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SK海力士開(kāi)發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤(pán)“PEB110 E1.S”

  • 采用第五代PCIe，較上一代產(chǎn)品性能提高一倍，能效提升30%以上· 經(jīng)客戶驗(yàn)證后，將于明年第二季度開(kāi)始量產(chǎn)· 增強(qiáng)數(shù)據(jù)中心的SSD產(chǎn)品組合，滿足多樣化客戶需求· “不僅在HBM領(lǐng)域，同時(shí)在NAND閃存解決方案SSD產(chǎn)品領(lǐng)域，鞏固全球頂級(jí)面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商領(lǐng)導(dǎo)者地位”2024年9月11日，SK海力士宣布，公司開(kāi)發(fā)出適用于數(shù)據(jù)中心的高性能固態(tài)硬盤(pán)（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品“PEB110 E1.S”（以下簡(jiǎn)稱 PEB110）。SK海力士表示：“隨著AI時(shí)代的全面到
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SK海力士成功開(kāi)發(fā)出全球首款第六代10納米級(jí)DDR5 DRAM

  • 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開(kāi)發(fā)出采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細(xì)化存儲(chǔ)工藝技術(shù)。SK海力士強(qiáng)調(diào)：“隨著10納米級(jí)DRAM技術(shù)的世代相傳，微細(xì)工藝的難度也隨之加大，但公司以通過(guò)業(yè)界最高性能得到認(rèn)可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計(jì)完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準(zhǔn)備，從明年開(kāi)始供應(yīng)產(chǎn)品，引領(lǐng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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自動(dòng)駕駛汽車公司W(wǎng)aymo已搭載SK海力士HBM2E

  • 8月15日消息，日前，SK海力士副總裁Kang Wook-seong透露，公司已經(jīng)開(kāi)始將HBM引入汽車半導(dǎo)體，Waymo已搭載SK海力士的HBM2E。Kang Wook-seong表示，目前，汽車DRAM半導(dǎo)體正在從LPDDR 4轉(zhuǎn)向LPDDR 5，HBM最快三年內(nèi)、最遲五年內(nèi)將成為主流。他預(yù)測(cè)表示，當(dāng)自動(dòng)駕駛L3、L4級(jí)普及時(shí)，對(duì)HBM的需求將迅速增加，更高的計(jì)算能力對(duì)于L2.5級(jí)或更高級(jí)別的自動(dòng)駕駛至關(guān)重要，HBM3在一塊芯片上每秒計(jì)算1TB，能夠滿足要求。根據(jù)外媒報(bào)道，SK海力士已向上游設(shè)備企業(yè)訂購(gòu)
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三星8層堆疊HBM3E已通過(guò)英偉達(dá)所有測(cè)試，預(yù)計(jì)今年底開(kāi)始交付

  • 三星去年10月就向英偉達(dá)提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過(guò)一直沒(méi)有通過(guò)英偉達(dá)的測(cè)試。此前有報(bào)道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會(huì)獲得認(rèn)證，將在2024年第三季度開(kāi)始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報(bào)道，三星的HBM3E終于通過(guò)了英偉達(dá)的所有測(cè)試項(xiàng)目，這將有利于其與SK海力士和美光爭(zhēng)奪英偉達(dá)計(jì)算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒(méi)有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問(wèn)題不大，預(yù)計(jì)今年底開(kāi)始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

  • IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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消息稱 SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

  • IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤(pán)子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購(gòu)英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購(gòu)第一階段后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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全球三大廠HBM沖擴(kuò)產(chǎn) 明年倍增

  • AI應(yīng)用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃，市場(chǎng)人士估計(jì)，2025年新增投片量約27.6萬(wàn)片，總產(chǎn)能拉高至54萬(wàn)片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達(dá)H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過(guò)生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進(jìn)入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場(chǎng)，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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SK海力士砸750億美元 力拚AI

  • 韓國(guó)SK集團(tuán)30日宣布，旗下內(nèi)存制造商SK海力士將在2028年前投資103兆韓元（約750億美元）強(qiáng)化芯片事業(yè)，尤其將著重AI發(fā)展。SK集團(tuán)日前剛結(jié)束為期兩天的策略會(huì)議，并于會(huì)后宣布全力發(fā)展AI價(jià)值鏈，將SK海力士的技術(shù)應(yīng)用在高帶寬內(nèi)存芯片（HBM）、AI數(shù)據(jù)中心及AI語(yǔ)音助理等領(lǐng)域。SK集團(tuán)指出，上述103兆韓元當(dāng)中將有80％，也就是大約82兆韓元（約600億美元）投入發(fā)展HBM。 HBM廣泛應(yīng)用在生成式AI芯片組，且SK海力士目前是輝達(dá)的HBM3獨(dú)家芯片供貨商。今年第一季SK海力士營(yíng)收年增超過(guò)1倍至1
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SK海力士開(kāi)發(fā)面向AI PC的高性能固態(tài)硬盤(pán)‘PCB01’

  • - SK海力士28日宣布，公司開(kāi)發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI* PC的業(yè)界最高性能固態(tài)硬盤(pán)（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品‘PCB01’。* 端側(cè)（On-Device）AI：在設(shè)備本身上實(shí)現(xiàn)AI運(yùn)行，而非依賴物理分離的服務(wù)器進(jìn)行計(jì)算。由于智能手機(jī)或PC等終端設(shè)備自行收集信息并進(jìn)行計(jì)算，可提升AI功能的反應(yīng)速度、加強(qiáng)用戶定制性AI服務(wù)功能。SK海力士表示：“公司業(yè)界率先將PCB01適用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技術(shù)，以顯著提升數(shù)據(jù)處理速度等性能。繼HBM等超高性能DR
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達(dá)56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士在近期于美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實(shí)力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進(jìn)展，并首次詳細(xì)公布了其開(kāi)發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開(kāi)發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個(gè)測(cè)試晶圓上，能夠成功制造出約1000個(gè)3D DRAM單元，其中超過(guò)一半（即561個(gè)）為良
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美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制裁下：韓國(guó)最杯具 半導(dǎo)體設(shè)備賣不出庫(kù)存積壓嚴(yán)重

  • 6月25日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，自從美國(guó)對(duì)中國(guó)實(shí)施半導(dǎo)體領(lǐng)域制裁以來(lái)，韓國(guó)最難受，因?yàn)槠浒雽?dǎo)體舊設(shè)備庫(kù)存積壓嚴(yán)重。韓國(guó)半導(dǎo)體舊設(shè)備庫(kù)存積壓嚴(yán)重，倉(cāng)儲(chǔ)成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會(huì)進(jìn)行一次全面清理，售賣來(lái)自美國(guó)和歐洲的舊設(shè)備，以換取數(shù)億美元現(xiàn)金。自2022年10月起美國(guó)開(kāi)始限制對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口（包括二手設(shè)備）以來(lái)，韓國(guó)半導(dǎo)體制造商已將大部分舊設(shè)備放在倉(cāng)庫(kù)中。在美國(guó)的壓力下，三星僅向中國(guó)出售較舊的、更容易制造的后段工藝設(shè)備，但不出售前段工藝設(shè)備；SK海力士同樣不出售來(lái)自美國(guó)、歐洲的舊的前段
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整合計(jì)算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案

  • IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計(jì)劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能，從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個(gè)新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存，嘗試推出可以整合計(jì)算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器等多種功能的 HBM 類型，進(jìn)一步提高能效和信號(hào)傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報(bào)道，該方案目前依然停留在概念階段，不過(guò) SK 海力士已經(jīng)著手設(shè)計(jì)相關(guān) IP 朝著這個(gè)目標(biāo)邁進(jìn)。SK 海力士計(jì)劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器置于其 HBM 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)芯片上，賦予第
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SK 海力士出席戴爾科技全球峰會(huì)，展示 PVC10 固態(tài)硬盤(pán)等存儲(chǔ)新品

  • IT之家 5 月 22 日消息，在北京時(shí)間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會(huì)上，SK 海力士帶來(lái)了多款存儲(chǔ)領(lǐng)域新品，涵蓋內(nèi)存、固態(tài)硬盤(pán)品類。在消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)領(lǐng)域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤(pán)。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無(wú)法確認(rèn) PVC10 的具體讀寫(xiě)性能，預(yù)計(jì)將強(qiáng)于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)方面，SK 海力
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

  • 近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過(guò)渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫(kù)存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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消息稱 SK 海力士將為特斯拉代工生產(chǎn)電源管理芯片

  • IT之家 5 月 16 日消息，韓國(guó)每日經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道稱，SK 海力士代工部門啟方半導(dǎo)體（SK Key Foundry）將于今年下半年開(kāi)始為特斯拉生產(chǎn)電源管理（PMIC）芯片?！?圖源：SK Key Foundry業(yè)內(nèi)人士表示，SK 啟方半導(dǎo)體計(jì)劃最早于 7 月在忠清北道清州工廠的 8 英寸晶圓廠生產(chǎn)電源管理芯片，并安裝在特斯拉電動(dòng)汽車上。除了特斯拉之外，SK 啟方半導(dǎo)體還在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域與多個(gè)全球車企展開(kāi)合作，近期還通過(guò)了博世、大陸集團(tuán)等全球領(lǐng)先汽車零部件公司的生產(chǎn)質(zhì)量審查。半導(dǎo)體
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sk海力士介紹

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