爾必達(dá)全面量產(chǎn)30nmDRAM

　　日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器(Elpida Memory)宣布，將從2011年5月開始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺(tái)灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經(jīng)開始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比例擴(kuò)大至20%、2011年7～9月擴(kuò)大至30%。而瑞晶工廠則計(jì)劃在2011年7～9月導(dǎo)入30nmDRAM技術(shù)，2011年7～9月將比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。

　　爾必達(dá)從2010年9月開始開發(fā)30nmDRAM，2010年底開始向處理器廠商等大型客戶樣品供貨2Gbit產(chǎn)品。在市場行情惡化導(dǎo)致DRAM被迫整體減產(chǎn)的情況下，爾必達(dá)于2011年1月在廣島工廠開始量產(chǎn)30nmDRAM，量產(chǎn)規(guī)模在2011年1～3月為數(shù)千萬枚/月。之后，隨著DRAM市場行情的復(fù)蘇而取消了減產(chǎn)計(jì)劃，廣島工廠恢復(fù)了12萬枚/月的滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)，其中預(yù)定在2011年4～6月使30nmDRAM比例達(dá)到20%(其余80%基本上都是40nm工藝產(chǎn)品)。也就是說，2011年4～6月的30nmDRAM產(chǎn)量為2萬4000枚/月(=12萬枚/月×20%)。

　　隨后，爾必達(dá)將在2011年7～9月把廣島工廠的30nmDRAM比例提高至30%。此外，還計(jì)劃向瑞晶工廠移植30nmDRAM技術(shù)，將2011年 7～9月的30nmDRAM比例提高至50%。因此，把廣島工廠3萬6000枚/月(=12萬枚/月×30%)和瑞晶工廠4萬2500枚/月(=8萬 5000枚/月×50%)的產(chǎn)能加起來，爾必達(dá)的30nmDRAM總產(chǎn)量將達(dá)到7萬8500枚/月。之后，將在2011年10～12月把瑞晶工廠的 30nmDRAM比例提高至100%。另外，廣島工廠還要兼顧其他產(chǎn)品的生產(chǎn)，2011年10～12月的30nmDRAM比例以及該比例達(dá)到100%的時(shí)間等“未定”(爾必達(dá))。

　　關(guān)于30nmDRAM的具體生產(chǎn)計(jì)劃方面，2011年5月將首先面向個(gè)人電腦(PC)量產(chǎn)2Gbit DDR3-SDRAM，之后在廣島工廠量產(chǎn)4Gbit DDR2標(biāo)準(zhǔn)的“Mobile RAM”和4Gbit DDR3-SDRAM。瑞晶工廠將以量產(chǎn)PC用DRAM為核心。另外，據(jù)爾必達(dá)介紹，與該公司的40nmDRAM相比，30nmDRAM在每枚晶圓上的芯片獲取量將增加45%左右、耗電量將減少20%以上。