富士通導(dǎo)入0.18微米FRAM生產(chǎn)技術(shù)

　　富士通半導(dǎo)體發(fā)展新一代內(nèi)存技術(shù)鐵電隨機(jī)內(nèi)存(Ferroelectric Random Access Memory;FRAM)技術(shù)已久，日前正式以0.18微米制程生產(chǎn)SPI FRAM產(chǎn)品，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A系列，容量分別為256Kb、128Kb和64Kb等，目前已開(kāi)始提供客戶樣品。

　　鐵電隨機(jī)內(nèi)存的材料，是鈣鈦礦類型結(jié)構(gòu)(ABO3)的PZT，在施加和排除外電場(chǎng)后，PZT的電極化仍然存在，有非易失性的特質(zhì)，在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)上所消耗的電量非常小，富士通半導(dǎo)體在1998年就將鐵電隨機(jī)內(nèi)存結(jié)合到微電腦中，是發(fā)展鐵電隨機(jī)內(nèi)存的先驅(qū)之一。

　　鐵電隨機(jī)內(nèi)存屬于非易失性，但在其他各方面則類似于隨機(jī)內(nèi)存，如閃存和電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)等，鐵電隨機(jī)內(nèi)存的特點(diǎn)是寫(xiě)入速度更快，擦寫(xiě)次數(shù)更快，且同時(shí)具有低耗電特性；以讀寫(xiě)速度來(lái)看，鐵電隨機(jī)內(nèi)存比EEPROM讀寫(xiě)速度快3萬(wàn)倍、擦寫(xiě)次數(shù)高出10萬(wàn)倍、耗電少200倍。

　　富士通半導(dǎo)體指出，鐵電隨機(jī)內(nèi)存技術(shù)將SRAM的快速讀寫(xiě)和非揮發(fā)性閃存等特性，都整合至1顆芯片，日前已開(kāi)始用0.18微米制程生產(chǎn)SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A、 MB85RS128A和MB85RS64A等3款系列，提供的內(nèi)存容量分別為256Kb、128Kb和64Kb等，目前開(kāi)始提供客戶樣品。

　　富士通進(jìn)一步指出，這3款芯片的工作電壓范圍介于3.0~3.6V之間，可承受的讀寫(xiě)次數(shù)達(dá)100億次，并能將資料保存在55°環(huán)境下長(zhǎng)達(dá)10年，其工作頻率已提高至最大25MHz。

　　再者，因?yàn)殍F電隨機(jī)內(nèi)存產(chǎn)品在寫(xiě)入的處理過(guò)程中，不需要電壓增壓器，很適合低功率應(yīng)用，且因?yàn)榫哂袠?biāo)準(zhǔn)內(nèi)存針腳配置的8針腳塑料SOP封裝，因此和EEPROM芯片兼容。

　　富士通表示，這款鐵電隨機(jī)內(nèi)存獨(dú)立芯片可用于測(cè)量、工廠自動(dòng)化應(yīng)用和眾多需要數(shù)據(jù)擷取、高速寫(xiě)入和高耐用性等功能的相關(guān)產(chǎn)業(yè)，未來(lái)富士通會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)充鐵電隨機(jī)內(nèi)存的產(chǎn)品線陣容，并以開(kāi)發(fā)制造經(jīng)驗(yàn)用于整合芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)上，緊密互相配合。