艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用

　　艾克賽利(Accelicon)，器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。

　　今年的IEEE國際絕緣體上硅大會將成為工程師和科學(xué)家們分享和了解硅絕緣體上硅以及多柵CMOS技術(shù)最新趨勢的盛會。隨著近期英特爾宣布成功開發(fā)出世界上首個多柵(三柵)晶體管，并將此技術(shù)應(yīng)用于其下代22nm工藝中，基于多柵晶體管技術(shù)以及其器件模型的研究已成為當(dāng)今的熱點。

　　艾克賽利公司首席科學(xué)家陳強(Brian Chen)博士受邀在此次大會做主題為 "An Exercise of ET/UTBB SOI CMOS Modeling and Simulation with BSIM-IMG" 的演講。陳博士將介紹艾克賽利及其合作伙伴對于BSIM-IMG模型探索性的應(yīng)用情況。模型參數(shù)是基于20nm工藝的實際數(shù)據(jù)，在艾克賽利公司旗艦產(chǎn)品MBP中提取完成的，最終的模型在不同電路中進行了驗證。

　　此項研究工作是艾克賽利與其合作伙伴共同完成的，包括美國加州大學(xué)伯克利分校，法國Soitec公司以及法國CEA – LETI公司。