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三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達(dá)所有測(cè)試,預(yù)計(jì)今年底開始交付

作者: 時(shí)間:2024-08-09 來源:超能網(wǎng) 收藏

去年10月就向提供了8層垂直堆疊的(24GB)樣品,不過一直沒有通過的測(cè)試。此前有報(bào)道稱,已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到,很快會(huì)獲得認(rèn)證,將在2024年第三季度開始發(fā)貨。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202408/461826.htm

據(jù)The Japan Times報(bào)道,終于通過了的所有測(cè)試項(xiàng)目,這將有利于其與和美光爭(zhēng)奪英偉達(dá)計(jì)算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議,但是問題不大,預(yù)計(jì)今年底開始交付。

值得一提的是,三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E(32GB)樣品,正在努力通過英偉達(dá)的驗(yàn)證測(cè)試。有行業(yè)專業(yè)指出,也準(zhǔn)備了12層垂直堆疊的HBM3E產(chǎn)品,三星總體進(jìn)度上仍然要落后一些。一直是英偉達(dá)主要的HBM產(chǎn)品供應(yīng)商,而美光之前已開始向英偉達(dá)供應(yīng)HBM3E芯片,逐漸提升了市場(chǎng)占有率。

隨著人工智能()市場(chǎng)的快速增長(zhǎng),HBM技術(shù)通過垂直堆疊多個(gè)DRAM芯片來顯著提高數(shù)據(jù)處理速度,已經(jīng)變得越來越重要。隨著三星的HBM3E開始通過英偉達(dá)的驗(yàn)證,預(yù)計(jì)至少20%到30%的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到HBM產(chǎn)品,這將進(jìn)一步收縮普通DRAM芯片的供應(yīng),很可能會(huì)推動(dòng)DDR5內(nèi)存價(jià)格上漲。



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