海力士2Q營收26億美元 營業(yè)利益4.2億美元

　　韓半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix) 21日上午發(fā)布2011年第2季財報。海力士第2季營收2.76兆韓元(約26.15億美元)，營業(yè)利益4,470億韓元(約4.24億美元)，與 2010年同期相比營收減少16%、營業(yè)利益減少56%，然與2011年第1季相比，雖然營收減少1%，但營業(yè)利益則增加了38%。

　　海力士表示，以美元計算的營收較第1季增加，然因匯率問題而出現(xiàn)較第1季減少的情況。

　　海力士表示，第2季初雖然面臨淡季，但日本發(fā)生震災(zāi)后，各廠擔(dān)憂日本供貨短缺，而使需求短暫攀升，然而需求未達(dá)到預(yù)期，第2季中后期營收快速惡化等，市場變動相當(dāng)大。

　　實(shí)際上第2季DRAM及NAND Flash等平均銷售價格與第1季相比，DRAM減少1%、NAND則暴跌19%。出貨量方面，DRAM維持與第1季相同水平，NAND則增加約36%。

　　海力士相關(guān)人員表示，下半年將進(jìn)入旺季，但因歐洲財政危機(jī)及全球景氣恢復(fù)趨勢鈍化，整體經(jīng)濟(jì)仍存在許多不透明的情況。海力士將會致力于微細(xì)制程轉(zhuǎn)換及架構(gòu)良好的產(chǎn)品收益結(jié)構(gòu)，持續(xù)擴(kuò)大與他廠競爭力的差距。

　　對于微細(xì)制程，海力士透露，2011年第1季投入生產(chǎn)的30納米等級DRAM比重至年底將擴(kuò)大至40%。而第2季末比重約占70%的行動裝置、繪圖、服務(wù)器用DRAM等高附加價值產(chǎn)品，也將持續(xù)維持其比例。

　　海力士將加快NAND Flash轉(zhuǎn)換微細(xì)制程的速度，第2季末占比重約50%的20納米等級產(chǎn)品，年底將擴(kuò)大至約70%，次世代20奈米產(chǎn)品也計劃于2011年下半投入量產(chǎn)。

　　海力士與日廠東芝(Toshiba)為確保在次世代存儲器市場的主導(dǎo)權(quán)，合作研發(fā)STT-M RAM等，正持續(xù)為未來的競爭力做準(zhǔn)備。