SK 海力士、三星電子:整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存
IT之家 5 月 14 日消息,據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道,兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時(shí)表示,整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/202405/458725.htm相較于通用 DRAM,HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià),不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因,對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。
正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下,三星電子代表預(yù)計(jì),不僅 HBM 內(nèi)存,通用 DRAM(如標(biāo)準(zhǔn) DDR5)的價(jià)格年內(nèi)也不會下降。
SK 海力士再次確認(rèn),根據(jù)截至今年底的生產(chǎn)能力,目前該企業(yè)已經(jīng)完成了對 2025 年 HBM 內(nèi)存產(chǎn)能的分配;
三星電子方面則稱自身 HBM 訂單情況和對手大致相同,也已售罄,并預(yù)估明年不會出現(xiàn) HBM 內(nèi)存供過于求的情況。
三星電子代表確認(rèn)該公司 HBM4 內(nèi)存計(jì)劃于明年完成開發(fā),2026 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并表示三星電子計(jì)劃在 HBM4 內(nèi)存中開始應(yīng)用混合鍵合。
IT之家稍早前的報(bào)道中提到,SK 海力士認(rèn)為其在 HBM4 上就應(yīng)用混合鍵合的可能性不大,持有同三星電子不一致的觀點(diǎn)。
此外,兩家企業(yè)均對企業(yè)級固態(tài)硬盤市場持樂觀態(tài)度,三星電子方面的代表認(rèn)為相關(guān)需求的增長將是長期趨勢。
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