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EEPW首頁 >> 主題列表 >> sk海力士

展望存儲后市,三星、SK海力士與美光這樣看待

  • 受經(jīng)濟逆風、消費電子需求低迷、存儲芯片價格下跌等因素影響,存儲大廠普遍業(yè)績承壓,三星電子公布的最新財報同樣如此。三星存儲業(yè)務(wù)下滑,DRAM、NAND Flash表現(xiàn)不同4月27日,三星電子公布 2023 年第一季度的財報。一季度三星營業(yè)收入為 63.7 萬億韓元,同比下降 18%;營業(yè)利潤為6400億韓元,同比下降95%。該季三星DS部門業(yè)務(wù)收入13.73萬億韓元,同比下滑49%,環(huán)比下降32%。其中存儲業(yè)務(wù)部門收入8.92萬億韓元,同比下降56%,環(huán)比下跌27%。三星表示,存儲器業(yè)務(wù)的業(yè)績與上一季度相比
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SK海力士開發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

  • 2023年4月20日, SK海力士宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內(nèi)存)——HBM3*的技術(shù)界限,全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片,成功開發(fā)出最高容量24GB(Gigabyte,千兆字節(jié))**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品,并正在接受客戶公司的性能驗證。SK海力士強調(diào)“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后,又成功開發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品?!?“最近隨著人工智能聊天機器人(AI Chatbot)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,高端存儲器需求也隨之增長,公司將從今年下半年起將其推向市場,以滿足
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AI服務(wù)器需求帶動HBM供應(yīng)

  • AI服務(wù)器出貨動能強勁帶動HBM(high bandwidth memory)需求提升,據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士(SK hynix)50%、三星(Samsung)約40%、美光(Micron)約10%。此外,高階深度學習AI GPU的規(guī)格也刺激HBM產(chǎn)品更迭,2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD MI300的搭載,三大原廠也已規(guī)劃相對應(yīng)規(guī)格HBM3的量產(chǎn)。因此,在今年將有更多客戶導入HBM3的預期下,SK海力士作為目
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SK海力士與Rambus延長全面專利許可協(xié)議10年

  • 當?shù)貢r間4月4日,Rambus宣布,與SK海力士的全面專利許可協(xié)議延長10年。據(jù)悉,該延長的協(xié)議將于2024年7月1日生效,保持類似的財務(wù)條款,在2034年中期之前SK海力士可以廣泛使用完整的Rambus專利組合。資料顯示,Rambus是一家知名的芯片IP和芯片提供商,成立于1990年。Rambus創(chuàng)建之初便致力于高端存儲產(chǎn)品的研究與開發(fā),擁有數(shù)千項專利。2013年,SK海力士和Rambus簽訂了一個為期5年的專利授權(quán)協(xié)議,SK海力士向Rambus支付2.4億美元的專利授權(quán)費,按照每季度1200萬美元的方
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美國允許 韓國芯片雙雄松了一口氣

  • 韓國貿(mào)易部周三表示,即使在華盛頓提議的旨在防止美國補貼在中國使用的規(guī)則實施之后,但三星電子和 SK 海力士將能夠維護和升級其在中國的制造設(shè)施——盡管幅度很小。美國商務(wù)部周二宣布,將限制《芯片與科學法案》資金的接受者在包括中國和俄羅斯在內(nèi)的“相關(guān)國家”投資擴大半導體制造。   但該限制并非完全禁止在中國投資,因為該部門允許接受公司將先進芯片的產(chǎn)能擴大 5%,將采用相對較舊制造工藝生產(chǎn)的芯片產(chǎn)能擴大 10%。   貿(mào)易、工業(yè)和能源部在審查了所謂的芯片護欄細節(jié)和去年通過的
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存儲大廠展示300層NAND Flash,預計最快2024年問世

  • 近日,在第70屆IEEE國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上,韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內(nèi)上市,有望打破紀錄。外媒報導,SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
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存儲芯片價格較去年峰值腰斬 SK海力士錄得史上最大季度虧損

  • 由于存儲芯片價格暴跌,韓國芯片制造巨頭、蘋果供應(yīng)商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了有史以來最大的季度虧損。該公司仍堅持將今年資本支出減半的計劃。財聯(lián)社2月1日訊(編輯 卞純)由于存儲芯片價格暴跌,韓國芯片制造巨頭、蘋果供應(yīng)商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了有史以來最大的季度虧損。該公司仍堅持將今年資本支出減半的計劃。海力士公布,在截至去年12月的三個月,營收下降38%,運營虧損1.7萬億韓元(合14億美元)。分析師的平均預期是虧損1.1萬億韓元。存儲芯片價格已經(jīng)較202
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SK海力士副會長樸正浩與高通CEO在CES 2023舉行會談, 探討加強半導體業(yè)務(wù)合作

  •  ·  副會長樸正浩會見高通公司高層,廣泛探討合作機會·  SK海力士將繼續(xù)尋求與全球科技企業(yè)跨地域、跨行業(yè)展開合作 韓國首爾,2023年1月6日 – SK海力士今日宣布,SK海力士副會長兼聯(lián)合CEO樸正浩在美國拉斯維加斯CES 2023開幕前一天與高通公司舉行會談探討加強合作。1月4日(美國時間),樸正浩副會長與SK海力士社長兼聯(lián)合CEO郭魯正及其他高層領(lǐng)導,與高通公司總裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯維加斯舉行了會談。雙方高層就眾多話題展開討
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SSD跌成白菜價 三星急忙出手:閃存逆市漲價10%

  • 2022年內(nèi)存及閃存兩種存儲芯片的價格一直在下滑,以致于SSD硬盤跌成白菜價了,2TB不到700元,但是這樣的價格也讓閃存廠商很難受,三星已經(jīng)開始出手逆轉(zhuǎn)價格,12月份閃存漲價10%。據(jù)電子時報援引供應(yīng)鏈消息,雖然市場需求低迷,但三星12月上半月依舊選擇上調(diào)NAND閃存價格,其中3D NAND閃存價格漲幅高達10%。三星是全球第一大閃存供應(yīng)商,Q2季度的銷售額59.8億美元,環(huán)比下滑5.4%,所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%,依然遙遙領(lǐng)先其他廠商。a收購Intel閃存業(yè)務(wù)之后,SK海力士成立了
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存:超越DDR5-4800 80%!

  • SK海力士宣布,已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存, 起步速率就可以達到8Gbps,相比于標準的DDR5-4800快了多達80% ,也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā),面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”,多路復用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù),通過在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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業(yè)界最快:SK 海力士開發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內(nèi)存模組

  • IT之家 12 月 8 日消息,SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布,成功開發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品,這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達 8Gbps,較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱,該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度,但 SK 海力士工程師在開發(fā)該產(chǎn)品時另辟蹊徑,提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯
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1TB降到100元可期!SSD還要降價 原廠顆粒賣不動:內(nèi)存閃存市場價繼續(xù)走跌

  • 很顯然內(nèi)存市場的需求依然很淡,不少消費者依然沒有出手,當然還是覺得廠商能繼續(xù)降價。調(diào)研機構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報告,表明目前DRAM現(xiàn)貨報價仍在保持下跌的趨勢,主要買家對未來皆抱持跌價心態(tài),整體市況仍因大環(huán)境因素影響價格難以止跌。具體來說:DDR4 1Gx8 2666/3200 部分,SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價在 1.95~2.00 美元左右;三星WC-BCWE報價下調(diào)至 2.08~2.10 美元,WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
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速度優(yōu)勢是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵

  • 高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)是一種可以實現(xiàn)高帶寬的高附加值DRAM產(chǎn)品,適用于超級計算機、AI加速器等對性能要求較高的計算系統(tǒng)。隨著計算技術(shù)的發(fā)展,機器學習的應(yīng)用日漸廣泛,而機器學習的基礎(chǔ)是自20世紀80年代以來一直作為研究熱點的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。作為速度最快的DRAM產(chǎn)品,HBM在克服計算技術(shù)的局限性方面發(fā)揮著關(guān)鍵的作用。HBM的高帶寬離不開各種基礎(chǔ)技術(shù)和先進設(shè)計工藝的支持。由于HBM是在3D結(jié)構(gòu)中將一個邏輯die與4-16個DRAM die堆疊在一起,因此開發(fā)過
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韓國芯片出口暴降30%!SSD腰斬白菜價甩賣:SK海力士、三星虧到家

  • 作為韓國的重要支柱,芯片出口的多少,直接關(guān)系著幾大財團的營收,比如三星、SK海力士等等。據(jù)國外媒體報道,消費電子產(chǎn)品需求下滑,導致對芯片的需求下滑,尤其是存儲芯片,需求與價格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示,在11月份的前20天,韓國芯片出口52.8億美元,同比下滑 29.4%。除了芯片,韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動設(shè)備,但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額,也同比下滑20.6%,降至13.6億美元。比較有標志性的一個現(xiàn)象是,全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了,至少在3000萬部,這也
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SK海力士全球首次在移動端DRAM制造上采用HKMG工藝

  • Warning: file_get_contents(): php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2013 Warning: file_get_contents(https://img.dramx.co
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