獲利佳　今年可望更上層樓

  • 　　三星集團(tuán)(Samsung Group)和SK集團(tuán)(SK Group)正迅速拓展半導(dǎo)體事業(yè)領(lǐng)域。移動(dòng)裝置和煉油等主力事業(yè)成長(zhǎng)停滯不前，半導(dǎo)體事業(yè)儼然成為集團(tuán)金雞母。 　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)獨(dú)家對(duì)樂金電子(LG Electronics)供應(yīng)固態(tài)硬碟(SSD)，搭載在2015年1月上市的超輕量Ultrabook Gram 14上。Gram 14上市后較前一代產(chǎn)品銷售量提升約30%，SK海力士的SSD獲樂金熱門機(jī)種搭載，對(duì)SK海力士相對(duì)表現(xiàn)較不出色的NAND F
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)三國(guó)鼎立，由價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)走向品質(zhì)競(jìng)爭(zhēng)

  • 　　在合理的價(jià)格下，市場(chǎng)歡迎更高品質(zhì)的競(jìng)爭(zhēng)，這是市場(chǎng)規(guī)律。
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SK海力士沖刺先進(jìn)制程，20nm級(jí)DRAM最快七月量產(chǎn)

  • 　　SK 海力士 20日舉行股東會(huì)，社長(zhǎng)樸星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米級(jí)DRAM最快可能在今年7月邁入量產(chǎn)，將可在高階產(chǎn)品趕上三星與美光等競(jìng)爭(zhēng)者。 　　海力士目前最先進(jìn)的制程為25與29奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領(lǐng)域，且預(yù)估今年下半年，半數(shù)PC用記憶體都會(huì)以20奈米制程打造。 　　據(jù)科技網(wǎng)站kitguru.net報(bào)導(dǎo)，20奈米制程在300mm 晶圓上塞進(jìn)的晶粒數(shù)量較25奈米多三成，可降低每單位IC生產(chǎn)成本，并提高利潤(rùn)空間。隨著8GB DDR4記憶體時(shí)代來(lái)臨，
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SK海力士集中與選擇策略 聚焦三大領(lǐng)域

  • 　　SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細(xì)制程DRAM、三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬盤(SSD)等優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。較弱勢(shì)的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor;CIS)。 　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，日前SK海力士社長(zhǎng)樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績(jī)紀(jì)錄之際，反而在組織內(nèi)部強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識(shí)，透過員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時(shí)刻，應(yīng)透過強(qiáng)化根本競(jìng)爭(zhēng)
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SK海力士集中與選擇策略　聚焦三大領(lǐng)域

  • 　　SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細(xì)制程DRAM、三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬碟(SSD)等優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。較弱勢(shì)的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor;CIS)。 　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，日前SK海力士社長(zhǎng)樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績(jī)紀(jì)錄之際，反而在組織內(nèi)部強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識(shí)，透過員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時(shí)刻，應(yīng)透過強(qiáng)化根本競(jìng)爭(zhēng)
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存儲(chǔ)器結(jié)束削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)　迎向高品質(zhì)、高價(jià)位時(shí)代

  • 　　全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)上，三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)三強(qiáng)鼎立，讓價(jià)格趨于穩(wěn)定。而講究低功率技術(shù)與微細(xì)化制程的復(fù)合解決方案商品，則帶動(dòng)存儲(chǔ)器價(jià)格進(jìn)一步提升。專家表示，接下來(lái)將迎接高價(jià)、高品質(zhì)時(shí)代。 　　據(jù)韓媒Bridgenews報(bào)導(dǎo)，日本、臺(tái)灣、韓國(guó)等半導(dǎo)體業(yè)者，從2007~2012年間持續(xù)存儲(chǔ)器的削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)，即便存儲(chǔ)器價(jià)格慘跌仍不斷提高產(chǎn)量。過度競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果，讓德國(guó)DRAM業(yè)者奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)在2009年破產(chǎn)，2012年日本爾
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SK海力士著手研發(fā)次世代存儲(chǔ)器

  • 　　SK海力士(SK Hynix)將PCRAM(Phase-Change Random Access Memory)等次世代存儲(chǔ)器芯片列為新成長(zhǎng)動(dòng)能，2015年會(huì)先決定要將次世代產(chǎn)品應(yīng)用在何IT裝置上，以確定發(fā)展方向。 　　據(jù)南韓每日經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，SK海力士表示將PCRAM、STT-MRAM、ReRAM等列為次世代半導(dǎo)體。2015年將先明確訂定產(chǎn)品制造方向，再著手研發(fā)合適的制程技術(shù)。 　　所謂的次世代半導(dǎo)體，是指DRAM、NAND Flash所代表的存儲(chǔ)器芯片，在功率、容量等規(guī)格升級(jí)的半導(dǎo)體產(chǎn)品。SK海力
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三星、SK海力士相爭(zhēng)新一代iPhone DRAM訂單

  • 三星和SK海力士為爭(zhēng)奪新一代iPhone的DRAM訂單使盡渾身解數(shù)，憑借各自獨(dú)有優(yōu)勢(shì)均占領(lǐng)一席之地。
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SK海力士業(yè)績(jī)創(chuàng)新高　社長(zhǎng)仍強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識(shí)

  • 　　2011年底，SK集團(tuán)(SK Group)會(huì)長(zhǎng)崔泰源決定收購(gòu)SK海力士(SK Hynix)，成為SK集團(tuán)的核心關(guān)系企業(yè)。半導(dǎo)體大廠SK海力士社長(zhǎng)樸星昱2013年初接手社長(zhǎng)一職后，當(dāng)年就讓SK海力士轉(zhuǎn)虧為盈，創(chuàng)造獲利。 　　2014年SK海力士刷新1983年企業(yè)成立以來(lái)最高業(yè)績(jī)紀(jì)錄，營(yíng)收和營(yíng)業(yè)利益各突破17兆韓元(約154.8億美元)、5兆韓元。2015年投資計(jì)劃規(guī)模約5兆韓元，為有史以來(lái)新高。 　　然而，即使SK海力士創(chuàng)造出亮眼的成績(jī)，樸星昱對(duì)內(nèi)仍然呼吁應(yīng)抱持危機(jī)意識(shí)，2015年也以“
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SK業(yè)績(jī)創(chuàng)新高　社長(zhǎng)強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識(shí)

  • 　　SK海力士要在半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中存活，必須確保不遜色于三星和美光的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力。SK海力士高層亦表示，若沒有技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，就無(wú)法具備基本的競(jìng)爭(zhēng)力。
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追上三星！SK海力士量產(chǎn)DDR4、供貨LG G Flex 2

  • 　　SK海力士(SK hynix)追上記憶體龍頭三星電子(Samsung Electronics)進(jìn)度，9日宣布量產(chǎn)LPDDR 4，已經(jīng)供貨給LG電子(LG Electronics)的旗艦智慧機(jī)。 　　韓聯(lián)社9日?qǐng)?bào)導(dǎo)，SK海力士表示，該公司的8 gigabit LPDDR 4已經(jīng)用于LG 1月底開賣的曲型智慧機(jī)LG G Flex 2。LPDDR 4采用20奈米制程，數(shù)據(jù)處理速度為前代LPDDR 3的兩倍，能源效益也節(jié)省30%。 　　三星去年12月量產(chǎn)LPDDR 4，SK海力士只用兩個(gè)月就趕上三星，代表
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三星半導(dǎo)體 vs. SK海力士　誰(shuí)更會(huì)做生意？

  • 　　受惠于2014年DRAM市場(chǎng)好轉(zhuǎn)，南韓兩大半導(dǎo)體廠三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也創(chuàng)下了亮眼的成績(jī)。兩者相較，三星半導(dǎo)體部門雖然在營(yíng)收、營(yíng)利規(guī)模上贏過SK海力士，不過SK海力士營(yíng)利率表現(xiàn)則是優(yōu)于三星。 　　韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，三星半導(dǎo)體部門從2014年第3季開始，連2季取代了負(fù)責(zé)主力智能型手機(jī)事業(yè)的IM(Information technology & Mobile Communications)部門，拿下三星獲利金雞母頭銜。S
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今年DRAM整體跌幅有限 研調(diào)看好南亞科獲利

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷認(rèn)為，在需求面不弱、新一代產(chǎn)品DDR4與LPDDR4比重增加價(jià)格提升下，2015年DRAM整體跌幅有限，從各DRAM廠的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)來(lái)看，三星在各領(lǐng)域中制程轉(zhuǎn)進(jìn)進(jìn)度最快，成本下降比其他競(jìng)爭(zhēng)廠商明顯，臺(tái)系廠商部分，南亞科(2408-TW)轉(zhuǎn)型為利基型記憶體公司，仍將有不錯(cuò)的獲利空間。 　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，1月標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價(jià)格大部分還在議定當(dāng)中，目前看來(lái)月跌幅不超過6%
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SK海力士與美光制程慢 與三星差距拉大至兩年

  • 　　韓國(guó)業(yè)界高層向韓國(guó)時(shí)報(bào)透露，今年新訂單暢旺，芯片業(yè)者可望荷包滿滿，然而SK海力士制程發(fā)展較慢，若追上三星，今年下半或許會(huì)有新一波“懦夫博弈”(game of chicken)，意味業(yè)者可能會(huì)流血競(jìng)爭(zhēng)，擴(kuò)產(chǎn)搶市占。 　　相關(guān)人士說，三星電子添購(gòu)設(shè)備，生產(chǎn)更多服務(wù)器和計(jì)算解決方案用的DRAM，并擴(kuò)增第17線廠產(chǎn)能。據(jù)傳三星接獲大單，會(huì)增產(chǎn)企業(yè)服務(wù)器用的20納米內(nèi)存。業(yè)界高層說，不是所有內(nèi)存商都能開心度過今年，三星和SK海力士的制程技術(shù)拉大至兩年，可能會(huì)有新一輪的生存大戰(zhàn)。 　　
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sk海力士介紹

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