新聞中心

EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 三星工藝輸臺(tái)積電 還被海力士超越!芯片主管揭關(guān)鍵硬傷

三星工藝輸臺(tái)積電 還被海力士超越!芯片主管揭關(guān)鍵硬傷

作者: 時(shí)間:2024-08-05 來(lái)源:中時(shí)電子報(bào) 收藏

芯片良率不佳,先前爆出在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時(shí),最后統(tǒng)計(jì)出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉(Jun Young-hyun) 在執(zhí)掌芯片事業(yè)的幾個(gè)月后,向員工示警需停止隱瞞或回避問(wèn)題,如果不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/202408/461659.htm

全永鉉發(fā)備忘錄,警告員工必須改變職場(chǎng)文化,強(qiáng)調(diào)應(yīng)停止隱瞞或回避問(wèn)題,若不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。他直言,必須重建半導(dǎo)體特有的激烈辯論的文化,「如果我們依賴市場(chǎng),沒(méi)恢復(fù)根本的競(jìng)爭(zhēng)力,將陷入惡性循環(huán),重蹈去年?duì)I運(yùn)的困境。」

三星競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK(SK Hynix)在AI內(nèi)存領(lǐng)域追趕,取得市場(chǎng)領(lǐng)先地位后,三星在今年5月21日時(shí)宣布,任命副董事長(zhǎng)全永鉉(Young Hyun Jun)擔(dān)任公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的新負(fù)責(zé)人。

目前三星正努力縮小與SK的差距,三星第四代高帶寬內(nèi)存HBM3已獲得輝達(dá)首次認(rèn)證通過(guò),預(yù)估下一代HBM3E將在2至4個(gè)月以內(nèi)通過(guò)認(rèn)證。

 




關(guān)鍵詞: 三星 臺(tái)積電 海力士

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉