因 HBM3/3E 內(nèi)存產(chǎn)能擠占，SK 海力士 DDR5 被曝漲價(jià) 15~20%

IT之家 8 月 13 日消息，華爾街見聞報(bào)道稱，SK 海力士已將其 DDR5 DRAM 芯片提價(jià) 15%-20%。供應(yīng)鏈人士稱，海力士 DDR5 漲價(jià)主要是因?yàn)?HBM3/3E 產(chǎn)能擠占。

今年 6 月就有消息稱 DDR5 價(jià)格在今年有著 10%-20% 上漲空間：各大廠商已為 2024 年 DDR5 芯片分配產(chǎn)能，這表明價(jià)格已經(jīng)不太可能下降；再加上下半年是傳統(tǒng)旺季，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)有所上漲。

▲ SK 海力士 DDR5 DRAM

IT之家今日早些時(shí)候還有報(bào)道，SK 海力士等三大原廠采用 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即將在 2024~2025 年推出。而從下代 1d nm 節(jié)點(diǎn)開始，先進(jìn)內(nèi)存將使用 EUV 多重曝光，大幅提升生產(chǎn)流程中 EUV 光刻環(huán)節(jié)的成本。